造单层型感光体（E-23)。
[0494] [单层型感光体（E-24)]
[0495] 除了使用三芳胺衍生物（HT-6)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-24)。
[0496] [单层型感光体（E-25)]
[0497] 除了使用三芳胺衍生物（HT-7)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂以外， 通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（E-25)。
[0498] [单层型感光体（E-26)]
[0499] 除了使用三芳胺衍生物（HT-7)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-26)。
[0500] [单层型感光体（E-27)]
[0501] 除了使用三芳胺衍生物（HT-7)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-27)。
[0502] [单层型感光体（E-28)]
[0503] 除了使用三芳胺衍生物（HT-7)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-28)。
[0504] [单层型感光体（E-29)]
[0505] 除了使用三芳胺衍生物（HT-8)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂以外， 通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（E-29)。
[0506] [单层型感光体（E-30)]
[0507] 除了使用三芳胺衍生物（HT-8)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-30)。
[0508] [单层型感光体（E-31)]
[0509] 除了使用三芳胺衍生物（HT-8)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-31)。
[0510] [单层型感光体（E-32)]
[0511] 除了使用三芳胺衍生物（HT-8)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-32)。
[0512] [单层型感光体（E-33)]
[0513] 除了使用三芳胺衍生物（HT-9)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂以外， 通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（E-33)。
[0514] [单层型感光体（E-34)]
[0515] 除了使用三芳胺衍生物（HT-9)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-34)。
[0516] [单层型感光体（E-35)]
[0517] 除了使用三芳胺衍生物（HT-9)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-35)。
[0518] [单层型感光体（E-36)]
[0519] 除了使用三芳胺衍生物（HT-9)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-36)。
[0520] [单层型感光体（E-37)]
[0521] 除了使用三芳胺衍生物（HT-10)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂以外， 通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（E-37)。
[0522] [单层型感光体（E-38)]
[0523] 除了使用三芳胺衍生物（HT-10)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-38)。
[0524] [单层型感光体（E-39)]
[0525] 除了使用三芳胺衍生物（HT-10)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-39)。
[0526] [单层型感光体（E-40)]
[0527] 除了使用三芳胺衍生物（HT-10)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（E-40)。
[0528] [单层型感光体（E-41)]
[0529] 除了使用Y型氧钛酞菁代替X型无金属酞菁作为电荷产生剂以外，通过与单层型 感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（E-41)。
[0530] [单层型感光体（F-I)]
[0531] 除了使用下述的三芳胺衍生物（HT-A)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂 以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（F-I)。
[0534] [单层型感光体（F-2)]
[0535] 除了使用三芳胺衍生物（HT-A)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-2)。
[0536] [单层型感光体（F-3)]
[0537] 除了使用三芳胺衍生物（HT-A)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-3)。
[0538] [单层型感光体（F-4)]
[0539] 除了使用三芳胺衍生物（HT-A)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-4)。
[0540] [单层型感光体（F-5)]
[0541] 除了使用下述的三芳胺衍生物（HT-B)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂 以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法，制造单层型感光体（F-5)。
[0544] [单层型感光体（F-6)]
[0545] 除了使用三芳胺衍生物（HT-B)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-2)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-6)。
[0546] [单层型感光体（F-7)]
[0547] 除了使用三芳胺衍生物（HT-B)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-3)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-7)。
[0548] [单层型感光体（F-8)]
[0549] 除了使用三芳胺衍生物（HT-B)代替三芳胺衍生物（HT-I)作为空穴输送剂、使用 化合物（ETM-4)代替化合物（ETM-I)以外，通过与单层型感光体（E-I)的制造一样的方法， 制造单层型感光体（F-8)。
[0550] < 4.层叠型感光体的电气特性评价>
[0551] 使用鼓感光度试验机（GENTEC株式会社制造），以转速31rpm，使层叠型感光体 (A-I)~（A-10)和（B-I)~（B-2)中的每一个带电为-700V。对带电后的层叠型感光体的表 面电位进行测量。将测量得到的层叠型感光体表面电位记为初始表面电位（V。，单位：-v)。 然后，使用带通滤波器从卤素灯的光中取出单色光（波长：780nm，半宽度：20nm，光能量： 0.4 μ J/cm2)。将所取出的单色光照射到层叠型感光体的表面。从照射结束时开始经过0.5 秒时对层叠型感光体的表面电位进行测量。将测量得到的层叠型感光体表面电位记为残留 电位，单位：-V)。测量环境是温度23°C且湿度50% RH。测量得到的初始表面电位（V。） 和残留电位（\)表;^在表1中。另外，残留电位（Vj)的值的绝对值越小，表;电气特性越 优异。
[0552] < 5.单层型感光体的电气特性评价>
[0553] 使用鼓感光度试验机（GENTEC株式会社制造），使单层型感光体（C-I)~（C-30) 和（D-I)~（D-6)中的每一个带电为+700V。对带电后的单层型感光体的表面电位进行测 量。将测量得到的单层型感光体表面电位记为初始表面电位（V。，单位：+V)。然后，使用带 通滤波器从卤素灯的光中取出单色光（波长：780nm、半宽度：20nm、光能量：1· 5 μ J/cm2) 〇 将所取出的单色光照射到单层型感光体的表面。从照射结束时开始经过〇. 5秒时对单层型 感光体的表面电位进行测量。将测量得到的单层型感光体表面电位记为残留电位（I，单 位：+V)。测量环境是温度23°C且湿度50% RH。测量得到的初始表面电位（V。）和残留电位 (\)表示在表2中。另外，残留电位（\)的值的绝对值越小，表示电气特性越优异。
[0554] < 6.转印记忆电位的测量>
[0555] 将单层型感光体（E-I)~（E-41)和（F-I)~（F-8)的每一个分别安装到彩色打 印机（FS-C5250DN、京瓷办公信息系统株式会社制造）中。设定条件来使单层型感光体的表 面电位达到+600V。对作为带电装置的带电辊施加直流电压，使单层型感光体带电。使用施 加直流电压的带电辊作为打印机的带电部。使用由带电性橡胶形成的辊（由在环氧氯丙烷 树脂中分散有导电碳的材料形成的辊）作为带电辊。作为转印方式来说，采用中间转印方 式。具体来说，采用如下方式：将单层型感光体上的调色剂像转印到中间转印带上，然后将 调色剂像转印到纸张介质上。
[0556] 使用此彩色打印机，测量未对单层型感光体施加转印偏压时（转印偏压施加前） 的单层型感光体的非曝光部（空白部分）的表面电位（v^)。然后，测量对单层型感光体施 加转印偏压时的（转印偏压施加时的）非曝光部（空白部分）的表面电位（VJ。根据测 量的表面电位（V i3fJPVi3n),计算表面电位的差（Vi3n-Vi3ffK将计算的表面电位的差作为转印 记忆电位。计算出的转印记忆电位表示在表3和表4中。另外，转印记忆电位的绝对值越 小，表示越能抑制转印记忆的发生。
[0557] < 7.图像评价>
[0558] 将单层型感光体（E-I)~（E-41)和（F-I)~（F-8)的每一个分别安装到彩色打 印机（FS-C5250DN、京瓷办公信息系统株式会社制造）中。在彩色打印机中，采用上述的转 印记忆电位评价中所使用的带电部和转印方式。为了使单层型感光体的动作稳定，使用此 彩色打印机进行图像A的1小时连续打印。图像A是西文字母的文字图像。在1小时的打 印后，打印1张图像A。图像A相当于感光体的第一圈。然后，打印1张整体半色调的图像 B (半色调部分，图像浓度12. 5% )，作为图像重影的评价用图像样品。图像B相当于感光体 的第二圈。对于打印出的评价用图像样品，目测观察有无发生图像问题（源自图像A的图 像重影）。基于有无发生图像问题，按照以下的评价基准进行图像的评价。图像评价的结果 表示在表3和表4中。另外，将◎(非常好）和〇（好）的评价作为合格。
[0559] (图像评价的评价基准）
[0560] ◎(非常好）：在半色调部分未观察到图像问题。
[0561] 〇（好）：在半色调部分观察到作为图像重影的一条边IOmm的空心轮廓部分。
[0562] Λ (普通）：在半色调部分观察到作为图像重影的一条边IOmm的空心轮廓部分。 并且，虽然不是清晰可读，但也观察到作为重影的一条边3_的西文字母型的空心轮廓。
[0563] X (差）：在半色调部分清楚地看到作为图像重影的一条边3mm的西文字母型的空 心轮廓。
[0564] < 8.外观评价>
[0565] 对于层叠型感光体（A-I)~（A-10)和（B-I)~（B-2)以及单层型感光体（C-I)~ (C-30)、（D-I)~（D-6)、（E-I)~（E-41)和（F-I)~（F-8)中的每一个的整个表面，使用 光学显微镜以倍率50倍进行观察。由此，确认感光体表面有无晶化了的部分。基于确认的 结果，按照以下的评价基准对层叠型感光体和单层型感光体的外观进行评价。外观评价的 结果表不在表1~表4中。
[0566] (外观评价的评价基准）
[0567] ◎(非常好）：未观察到晶化了的部分。
[0568] 〇（好）：基本上未观察到晶化了的部分。
[0569] X (差）：观察到晶化了的部分。
[0570] 对于层叠型感光体（A-I)~（A-10)和（B-I)~（B-2)的每一个，电荷输送层中所 含有的空穴输送剂和各种评价的结果表示在表1中。对于单层型感光体（C-I)~（C-30) 和（D-I)~（D-6)的每一个，单层型感光层中所含有的电荷产生齐I」、空穴输送齐I」、电子输送 剂以及各种评价的结果表示在表2中。
[0571] 对于单层型感光体（E-I)~（E-41)和（F-I)~（F-8)的每一个，单层型感光层中 所含有的电荷产生剂、空穴输送剂和电子输送剂以及各种评价的结果表不在表3和表4中。 另外，表3和表4中，"X-H 2Pc"和"TiOPc"分别表示X型无金属酞菁和Y型氧钛酞菁。
[0572] 【表1】
[0573]
[0580] 层叠型感光体（A-I)~（A-IO)含有三芳胺衍生物（I)。具体来说，层叠型感光体 (A-I)~（A-10)含有三芳胺衍生物（HT-I)~（HT-10)。因此，如从表1中可明显看出的那 样，对于层叠型感光体（A-I)~（A-10)，残留电位（\)的绝对值小。由此表明层叠型感光 体（A-I)~（A-10)维持了优异的外观（抑制层叠型感光层的晶化）的同时电气特性优异。
[0581] 单层型感光体（C-I)~（C-30)含有三芳胺衍生物（I)。具体来说，单层型感光体 (C-I)~（C-30)含有三芳胺衍生物（HT-I)~（HT-10)。因此，如从表2中可明显看出的那 样，对于单层型感光体（C-I)~（C-30)，残留电位（\)的绝对值小。由此表明单层型感光 体（C-I)~（C-30)维持了优异的外观（抑制单层型感光层的晶化）的同时电气特性优异。
[0582] 另一方面，层叠型感光体（B-I)~（B-2)和单层型感光体（D-I)~（D-6)不含有三 芳胺衍生物（I)。因此，如从表1和表2中可明显看出的那样，对于层叠型感光体（B-I)~ (B-2)和单层型感光体（D-I)~（D-6)，残留电位（\)的绝对值大，电气特性差。
[0583] 单层型感光体（E-I)~（E-41)含有三芳胺衍生物（I)。具体来说，单层型感光体 (E-I)~（E-41)含有三芳胺衍生物（HT-I)~（HT-10)。因此，如从表3和表4中可明显看 出的那样，对于单层型感光体（E-I)~（E-41)，转印记忆电位的绝对值小。因此，表明单层 型感光体（E-I)~（E-41)在维持优异的外观（抑制单层型感光层的晶化）的同时能够抑 制转印记忆的发生。其结果，对于单层型感光体（E-I)~（E-41)来说，也有效地抑制重影 之类图像问题的发生。
[0584] 另一方面，单层型感光体（F-I)~（F-8)不含有三芳胺衍生物（I)。因此，如从表 3和表4中可明显看出的那样，对于单层型感光体（F-I)~（F-8)，转印记忆电位的绝对值 往往都较大。其结果，发生转印记忆，并确认到了重影之类图像问题的发生。
【主权项】
1. 一种三芳胺衍生物， 用下述通式（I)表示，所述通式（I)中， 札和1?2各自独立，选自由卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取 代的碳原子数1以上6以下的烷氧基和任意取代的碳原子数6以上12以下的芳基组成的 组， k和1各自独立，表示0以上4以下的整数， 在k表示2以上的整数的情况下，存在于同一个芳香环的若干个&彼此可以相同也可 以不同， 在1表示2以上的整数的情况下，存在于同一个芳香环的若干个私彼此可以相同也可 以不同， m和η各自独立，表示1以上3以下的整数，m和η表示不同的整数。2. 根据权利要求1所述的三芳胺衍生物，其特征在于， 所述通式（I)中， 札选自由碳原子数1以上6以下的烷基和碳原子数1以上6以下的烷氧基组成的组，R2是碳原子数1以上6以下的烷氧基， k和1各自表示整数0或者1。3. 根据权利要求1或者2所述的三芳胺衍生物，其特征在于， 所述通式（I)中， 在k和1都表示整数0的情况下，m表示整数1且η表示整数2或3,或者 m表示整数2或3且η表示整数1， 在k和1的至少一个表示1以上的整数的情况下，m和η都表示1以上3以下的整数，m和η表示不同的整数。4. 根据权利要求1或者2所述的三芳胺衍生物，其特征在于， 所述通式（I)中， 在k和1都表示整数0的情况下，m表示整数1且η表示整数2或3， 在k和1的至少一个表示1以上的整数的情况下，m和η都表示1以上3以下的整数，m和η表示不同的整数。5. 根据权利要求1或者2所述的三芳胺衍生物，其特征在于， 所述通式（I)中， k表示整数0或者1， 1表示整数0， 在k表示整数0的情况下，m表示整数1且η表示整数3， 在k表示整数1的情况下，η大于m。6. -种电子照相感光体，具备感光层，所述感光层含有电荷产生剂和空穴输送剂， 所述感光层是层叠型感光层或者单层型感光层， 所述层叠型感光层具有电荷产生层和电荷输送层，所述电荷产生层含有所述电荷产生 剂，所述电荷输送层含有所述空穴输送剂，所述电荷输送层配置在所述电荷产生层之上， 所述单层型感光层含有所述电荷产生剂和所述空穴输送剂， 所述感光层含有作为所述空穴输送剂的权利要求1或者2所述的三芳胺衍生物。7. -种图像形成装置，具备： 像承载体； 带电部，其使所述像承载体的表面进行带电； 曝光部，其对带电后的所述像承载体的所述表面进行曝光，在所述像承载体的所述表 面上形成静电潜像； 显影部，其将所述静电潜像显影为调色剂像；以及 转印部，其从所述像承载体上将所述调色剂像向被转印体上转印， 所述像承载体是权利要求6所述的电子照相感光体。8. 根据权利要求7所述的图像形成装置，其特征在于， 所述带电部接触于所述像承载体并对所述像承载体施加直流电压， 所述带电部将所述像承载体的所述表面带电为正极性， 所述感光层是所述单层型感光层。9. 根据权利要求7所述的图像形成装置，其特征在于， 所述被转印体是记录介质， 在所述转印部从所述像承载体上将所述调色剂像向所述记录介质上转印时，所述像承 载体与所述记录介质接触。10. 根据权利要求7所述的图像形成装置，其特征在于， 所述转印部是一次转印辊和二次转印辊， 所述被转印体是中间转印带和记录介质， 所述一次转印辊将所述像承载体上形成的所述调色剂像转印到所述中间转印带上， 所述二次转印辑将已转印在所述中间转印带上的所述调色剂像转印到所述记录介质 上。
【专利摘要】本发明提供一种三芳胺衍生物、感光体和图像形成装置。三芳胺衍生物用下述通式(I)表示。通式(I)中，R1和R2各自独立，选自由卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基和任意取代的碳原子数6以上12以下的芳基组成的组。k和l各自表示0以上4以下的整数。在k和l表示2以上的整数的情况下，存在于同一个芳香环的若干个R1和R2彼此可以相同也可以不同。m和n都是1以上3以下的整数，表示不同的整数。
【IPC分类】C07C211/54, C07C217/80, G03G5/06
【公开号】CN105384647
【申请号】CN201510536820
【发明人】冈田英树, 菅井章雄, 小岛健辅, 鹤见裕树, 山本洋平, 宫本荣一
【申请人】京瓷办公信息系统株式会社
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月27日
【公告号】US20160062253