光半导体元件壳体封装用树脂组合物和使用该树脂组合物获得的光半导体发光装置的制造方法_3

文档序号:9903913阅读:来源:国知局
简单地说,利用捏合机将所述成分A至D 和各种任选的添加剂适当混合、捏制并烙融混合,然后将其冷却至室溫,并对其进行研磨W 得到细粉状树脂组合物。
[0053] 如上运样获得的树脂组合物的固化材料优选在430至1300nm的波长处具有至少 80%、更优选至少90%、更加优选至少94%的光反射率。所述光反射率的最上限是100%。例 如,W下列方式测量所述光反射率。在预定的固化条件下,例如在150°C下成形4分钟并接着 在150°C下固化3小时,从而制造树脂组合物的1mm厚固化材料。可在室溫(25±10°C)下,利 用分光光度计(例如,由JASCO Corp.制造的分光光度计V-670)来测量该固化材料在所述波 长处的反射率。
[0054] 可按如下制造使用本发明的树脂组合物获得的光半导体发光装置:简单地说,准 备其上安装有光半导体元件的金属引线框,将其置于转印成形机的模具中,并且将上述树 脂组合物在其中转印成形W形成绝缘树脂层。如图1中所示,W所述方式制造了光半导体发 光装置单元,其包括绝缘树脂层3、在所述绝缘树脂层3中形成的凹部、布置在所述凹部内的 金属引线框1、W及安装在所述金属引线框1上的光半导体元件2。
[0055] 利用透明树脂,将被所述绝缘树脂层3围绕的凹部空间进一步填满并封装,所述凹 部空间处于安装在所述金属引线框1上的所述光半导体元件2之上。例如,所述透明树脂可 W是本领域中通常使用的透明环氧树脂等。由此制造出预期的光半导体发光装置。
[0056] 实施例
[0057] 下面描述实施例和比较例。然而,不应该将本发明限于运些实施例。
[0058] 在制造树脂组合物之前首先准备下述构成成分。
[0059] 环氧树脂:1,3,5-Ξ缩水甘油基异氯脈酸(平均环氧当量:lOOg/当量,烙点:100 °〇〇
[0060] 酸酢:甲基六氨化邻苯二甲酸酢(酸当量:168g/当量)。
[0061 ] 二氧化铁a:平均粒度为0.21皿的金红石型。
[0062] 二氧化铁b:平均粒度为0.1祉m的锐铁矿型。
[0063] 二氧化娃粉末:平均粒度为23WI1的球形烙融二氧化娃。
[0064] 抗氧化剂:9,10-二氨-9-氧杂-10-憐杂菲-10-氧化物。
[00化]固化促进剂:0,0-二乙基二硫代憐酸四正下基鱗。
[0066] 实施例1至5,参考例1和2,比较例1和2
[0067] 将下表1中所示的成分W其中所示的比例混合,然后在烧杯中烙融混合、老化,然 后将其冷却至室溫并研磨W制备预期的细粉状环氧树脂组合物。
[0068] 对运样制造的实施例和比较例的环氧树脂组合物进行分析W测量其反射率(初始 阶段,在高溫下保持长时间之后)。结果示于下表1中。
[0069] 反射率
[0070] 在预定的固化条件(条件:在150°C下成形4分钟+在150°C下固化3小时)下,将所述 环氧树脂组合物成形为厚度1mm的试片;并且在初始阶段W及在150°C下保持168小时之后 测量所述试片(固化材料)的总反射率。使用由JASC0 Corp.制造的分光光度计V-670作为测 试仪。在室溫(25°C)下测量各样品在450nm波长处的光反射率。
[0071] 表1 [007^ (重量份)
[0073]
[0074]
[0075] *按[二氧化铁的量]/[二氧化娃粉末的量]计算
[0076] 从W上结果看出,在初始阶段和在高溫下保持长时期之后,实施例的样品全部具 有高的反射率数据,并且因此在长期高溫耐热性方面是优异的。
[0077] 与运些相反,其中二氧化铁对二氧化娃粉末的重量混合比在所述特定范围内,但 所述二氧化铁不是金红石型而是锐铁矿型二氧化铁的参考例1和2的样品能够具有大于 90%的初始反射率,但是在高溫下保持长时间之后其反射率低。关于其中使用金红石型二 氧化铁,但二氧化铁对二氧化娃粉末的重量混合比超出所述特定范围的比较例1和2的样 品,在初始阶段和在高溫下保持长时间之后其反射率都是低的,或者即,比较例中包括长期 高溫耐热性在内的耐热性差。
[0078] 使用W上实施例的样品的细粉状环氧树脂组合物,制造了具有图1中所示构造的 光半导体发光装置。简单地说,在42-合金(锻银的)引线框1上安装光半导体元件(尺寸: 0.3mmX0.3mm)2,并且利用接合线4,将在金属引线框1上形成的所述光半导体元件2和电极 电路相互电连接。将运样制备的光半导体发光装置放入转印成形机中,并且在其中转印成 形W制造预期的光半导体发光装置单元,所述光半导体发光装置单元包括绝缘树脂层3、在 绝缘树脂层3中形成的凹部、布置在凹部内的金属引线框和安装在金属引线框1上的光半导 体元件2,如图1中所示(成形条件:在150°C下成形4分钟+在150°C下固化3小时)。运样获得 的光半导体发光装置良好,没有问题。
[0079] 虽然参考其【具体实施方式】详细描述了本发明,但是对于本领域技术人员显而易见 的是,在不背离其主旨和范围的情况下,能够进行多种改变和修正。
[0080] 顺便提及,本申请是基于2009年9月7日提交的日本专利申请2009-205753,并将所 述内容通过参考引入本文。
[0081] 本文引用的所有参考文献W它们的整体引入到运里。
[0082] 本发明的光半导体元件壳体封装用树脂组合物作为绝缘树脂层形成材料是有用 的,所述绝缘树脂层形成材料在发光元件周围形成W围绕所述发光元件,并且其反射由安 装在光半导体发光装置中的发光元件发出的光W提供指向性。
【主权项】
1. 一种树脂组合物,所述树脂组合物用于形成光半导体元件壳体封装用的具有凹部的 绝缘树脂层,所述凹部中收容有金属引线框和安装在金属引线框上的光半导体元件, 其中所述树脂组合物包含下列成分(A)至(D),并且所含成分(C)和(D)以重量计的混合 比(C)/(D)为0.3至3.0: (A) 环氧树脂,其中所述环氧树脂选自脂环族环氧树脂和异氰脲酸三缩水甘油酯中的 至少一种; (B) 酸酐固化剂; (C) 白色颜料;和 (D) 无机填料。2. 根据权利要求1的树脂组合物,其中所述成分(C)是二氧化钛。3. 根据权利要求2的树脂组合物,其中所述二氧化钛具有金红石型晶体结构。4. 根据权利要求1的树脂组合物,其中基于全部树脂组合物,所含成分(C)和(D)的总含 量为10至90重量%。5. -种光半导体发光装置,其包含:绝缘树脂层;所述绝缘树脂层中形成的凹部;布置 在所述凹部内的金属引线框;和布置在所述金属引线框上的光半导体元件, 其中所述绝缘树脂层是由根据权利要求1的光半导体元件壳体封装用树脂组合物形成 的。
【专利摘要】本发明涉及光半导体元件壳体封装用树脂组合物和使用该树脂组合物获得的光半导体发光装置,所述树脂组合物用于形成光半导体元件壳体封装用的具有凹部的绝缘树脂层,所述凹部中收容有金属引线框和安装在金属引线框上的光半导体元件,其中树脂组合物包含下列成分(A)至(D),并且所述成分(C)和(D)以重量计的混合比(C)/(D)为0.3至3.0:(A)环氧树脂;(B)酸酐固化剂;(C)白色颜料;和(D)无机填料。
【IPC分类】C08K5/5313, C08K3/36, C08G59/42, H01L33/56, C08L63/00, C08K3/22
【公开号】CN105670224
【申请号】CN201610059526
【发明人】谷口刚史, 太田贵光, 伊藤久贵
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2010年9月7日
【公告号】CN102010570A, CN105733187A, US8664685, US20110057228
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