一种磷光PtAg2配合物及其制备方法和用途与流程

技术特征：

1.一种具有消旋结构的离子型磷光金属配合物，其结构为如下式(I)或式(II)所示：

[PtAg₂{rac-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)₂]²⁺A^n-_2/n； (I)

或

[PtAg₂{meso-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)(μ-X)]⁺_mA^m- (II)

其中，

R可相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基、杂芳基芳基，

R'可相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基；

所述的烷基、芳基、杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；

X选自卤素；

A^m-、A^n-为一价或二价阴离子，m或n为1、2，所述阴离子例如为ClO₄^-、PF₆^-、SbF₆^-、BF₄^-、SiF₆^2-等，μ代表桥联。

2.根据权利要求1所述的磷光金属配合物，其中，所述式(I)、或式(II)磷光金属配合物的立体结构如下：

。

3.根据权利要求1或2所述的磷光金属配合物，其中，所述R优选为芳基、咔唑基、吩噻嗪基、咔唑基芳基；所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基可任选被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；所述R'优选为芳基、含氮杂环(例如咔唑基)，所述芳基、含氮杂环可任选被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤 烷基、芳基；进一步优选的，R为苯基、烷基-苯基、卤烷基-苯基、咔唑基-苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基、吩噻嗪基、烷基-吩噻嗪基；R'为苯基、烷基苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基；

进一步优选的，所述金属配合物具体的为如下11个配合物：

。

4.权利要求1-3任一项所述的磷光金属配合物的制备方法，其中，所述式(I)磷光金属配合物的制备方法包括如下步骤：1)将rac-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂和Pt(PPh₃)₂(C≡CR)₂在溶剂中反应，得到中间体；2)再将步骤1)中得到的中间体与[Ag(tht)](A^n-)和PR'₃在溶剂中反应，得到所述式(I)磷光配合物；其中，所述tht(tetrahydrothiophene)为四氢噻吩，所述A^n-、R、R'、X如权利要求1-3任一项所定义；

或者，

所述式(II)磷光配合物的制备方法包括如下步骤：A)将meso-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂和Pt(PPh₃)₂(C≡CR)₂在溶剂中反应，得到中间体；B)将PR'₃、ⁿBu₄NX、[Ag(tht)](A^m-)与步骤A)中得到的中间体在溶剂中反应，得到所述式(II)磷光配合物；其中，所述tht(tetrahydrothiophene)为四氢噻吩，所述A^m-、R、R'、X如权利要求1-3任一项所定义；

优选的，所述步骤1)、步骤A)中，所述溶剂为卤代烃，例如二氯甲烷；

优选的，所述步骤2)、步骤B)中，所述溶剂优选为卤代烃，例如二氯甲烷。

5.权利要求1-3任一项所述的磷光金属配合物用于有机发光二极管的用途。

6.一种有机发光二极管，包括发光层，其中，所述发光层中含有权利要求1-3任一项所述的式(I)或式(II)磷光配合物；

优选的，在所述发光层中，权利要求1-3任一项所述的式(I)磷光配合物优选占所有材料的3-20％(重量百分比)，更优选5-10％，进一步优选的，所述的式(I)磷光配合物以6％的重量百分比掺杂到主体材料中作为发光层；权利要求1-3任一项所述的式(II)磷光配合物优选占所有材料的5-25％(重量百分比)，更优选8-15％，进一步优选的，所述的式(II)磷光配合物以10％的重量百分比掺杂到主体材料中作为发光层。

7.权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管还包括：阳极层、空穴注入层、任选地空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。

8.权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述阳极可为铟锡氧化物，所述空穴注入层可为PEDOT:PSS(PEDOT:PSS＝聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))；所述空穴传输层可为CuSCN、CuI、CuBr；所述发光层含有权利要求1-3任一项所述的磷光配合物，以及具有空穴传输特性的物质和/或具有电子传输特性的物质；其中，具有空穴传输特性的物质可以为2,6-DCZPPY(2,6-二(3-(9-咔唑)苯基)吡啶)、mCP(1,3-双(9-咔唑基)苯)、CBP(4,4'-二 (9-咔唑)-1,1'-联苯)、或TCTA(三(4-(9-咔唑)苯基)胺)中的一种或多种；具有电子传输特性的物质可以为OXD-7(1,3-双(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯)；所述电子传输层可为BmPyPB(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三联苯)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲珞啉)或OXD-7中的一种或多种；所述电子注入层为LiF，所述阴极为Al。

优选的,含有所述式(I)磷光配合物的器件结构为：ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/70.5％2,6-DCZPPY:23.5％OXD-7:6％wt本发明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)，或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/70.5％mCP:23.5％OXD-7:6％wt本发明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)；

优选的，含有所述式(II)磷光配合物的器件结构为：ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/90％2,6-DCZPPY:10％wt本发明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)，或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/90％mCP:10％wt本发明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。

其中，ITO为氧化铟锡导电薄膜，PEDOT:PSS为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，2,6-DCZPPY为(2,6-二(3-(9-咔唑基)苯基)吡啶)、mCP为(1,3-双(9-咔唑基)苯)，OXD-7为1,3-双(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯，BmPyPB为(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三联苯)。

9.权利要求6-8任一项所述的有机发光二极管的制备方法，包括：1)采用溶液法在阳极上制备有机发光二极管中的空穴注入层；2)任选地采用溶液法制备有机发光二极管中的空穴传输层；3)采用溶液法制备掺杂有本发明的磷光配合物的发光层；4)再依次利用真空热蒸镀方法制备电子传输层、电子注入层、以及阴极层。

10.权利要求6-8任一项所述的有机发光二极管的用途，其用于平板显示和日常照明领域中。