用于底层的芳香族树脂的制作方法

文档序号:14665120发布日期:2018-06-12 18:57阅读:来源:国知局
用于底层的芳香族树脂的制作方法

技术特征:

1.一种形成图案化层的方法,包含:

(a)将组合物的层涂布在衬底上,所述组合物包含(i)聚亚芳基树脂,其包含以下作为聚合单元:一种或多种式(1)的第一单体

其中每个Ar1和Ar2独立地是C6-30芳基部分;每个R独立地选自H、C6-30芳基以及被取代的C6-30芳基;每个R1独立地选自-OH、C1-6羟基烷基、-C(=O)OR3、-C(=O)N(R4)2、-O-C(=O)R5、-NR4C(=O)R6、-N(R4)3+An-、-NO2;-S(=O)2-OR7、-O-S(=O)2-R8、-NR4-S(=O)2-R6以及S(=O)2-N(R4)2;每个R2独立地选自C1-10烷基、C1-10卤烷基、C1-10羟基烷基、C1-10烷氧基、CN、-N(R4)2以及卤基;R3=H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C1-10氨基烷基、C6-30芳基或M;每个R4独立地是H、C6-30芳基或C1-10烷基;每个R5独立地选自H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C6-30芳基、-O(C1-10烷基)、-O(C6-10芳基)以及-N(R4)2;R6=H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C6-30芳基、-O(C1-10烷基)或-NH(C1-10烷基);R7=H、C1-10烷基、C6-30芳基或M;R8=C6-30芳基、C1-10烷基以及卤基-C1-10烷基;M=碱金属离子、碱土金属离子或铵离子;An-是选自卤化物和C1-20羧酸根的阴离子;每个Y独立地是单化学键或选自以下的二价键联基团:-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(C(R9)2)z-、C6-30芳基以及-(C(R9)2)z1-(C6-30芳基)-(C(R9)2)z2-;每个R9独立地选自H、羟基、卤基、C1-10烷基、C1-10卤烷基以及C6-30芳基;a1=0到3;a2=0到3;b1=1到4;b2=0到2;c1=0到2;c2=0到2;a1+a2=1到6;b1+b2=2到6;c1+c2=0到6;d=0到2;z=1到10;z1=0到10;z2=0到10;以及z1+z2=1到10;和一种或多种包含两个或更多个环戊二烯酮部分的第二单体;和一种或多种有机溶剂;

(b)去除有机溶剂以形成芳香族树脂层;

(c)将光致抗蚀剂层涂布在所述芳香族树脂层上;

(d)通过掩模使所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射;

(e)使所述曝光的光致抗蚀剂层显影以形成抗蚀剂图案;以及

(f)将所述图案转移到所述芳香族树脂层以暴露部分所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:使所述衬底图案化;并且接着去除所述图案化芳香族树脂层。

3.根据权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:在步骤(c)之前,将含硅层涂布在所述芳香族树脂层上。

4.根据权利要求3所述的方法,进一步包含以下步骤:在步骤(c)之后并且在步骤(d)之前,将所述图案转移到所述含硅层。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述芳香族树脂进一步包含一种或多种式(13)的第三单体作为聚合单元

其中Ar5是C6-30芳香族部分;每个Y2独立地是单化学键或选自以下的二价键联基团:-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(C(R9)2)z-、C6-30芳基以及-(C(R9)2)z1-(C6-30芳基)-(C(R9)2)z2-;每个R15独立地选自C1-4烷基、C1-4卤烷基、C1-4烷氧基、任选被取代的C7-14芳烷基以及任选被取代的C6-30芳基;b4=1或2;f=0到4;z是1到10;z1是0到10;z2是0到10;以及z1+z2=1到10。

6.根据权利要求5所述的方法,其中f=0。

7.根据权利要求1所述的方法,其中R1选自-OH、-C(=O)OR3、-C(=O)N(R4)2、-O-C(=O)R5、-S(=O)2-OR5以及S(=O)2-N(R4)2。

8.根据权利要求7所述的方法,其中R3=H、C1-6烷基、C1-6羟基烷基或M;R4=H或C1-6烷基;R5=H、C1-6烷基、-O(C1-6烷基)或-NH(C1-6烷基);并且R7=H或C1-6烷基。

9.根据权利要求7所述的方法,其中R1选自-OH和-C(=O)OR3

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种第一单体具有式(2):

其中Ar1、R、R1、a1以及b1如权利要求1中所定义。

11.根据权利要求1所述的方法,其中Ar1和Ar2独立地选自苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、蔻基、并四苯基、并五苯基、联亚三苯基以及苝基。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种第二单体选自一种或多种式(9)单体

其中每个R10独立地选自H、苯基或被取代的苯基;并且Ar3是芳香族部分。

13.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种有机溶剂选自丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸正丁酯、苯甲醚、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、乙氧基苯、丙酸苯甲酯、苯甲酸苯甲酯、碳酸丙二酯、2-羟基异丁酸甲酯、环己酮以及其混合物。

14.一种用于填充间隙的方法,包含:(a)提供在表面上具有浮雕图像的半导体衬底,所述浮雕图像包含多个待填充的间隙;(b)将间隙填充组合物涂覆在所述浮雕图像上,其中所述间隙填充组合物包含有包含以下的组成:(i)聚亚芳基树脂,其包含以下作为聚合单元:一种或多种式(1)的第一单体和一种或多种包含两个或更多个环戊二烯酮部分的第二单体;

其中每个Ar1和Ar2独立地是C6-30芳基部分;每个R独立地选自H、C6-30芳基以及被取代的C6-30芳基;每个R1独立地选自-OH、C1-6羟基烷基、-C(=O)OR3、-C(=O)N(R4)2、-O-C(=O)R5、-NR4C(=O)R6、-N(R4)3+An-、-NO2;-S(=O)2-OR7、-O-S(=O)2-R8、-NR4-S(=O)2-R6以及S(=O)2-N(R4)2;每个R2独立地选自C1-10烷基、C1-10卤烷基、C1-10羟基烷基、C1-10烷氧基、CN、-N(R4)2以及卤基R3=H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C1-10氨基烷基、C6-30芳基或M;每个R4独立地是H、C6-30芳基或C1-10烷基;每个R5独立地选自H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C6-30芳基、-O(C1-10烷基)、-O(C6-10芳基)以及-N(R4)2;R6=H、C1-10烷基、C1-10羟基烷基、C6-30芳基、-O(C1-10烷基)或-NH(C1-10烷基);R7=H、C1-10烷基、C6-30芳基或M;R8=C6-30芳基、C1-10烷基以及卤基-C1-10烷基;M=碱金属离子、碱土金属离子或铵离子;An-是选自卤化物和C1-20羧酸根的阴离子;每个Y独立地是单化学键或选自以下的二价键联基团:-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-C(=O)-、-(C(R9)2)z-、C6-30芳基以及-(C(R9)2)z1-(C6-30芳基)-(C(R9)2)z2-;每个R9独立地选自H、羟基、卤基、C1-10烷基、C1-10卤烷基以及C6-30芳基;a1=0到3;a2=0到3;b1=1到4;b2=0到2;c1=0到2;c2=0到2;a1+a2=1到6;b1+b2=2到6;c1+c2=0到6;d=0到2;z=1到10;z1=0到10;z2=0到10;以及z1+z2=1到10;和(ii)一种或多种有机溶剂;以及(c)在一温度下加热所述间隙填充组合物以固化所述聚亚芳基树脂。

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