优选为氨、面素、 氯基、取代的巧~CIO的烷基、未取代的巧~CIO的烷基、取代的巧~CIO的环烷基、未取代的 巧~CIO的环烷基、取代的巧~CIO的烷氧基、未取代的巧~CIO的烷氧基、取代的CIO~C15 的杂环基、未取代的CIO~C15的杂环基、取代的CIO~C18的芳基胺基、未取代的CIO~C18的 芳基胺基、取代的CIO~C16的芳基、未取代的CIO~C16的芳基、取代的C14~C18的稠环基或 未取代的C14~C18的稠环基，最优选为氨、氣、氯基、甲基、乙基、丙基、异丙基、下基、异下 基、叔下基、戊基、己基、苯基、含氣苯基、含氯基的苯基、糞基、含氣糞基、含氯基的糞基、蔥 基、含氣蔥基、含氯基的蔥基、菲基、含氣菲基、含氯基的菲基、联苯基、含氣的联苯基或含氯 基的联苯基。
[0076] 所述R8优选为氨、面素、氯基、取代的C3~C20的烷基、未取代的C3~C20的烷基、取 代的C3~C20的环烷基、未取代的C3~C20的环烷基、取代的C3~C20的烷氧基、未取代的C3 ~C20的烷氧基、取代的C8~C30的杂环基、未取代的C8~C30的杂环基、取代的C8~C30的芳 基胺基、未取代的C8~C30的芳基胺基、取代的C8~C30的芳基、未取代的C8~C30的芳基、取 代的CIO~C30的稠环基或未取代的CIO~C30的稠环基；更优选为氨、面素、氯基、取代的巧 ~CIO的烷基、未取代的巧~CIO的烷基、取代的巧~CIO的环烷基、未取代的巧~CIO的环烧 基、取代的巧~CIO的烷氧基、未取代的巧~CIO的烷氧基、取代的CIO~C15的杂环基、未取 代的CIO~C15的杂环基、取代的CIO~C18的芳基胺基、未取代的CIO~C18的芳基胺基、取代 的CIO~C16的芳基、未取代的CIO~C16的芳基、取代的C14~C18的稠环基或未取代的C14~ C18的稠环基，更具体的，所述Ri为氨、面素、氯基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔下基、正下 基、异下基、式(日-1)、式(日-2)、式(a-3)、式(a-4)、式(a-5)、式(a-6)、式(a-7)、式(a-8)、式 (曰-9)、式(日-10)、式(日-11)、式(日-12)、式(日-13)、式(日-14)、式(日-15)、式(日-16)、式(曰- 17)、式(曰-18)、式(曰-19)、式(曰-20)、式(曰-21)、式(曰-22)、式(曰-23)、式(曰-24)、式(曰-25)、 式(a-26)、式(a-27)、式(a-28)、式(a-29)、式(曰-30)、式(a-31)、式(a-32)、式(a-33)、式(曰- 34)、式(a-35)或式(a-36)，
[0077]
[007引
[0079] 其中，所述Χ、Υ独立的选自氨、面素、氯基、取代的C3~C20的烷基、未取代的C3~ C20的烷基、取代的C3~C20的环烷基、未取代的C3~C20的环烷基、取代的C3~C20的烧氧 基、未取代的C3~C20的烷氧基、取代的C8~C30的杂环基、未取代的C8~C30的杂环基、取代 的C8~C30的芳基胺基、未取代的C8~C30的芳基胺基、取代的C8~C30的芳基、未取代的C8 ~C30的芳基、取代的CIO~C30的稠环基或未取代的CIO~C30的稠环基;更优选为氨、面素、 氯基、取代的巧~CIO的烷基、未取代的巧~CIO的烷基、取代的巧~CIO的环烷基、未取代的 巧~CIO的环烷基、取代的巧~CIO的烷氧基、未取代的巧~CIO的烷氧基、取代的CIO~C15 的杂环基、未取代的CIO~C15的杂环基、取代的CIO~C18的芳基胺基、未取代的CIO~C18的 芳基胺基、取代的CIO~C16的芳基、未取代的CIO~C16的芳基、取代的C14~C18的稠环基或 未取代的C14~C18的稠环基，最优选为氨、氣、氯基、甲基、乙基、丙基、异丙基、下基、异下 基、叔下基、戊基、己基、苯基、含氣苯基、含氯基的苯基、糞基、含氣糞基、含氯基的糞基、蔥 基、含氣蔥基、含氯基的蔥基、菲基、含氣菲基、含氯基的菲基、联苯基、含氣的联苯基或含氯 基的联苯基。
[0080] 另外，需要指出的是，取代基中的-表示连接键， i'i-x和一Y表示取代基可W 在所在芳香环的任意位置。
[0081] 其中，所述烷基优选为直链烷基、支链烷基、环烷基、至少1个取代基取代的直连烧 基、至少1个取代基取代的支链烷基或至少1个取代基取代的环烷基;其中，所述取代基独立 的选自面素和氯基中的一种或几种，所述烷基上取代基的个数优选为1~5,更优选为2、3或 4。
[0082] 所述烷氧基优选为未取代的烷氧基或至少1个取代基取代的烷氧基;其中，所述取 代基独立的选自面素和氯基中的一种或几种，所述烷氧基上取代基的个数优选为1~5,更 优选为2、3或4。
[0083] 所述芳基优选为未取代的芳基或至少1个取代基取代的芳基;其中，所述取代基独 立的选择面素和/或氯基;所述芳基上取代基的个数优选为1~5,更优选为2、3或4。
[0084] 所述芳基胺基优选为未取代的芳基胺基或至少1个取代基取代的芳基胺基;其中， 所述取代基独立的选择面素和/或氯基;所述芳基胺基上取代基的个数优选为1~5,更优选 为2、3或4。
[0085] 所述杂环基优选为未取代的杂环基或至少1个取代基取代的杂环基;其中，杂环基 中的杂原子为氮、硫或氧;所述取代基独立的选择面素和/或氯基;所述杂环基上取代基的 个数优选为1~5,更优选为2、3或4。
[0086] 所述稠环基优选为未取代的稠环基或至少1个取代基取代的稠环基;其中，所述取 代基独立的选择面素和/或氯基;所述稠环基上取代基的个数优选为1~5,更优选为2、3或4
[0087] 按照本发明，本发明所述Ri、R2、R3、R4、Rs、R6、R?、R8中任意两个相邻的取代基还可W 与所在的苯环形成稠环，且未形成稠环的取代基的选择与前述Ri、R2、R3、R4、化、R6、R?、1?8选择 的范围相同。
[0088] 按照本发明，所述，所述R9优选为所述R9为取代的C3~C20的烷基、未取代的C3~ C20的烷基、取代的C8~C30的芳基、未取代的C8~C30的芳基、取代的CIO~C30的稠环基或 未取代的CIO~C30的稠环基，更优选为甲基、乙基、丙基、异丙基、下基、异下基、叔下基、戊 基、己基、苯基、含氣苯基、含氯基的苯基、糞基、含氣糞基、含氯基的糞基、蔥基、含氣蔥基、 含氯基的蔥基、菲基、含氣菲基、含氯基的菲基、联苯基、含氣的联苯基或含氯基的联苯基。
[0089] 更具体的，所述裡化合物优选为式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)或式(1-5)，
[0090]
[0091] 其中，所述民1、民2、民3、民4、民5、民6、民7、民9的取代基的选择范围与前述相同。
[0092] 更具体的，所述裡化合物为式（1-1-1)、式（1-1-2)、式（1-1-3)、式（1-1-4)、式（I- 1-5)、式（1-1-6)、式(1-1-7、式（1-1-8)、式(1-1-9)、式（1-1-10)、式（1-1-11)、式(1-1-12)、 式(1-1-13)、式(1-1-14)、式(1-1-15)、式(1-1-16)、式(1-1-17)、式(1-1-18)、式(1-1-19)、 式(1-1-20)、式(1-1-21)、式(1-1-22)、式(1-1-23)、式(1-1-24)、式(1-1-25)、式(1-1-26)、 式(1-1-26)、式(1-1-26)、式(1-1-26)、式(1-1-26)、式(1-1-27)、式(1-1-28)、式(1-1-29)、 式(1-1-30)、式(1-1-31)、式(1-1-32)、式(1-1-33)、式(1-1-34)、式(1-1-35)、式(1-1-36)、 式(1-1-37)、式(1-1-38)、式(1-1-39)、式(1-1-40)、式(1-1-41)、式(1-1-42)、式(1-1-43)、 式(1-1-44)、式(1-1-45)、式(1-1-46)、式(1-1-47)、式(1-2-1)、式(1-2-2)、式(1-2-3)、式 (1-2-4)、式(1-2-5)、式(1-3-1)、式（1-3-2)、式(1-3-3)、式(1-3-4)、式（1-4-1)、式(1-4- 2)、式(1-4-3)、式（1-4-4)、式(1-5-1)、式（1-5-2)、式(1-5-3)、式（1-5-4)、式(1-5-5)、式 (1-5-6 或式(1-5-7)。
[0093]
[0094]
[0095]
[0096]
[0097] 本发明还提供了一种本发明所述的裡化合物的制备方法，包括：
[0098] 1)将式（II)结构的化合物和式（III)结构的化合物混合反应，得到式（IV)结构的 化合物，
[0099]
[0100] 其中，所述虹、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6、1?7、1?8独立的选自氨、面素、氯基、取代的(：1~〔30的烧 基、未取代的C1~C30的烷基、取代的C1~C30的环烷基、未取代的C1~C30的环烷基、取代的 C1~C30的烷氧基、未取代的C1~C30的烷氧基、取代的巧~C60的杂环基、未取代的巧~C60 的杂环基、取代的C6~C60的芳基胺基、未取代的C6~C60的芳基胺基、取代的C6~C60的芳 基、未取代的C6~C60的芳基、取代的C8~C60的稠环基或未取代的C8~C60的稠环基；
[0101] 或者所述扣、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6、1?7、1?8中任意两个相邻的取代基与所在的苯环形成稠 环，且未形成稠环的取代基独立的选自氨、面素、氯基、取代的C1~C30的烷基、未取代的C1 ~C30的烷基、取代的C1~C30的环烷基、未取代的C1~C30的环烷基、取代的C1~C30的烧氧 基、未取代的C1~C30的烷氧基、取代的巧~C60的杂环基、未取代的巧~C60的杂环基、取代 的C6~C60的芳基胺基、未取代的C6~C60的芳基胺基、取代的C6~C60的芳基、未取代的C6 ~C60的芳基、取代的C8~C60的稠环基或未取代的C8~C60的稠环基；
[0102] 所述R9为取代的C1~C30的烷基、未取代的C1~C30的烷基、取代的C6~C60的芳 基、未取代的C6~C60的芳基、取代的C8~C60的稠环基或未取代的C8~C60的稠环基；
[0103] 2)将式(IV)结构的化合物和裡盐反应，得到式(I)结构的化合物。
[0104] 按照本发明，将式（II)结构的化合物和式（III)结构的化合物混合反应，得到式 (IV)结构的化合物，本发明中，所述式（II)结构的化合物中扣、1?2、1?3、1?4取代基的选择与前 述限定相同，所述式（III)结构的化合物中1?5、1?6、1?7、1?8取代基的选择与前述限定相同，本发 明对所述反应的条件没有特殊要求，所述溶剂优选为N，N-二甲基甲酯胺，所述催化剂优选 为焦亚硫酸钢。
[0105] 此外，本发明对式（II)结构的化合物与式（III)结构的化合物的来源没有特殊限 定，通过本领域公知的制备方法制得即可。
[0106] 本发明还将式（IV)结构的化合物和裡盐反应，得到式（I)结构的化合物，其中，所 述反应的溶剂优选为甲醇，反应所需的碱优选为氨氧化钢的水溶液。
[0107] 本发明还提供了一种本发明所述的裡化合物作为发光材料在制备有机电致发光 器件中的应用；
[0108] 具体的，所述有机电致发光器件优选为，包括：
[0109] 第一电极、第二电极和置于所述两电极之间的有机物层，其中，所述有机物层中包 含有式(I)所示结构的化合物;式(I)所示结构的化合物可W是单一形态或与其它物质混合 存在于有机物层中。
[0110] 其中，所述有机物层至少包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又具备空 穴传输技能层，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和既具备电子传 输又具备电子注入技能层中的一种或几种。
[0111] 所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述既具备空穴注入又具备空穴传输技能层 中至少有一个是常规的空穴注入物质