钼铝钼金属膜的制备系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种钼铝钼金属膜的制备系统。
【背景技术】
[0002]目前制作单面OGS(one glass solut1n)产品主要是使用ITO搭桥，但随着产品尺寸的逐渐变大，单面大尺寸OGS在使用ITO搭桥时，线电阻较大，可能会超出IC的驱动能力，且制程复杂，制备价格高。而使用金属桥结构代替ITO搭桥的OGS可以实现降低成本，
简化制程。
[0003]现有工艺制备的钼铝钼(MT)金属膜的反射率较高，当反射率大于35%时，会由于桥点明显从而制约了金属桥结构的OGS产品发展。因此，开发低反射率的金属膜制备工艺有着重要意义，开发低反射率金属膜是开发金属桥结构OGS代替ITO搭桥的OGS的必需过程。
【实用新型内容】
[0004]基于此，有必要提供一种反射率较低的钼铝钼金属膜的制备系统。
[0005]一种钼铝钼金属膜的制备系统，包括:
[0006]预处理装置，可对基底进行预处理；
[0007]磁控反应溅射镀膜腔室，可在通入工作气体和反应气体的条件下，利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，所述磁控反应溅射的靶材为钼靶，所述工作气体为惰性气体，所述反应气体为氮气；以及
[0008]磁控溅射镀膜腔室，可在真空度为0.1Pa?1Pa的条件下，利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。
[0009]在一个实施例中，所述基底为玻璃基底。
[0010]在一个实施例中，所述预处理装置包括清洗单元，所述清洗单元可对所述基底进行过UV、AP离子源清洗。
[0011]在一个实施例中，所述磁控反应溅射镀膜腔室包括第一流量阀门和第二流量阀门，所述第一流量阀门可控制所述工作气体的流量为150sccm?220sccm，所述第二流量阀门可控制所述反应气体的流量为50sccm?lOOsccm。
[0012]在一个实施例中，所述氮化钼层的厚度为40nm?60nm。
[0013]在一个实施例中，所述铝层的厚度为230nm?270nm。
[0014]在一个实施例中，所述钼层的厚度为40nm?60nm。
[0015]这种钼铝钼金属膜的制备系统在工作气体和反应气体均存在的条件下，在基底上磁控反应溅射形成氮化钼层，接着在氮化钼层上依次形成铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统制得的钼铝钼金属膜中，氮化钼层相对于钼层金属性降低，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统制得的钼铝钼金属膜的反射率较低。
【附图说明】
[0016]图1为一实施方式的钼铝钼金属膜的制备系统的结构示意图；
[0017]图2为实施例1制得的钼铝钼金属膜在550nm对应反射率降低至小于10%的反射率图谱曲线。
【具体实施方式】
[0018]下面主要结合附图对钼铝钼金属膜的制备系统作进一步详细的说明。
[0019]如图1所示的一实施方式的钼铝钼金属膜的制备系统，包括依次相连的预处理装置10、磁控反应溅射镀膜腔室20和磁控溅射镀膜腔室30。
[0020]预处理装置10可对基底进行预处理。
[0021]基底一般选择玻璃基底，具体的可以为0.4mm,0.55mm,0.7mm厚度的苏打、龙迹或康宁等触摸屏用玻璃。
[0022]本实施方式中，预处理装置10包括清洗单元，清洗单元可对基底进行过UV、AP离子源清洗。
[0023]磁控反应溅射镀膜腔室20可在通入工作气体和反应气体的条件下，利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积氮化钼层。
[0024]磁控反应溅射的靶材为钼靶，工作气体为惰性气体，反应气体为氮气，磁控溅射的功率5.8kw。
[0025]具体的，工作气体为氦气、氖气、氩气、氣气或氣气。
[0026]氮气和惰性气体的混合气体氛围中，工作气体与反应气体的体积比为150?220:50 ?100。
[0027]本实施方式中，磁控反应溅射镀膜腔室20包括第一流量阀门和第二流量阀门，第一流量阀门可控制工作气体的流量为150sccm?220sccm，第二流量阀门可控制反应气体的流量为50sccm?lOOsccm。
[0028]沉积得到的氮化钼层的材料为无定形氮化钼，化学式为MoNx，2/3 ( x〈3。可以通过控制反应气体的流量控制得到的无定形氮化钼MoNx* X的具体取值。
[0029]特别的，X= 3/2，此时，MoNxS Mo 2N3。
[0030]沉积得到的氮化钼层的厚度为40nm?60nm。
[0031]磁控溅射镀膜腔室30可在真空度为0.1Pa?1Pa的条件下，利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。
[0032]磁控溅射的靶材分别为铝靶和钼靶，磁控溅射的功率为5.8kw,工作气体的流量为IlOsccm ?220sccmo
[0033]沉积得到的销层的厚度为230nm?270nm，沉积得到的钼层的厚度为40nm?60nmo
[0034]这种钼铝钼金属膜的制备系统制程较简单、易于实现，并且价格较低。
[0035]这种钼铝钼金属膜的制备系统在工作气体和反应气体的混合气体氛围下，在基底上磁控反应溅射形成氮化钼层，接着在氮化钼层上依次形成铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统制得的钼铝钼金属膜中，氮化钼层相对于钼层金属性降低，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统制得的钼铝钼金属膜的