反射率较低。
[0036]以下为具体实施例。
[0037]实施例1
[0038]预处理装置的清洗单元对玻璃基底进行过UV、AP离子源清洗预处理。
[0039]通入氦气和氮气，第一流量阀门控制氦气的流量为220sCCm，第二流量阀门控制氮气的流量为50sCCm，在磁控反应溅射镀膜腔室内以钼靶为靶材利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积厚度为50nm的氮化钼层。
[0040]在真空度为0.1Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内分别以铝靶和钼靶为靶材利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积厚度为250nm的厚度铝层和厚度为50nm的钼层，在玻璃基底上形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层，得到所需的钼铝钼金属膜。
[0041]对实施例1制得的钼铝钼金属膜进行反射率测试，结果如图2所示。
[0042]由图2可以看出，实施例1制得的钼铝钼金属膜在450nm?725nm处对应反射率降低约为10%。
[0043]实施例2
[0044]预处理装置的清洗单元对玻璃基底进行过UV、AP离子源清洗预处理。
[0045]通入氩气和氮气，第一流量阀门控制氩气的流量为220SCCm，第二流量阀门控制氮气的流量为lOOsccm，在磁控反应溅射镀膜腔室内以钼靶为靶材利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积厚度为40nm的氮化钼层。
[0046]在真空度为0.5Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内分别以铝靶和钼靶为靶材利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积厚度为230nm的厚度铝层和厚度为50nm的钼层，在玻璃基底上形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层的叠层结构，得到所需的钼铝钼金属膜。
[0047]实施例3
[0048]预处理装置的清洗单元对玻璃基底进行过UV、AP离子源清洗预处理。
[0049]通入氩气和氮气，第一流量阀门控制氩气的流量为llOsccm，第二流量阀门控制氮气的流量为50sCCm，在磁控反应溅射镀膜腔室内以钼靶为靶材利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积厚度为60nm的氮化钼层。
[0050]在真空度为IPa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内分别以铝靶和钼靶为靶材利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积厚度为270nm的厚度铝层和厚度为60nm的钼层，在玻璃基底上形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层的叠层结构，得到所需的钼铝钼金属膜。
[0051]实施例4
[0052]预处理装置的清洗单元对玻璃基底进行过UV、AP离子源清洗预处理。
[0053]通入氖气和氮气，第一流量阀门控制氖气的流量为llOsccm，第二流量阀门控制氮气的流量为lOOsccm，在磁控反应溅射镀膜腔室内以钼靶为靶材利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积厚度为50nm的氮化钼层。
[0054]在真空度为1Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内分别以铝靶和钼靶为靶材利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积厚度为230nm的厚度铝层和厚度为40nm的钼层，在玻璃基底上形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层的叠层结构，得到所需的钼铝钼金属膜。
[0055]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，包括: 预处理装置，可对基底进行预处理； 与所述预处理装置相连的磁控反应溅射镀膜腔室，可在通入工作气体和反应气体的条件下，利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，所述磁控反应溅射的靶材为钼靶，所述工作气体为惰性气体，所述反应气体为氮气；以及 与所述磁控反应溅射镀膜腔室相连的磁控溅射镀膜腔室，可在真空度为0.1Pa?1Pa的条件下，利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、销层和钼层。2.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述基底为玻璃基底。3.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述预处理装置包括清洗单元，所述清洗单元可对所述基底进行过UV、AP离子源清洗。4.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述磁控反应溅射镀膜腔室包括第一流量阀门和第二流量阀门，所述第一流量阀门可控制所述工作气体的流量为150sccm?220sccm，所述第二流量阀门可控制所述反应气体的流量为50sccm?10sccm05.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述氮化钼层的厚度为40nm?60nm。6.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述铝层的厚度为230nm ?2Y0nm。7.根据权利要求1所述的钼铝钼金属膜的制备系统，其特征在于，所述钼层的厚度为40nm ?60nmo
【专利摘要】本实用新型公开了一种钼铝钼金属膜的制备系统，包括：预处理装置，可对基底进行预处理；与预处理装置相连的磁控反应溅射镀膜腔室，可在通入工作气体和反应气体的条件下，利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积氮化钼层；以及与磁控反应溅射镀膜腔室相连的磁控溅射镀膜腔室，可在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统通过氮化钼层取代钼层降低了金属性，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率。
【IPC分类】C23C14/35, C23C14/18
【公开号】CN204644455
【申请号】CN201520284033
【发明人】池京容, 郑建万, 任伏军, 石国强, 王余刚
【申请人】深圳南玻伟光导电膜有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月5日