技术特征：
技术总结
本发明公开了一种三氯氢硅合成方法及装置，该方法将粒径范围为200～400目的硅粉与氯化氢反应合成三氯氢硅，本发明中的三氯氢硅合成方法使用粒径范围为200～400目的硅粉制备三氯氢硅，该硅粉为宽粒径范围的硅粉，生产成本低，生产的难度系数降低，由于宽粒径的硅粉的流化气速较低，制备三氯氢硅时可降低通入的相应的氯化氢的通入的物质的量，降低尾气回收的难度与成本，相对于现有技术中生产三氯氢硅使用的硅粉而言，本发明中的粒径范围为200～400目的硅粉的比表面积大，从而可以提高气固接触面积，反应的强度提高，进而提高本发明中的三氯氢硅合成方法和三氯氢硅合成装置的产能。
技术研发人员：吴昌勇;银波;黄彬;高建强;武珠峰
受保护的技术使用者：新特能源股份有限公司
技术研发日：2015.12.28
技术公布日：2017.07.04