芳香族锍盐化合物的制作方法

文档序号:3504672阅读:239来源:国知局
专利名称:芳香族锍盐化合物的制作方法
技术领域
本发明涉及新型的芳香族锍盐化合物,详细而言,涉及芳香族锍盐化合物、使用了该化合物的光致产酸剂(Photo-acid generator)及阳离子聚合引发剂、以及含有它们的抗蚀剂组合物及阳离子聚合性组合物。
背景技术
锍盐化合物是通过受到光等能量线照射而产生酸的物质,被用于在半导体等电子电路的形成中使用的光刻法用抗蚀剂组合物中的光致产酸剂、和立体光刻用树脂组合物 (stereolithographic resin composition)、涂料、涂敷剂、粘接剂等光聚合性组合物中的阳离子聚合引发剂等。
专利文献1 3中公开了芳香族锍盐化合物、由该化合物组成的光致产酸剂及包含该光致产酸剂的光聚合性组合物。但是,这些光致产酸剂的显影性不充分,特别是在用作负型抗蚀剂的情况下,不容易进行微细的图案化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1 日本特开平9-143212号公报
专利文献2 日本特开平9-157350号公报
专利文献3 日本特开2000-186071号公报发明内容
发明要解决的课题
因此,本发明的目的在于提供显影性高的光致产酸剂及固化性高的阳离子聚合引发剂,还在于提供使用了它们的抗蚀剂组合物及阳离子聚合性组合物。
用于解决课题的手段
本发明者们为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现,具有特定结构的芳香族锍盐化合物可解决上述问题,从而达到本发明。
S卩,本发明提供下述通式(I)所示的新型的芳香族锍盐化合物。
[化1]
权利要求
1 一种下述通式(I)所示的芳香族锍盐化合物,
2.根据权利要求1所述的芳香族锍盐化合物,其特征在于,其由下述通式(II)表示,
3.根据权利要求1所述的芳香族锍盐化合物,其特征在于,其由下述通式(III)表示, [化3]式(III)中,R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47、R48、R49及R50分别独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、硝基、无取代的或具有取代基的碳原子数为1 18的烷基、无取代的或具有取代基的碳原子数为6 20的芳基、或者无取代的或具有取代基的碳原子数为7 20的芳基焼基,R51、R52、R53、R54、R55、R56及R57分别独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、硝基、或者无取代的或具有取代基的碳原子数为1 18的烷基,铲8表示氢原子、具有取代基的碳原子数为1 10的烷基、无取代的或具有取代基的碳原子数为11 18的烷基、无取代的或具有取代基的碳原子数为6 20的芳基、或者无取代的或具有取代基的碳原子数为7 20的芳基烷基,R41 R58所示的碳原子数为1 18的烷基、R41 Rsi及R58所示的碳原子数为6 20 的芳基、以及R41 R5°及R58所示的碳原子数为7 20的芳基烷基所具有的取代基的数目没有限制,R41 R58所示的碳原子数为1 18的烷基、R41 Rsi及R58所示的碳原子数为6 20的芳基、以及R81 R9°及R98所示的碳原子数为7 20的芳基烷基中的亚甲基链可以被-0-、-S-、-CO-、-C0-0-或-0-C0-中断, Xf表示1价的阴离子。
4.根据权利要求1或3所述的芳香族锍盐化合物,其特征在于,其由下述通式(IV)表[化4]
5.根据权利要求1或3所述的芳香族锍盐化合物,其特征在于,其由下述通式(V)表示,[化5]
6.一种光致产酸剂,其特征在于,其包含权利要求1 5中任一项所述的芳香族锍盐化合物。
7.一种抗蚀剂组合物,其特征在于,其含有权利要求6所述的光致产酸剂。
8.一种阳离子聚合引发剂,其特征在于,其包含权利要求1 5中任一项所述的芳香族锍盐化合物。
9.一种阳离子聚合性组合物,其特征在于,其含有权利要求7所述的阳离子聚合引发剂。
全文摘要
本发明提供显影性高的光致产酸剂及固化性高的阳离子聚合引发剂,还提供使用了它们的抗蚀剂组合物及阳离子聚合性组合物。具体而言,提供下述通式(I)所示的新型的芳香族锍盐化合物、使用了该化合物的光致产酸剂、阳离子聚合引发剂、抗蚀剂组合物及阳离子聚合性组合物。式(I)中,R1~R10表示无取代的或具有取代基的碳原子数为1~18的烷基等,R11~R17表示无取代的或具有取代基的碳原子数为1~18的烷基等,R18表示无取代的或具有取代基的碳原子数为1~18的烷基等,X1-表示1价的阴离子。
文档编号C07D219/06GK102510856SQ20108003303
公开日2012年6月20日 申请日期2010年11月17日 优先权日2009年11月17日
发明者奥山雄太, 真壁由惠 申请人:株式会社艾迪科
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