技术总结
本发明提供了一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，具体步骤：将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比为11.0‑15.6：1‑8：130‑200：3.6‑6.6混合加入到密闭的玻璃容器中，25‑50℃磁力搅拌0.5‑12h，20‑40℃恒温陈化3‑30天；采用浸渍‑提拉法在基片上镀膜，所得的膜层即为一定折射率的SiO2增透膜，其过程简单高效，为制备宽频多层增透膜奠定了基础。
技术研发人员：张欣向;胡星宇;孙盈盈;杨文斌
受保护的技术使用者：福建农林大学
文档号码：201610888398
技术研发日：2016.10.12
技术公布日：2017.05.10