操作如下:将1.0摩尔的式II所示化合物(6-氯-4-氮杂螺双芴)和1.1摩尔 的式III所示化合物(二苯并噻吩-4-硼酸)加入反应器中，加入占式II所示化合物质量百分 比为3 %四三苯基膦钯作为催化剂，加入四氢呋喃做溶剂，以及211的1(20)3溶液，在氩气保护 下回流24小时，冷却后用二氯甲烷萃取，萃取后的有机层用无水硫酸钠干燥后旋干，用二氯 甲烷/石油醚(体积比为1:5)过硅胶柱，旋干后得到式1-1所示化合物(6-(4二苯并噻吩)-4-氮杂螺双芴）。
[0080]根据本发明的实施例1~3均制备得到了式1-1所示化合物，且收率均在95%以上。 [0081]取实施例3中得到的化合物进行核磁谱图检测，检测得到的数据如下"HNMR (400MHz，CDCL3) :8.48~8.41 (m，3H)，8.20(d，J= 8.5,1H)，8.09(s，1H)，7.98(s，lH)，7.87 ((1，了 = 8.5，1!〇,8.50~8.58(111，5!〇,7.28~7.38(111，7!〇,6.67(8，1!〇;由此可知得到的化合 物为式1-1所示化合物。
[0082] 在下述描述中涉及到的化合物 表示如下：
[0083]
[0085]采用本发明的化合物制备的有机电致发光器件优选有机发光二极管。
[0086] 如图1所示，有机发光二极管的结构优选依次包括:基片1、阳极层2、空穴注入层3、 空穴传输层4、有机发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极层8和封装薄膜9。基片1优选 采用ΙΤ0透明导电玻璃基板;空穴注入层优选采用三氧化钼(Mo03)或2，3，6，7，10，11-六氰 基-1，4,5,8,9，12-六氮杂三亚苯(说1'-0?;空穴传输层优选采用硝基苯酚丁酸酯(即8)、 CBP或TAPC，电子传输层优选采用TPBi、4，7-二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen)或1，3，5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyPB);有机发光二极管的有机发光层可以为单层发光层也可以为 多层发光层，每层发光可以为单掺杂结构也可以为多掺杂结构。发光颜色不限（如为红、黄、 蓝、绿或白），磷光染料选用FIrpic、三（2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯 基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acaC))、三（1-苯基-异喹啉)合铱（III)(Ir(piq))或（乙酰丙酮)双 (2-甲基二苯并[F，H]喹喔啉)合铱（Ir(MDQ)2(acac))等。阴极可以采用金属及金属混合物 的结构，如Mg:Al、Li:Al等，也可以选用电子注入层/金属层结构(如LiF/Al、Liq/Al)的常见 阴极结构，其中电子注入层可以为碱金属、碱土金属、过渡金属的单质、化合物或混合物等。
[0087]下面在实施例4中将采用本发明的化合物作为发光层的主体材料制备有机发光二 极管，在对比例4中则选用现有的材料mCP作为主体材料制备有机发光二极管，而其他条件 与实施例4完全相同，然后对制备得到的有机发光二极管的性能进行检测。
[0088] 实施例4
[0089]采用本发明式1-1所示化合物作为有机发光二极管的有机发光层的主体材料， FIrpic为蓝色磷光染料，有机发光二极管的结构如图1所示，依次为:基片1、阳极层2、空穴 注入层3、空穴传输层4、有机发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极层8和封装薄膜9，其 中基板1选用ΙΤ0透明导电玻璃基板，空穴注入层3选用HAT-CN(厚度10nm)，电子注入层选用 TAPC(厚度为45nm)，有机发光层的主体材料为式1-1所示化合物，客体材料为掺杂浓度为 8%的FIrpic蓝色磷光染料，电子传输层选用TmPyPB(厚度为40nm)，电子注入层选用Liq(厚 度为2nm)，阴极层选用Al(厚度为120nm) 〇
[0090] 有机发光二极管的制备过程如下:将ITO透明导电玻璃基板1在商用清洗剂中超声 处理，在去离子水中冲洗，用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次，在洁净的环境下烘烤至完 全除去水分，用紫外灯和臭氧处理ITO透明导电玻璃基板。把处理后的ITO透明导电玻璃基 板置于真空腔内，抽真空至3.0ΧΠΓ4~4.0Xl(T4Pa，在ITO透明导电玻璃基板上真空蒸镀 HAT-CN作为空穴注入层，蒸镀速率为0.25A/S，镀膜厚度为1〇腦;在空穴注入层之上真空蒸 镀TAPC作为空穴传输层，蒸镀速率为2人/S,镀膜厚度为45nm;然后采用双源蒸镀的工艺方 法，以本发明化合物式1-1作为主体材料，采用FIrpic蓝色磷光染料作为客体材料制备有机 发光层，控制蒸镀速率为2A/S，镀膜厚度为2〇nm，FIrpic的掺杂浓度为8%。在有机发光层 之上真空蒸镀一层TmPyPB作为电子传输层，蒸镀速率为2人/s，镀膜厚度为4〇nm;在电子传 输层上真空蒸镀Liq作为电子注入层和A1层作为阴极。
[0091] 对比例4
[0092]在本对比例4中采用化合物mCP作为有机发光二极管的主体材料，其器件结构以及 制备过程的其它条件均同实施例4。
[0093]有机发光二极管的电流-亮度-电压特性是由带有校正过的硅光电二极管的 Keithley源测量系统（Keithley2400Sourcemeter、Keithley2000Currentmeter)完成；电 致发光光谱是由Photoresearch公司PR655光谱仪测量的，所有测量均在室温大气中完成。
[0094] 根据图2示出的实施例4(曲线a)和对比例4(曲线b)的有机发光二极管的电致发光 光谱可以看出，实施例4的和对比例4制备得到的有机发光二极管均能正常发光，且实施例4 的有机发光二极管的发光效率比对比例4的有机发光二极管的发光效率高。
[0095] 对实施例4和对比例4进行了最大亮度、最大电流效率、最大功率效率测试，测试结 果如表1所示：
[0096] 表 1
[0097]
[0098] 根据表1的数据可以看出，实施例4的最大亮度、最大电流效率、最大功率效率均高 于对比例4,由此可以看出，使用本发明化合物作为有机发光二极管的有机发光层的主体材 料可以有效的提高有机发光二极管的发光效率，本发明的化合物适合用于有机发光二极管 的有机发光层的主体材料。
[0099] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种化合物，其特征在于，该化合物如式I所示：其中，R基为含有N、0或S原子的取代基。2. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R基为下述基团中的一种：3. 如权利要求2所述的化合物，其特征在于，该化合物如式1-1所示：〇4. 一种如权利要求3所述化合物的制备方法，其特征在于，包括： 偶联步骤:式II所示化合物与式III所示化合物进行偶联反应，得到式1-1所示化合物；5. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述偶联步骤中，用催化剂进行催化， 所述催化剂包括四三苯基膦钯。6. 如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述式II所示化合物和所述式III所 示化合物的摩尔比为1:1.05~1:1.2。7. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述式II所示化合物通过式IV所示化合 物与式￥所示化合物反应得到；8. 如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述式IV所示化合物和所述式V所示化 合物的摩尔比为1:1.0~1:2.0。9. 如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述式V所示化合物通过式VI所示化合 物与式VII所示化合物反应得到；10. -种有机电致发光器件，其特征在于，该有机电致发光器件的有机发光层的主体材 料为如权利要求1~3任一所述的化合物。
【专利摘要】本发明公开了一种化合物及其制备方法和有机电致发光器件。本发明的化合物如式I所示：其中，R基为含有N、O或S原子的取代基。根据本发明的化合物的制备方法，包括：偶联步骤：式II所示化合物与式III所示化合物进行偶联反应，得到式I-1所示化合物；本发明的化合物用于有机电致发光器件的有机发光层的主体材料，材料本身性能稳定且可以使有机电致发光器件的外部量子效率提升，能提高有机电致发光器件发光效率。
【IPC分类】C07D409/04, C07D401/04, C07D221/20, C07D405/04, H01L51/54
【公开号】CN105440024
【申请号】CN201610006395
【发明人】陈建, 陆相晚, 李宾, 朱涛, 袁慧芳, 唐文浩, 方群, 尹海斌, 董安鑫
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2016年1月4日