技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，本发明涉及一种氧化亚铜(Cu2O)薄膜的简单制备方法。本发明通过采用含氯离子的氯化钠、氯化钾等为前驱物，使用水热法在金属铜片衬底上原位生长Cu2O薄膜，并能进行快速规模化的生产。方法是将金属铜片浸入一定浓度的含有氯离子的盐溶液中，在一定温度下保持一定时间，即可得到原位生长的Cu2O薄膜。通过简单的水热法制备方法得到的Cu2O薄膜在光伏器件、锂离子电池和光催化剂、杀菌剂领域具有潜在的应用。
技术研发人员：熊良斌;余华清;肖永军;王波云;方绍桦;李双明
受保护的技术使用者：湖北工程学院
技术研发日：2017.07.02
技术公布日：2017.11.07