一种亲水性有机硅膜的制备方法与流程

文档序号:11793704阅读:1038来源:国知局
一种亲水性有机硅膜的制备方法与流程

本发明属于有机硅膜材料领域,特别涉及一种亲水性有机硅膜的制备方法。



背景技术:

有机硅(或称有机无机杂化硅)膜具有优异的水热稳定性和化学稳定性,其应用前景十分广泛,如反渗透和渗透汽化等膜分离过程。但限制其发展的主要缺点是膜的对水的亲和力较低,渗透率较小。



技术实现要素:

针对当前有机硅膜存在的水亲和力较差、渗透率较低的问题,本发明提供了一种亲水性有机硅膜的制备方法,将有机硅膜浸泡在臭氧溶液中,通过调节浸泡时间和臭氧溶液浓度,调节膜孔径大小及其表面水亲和力,从而增加了膜的水亲和力和渗透率,

具体方案为:

(1)通过有机硅源前驱体的水解聚合反应制备有机硅聚合溶胶,

其中,采用盐酸作为溶胶制备的催化剂,所得溶胶的浓度为0.1~0.5wt%,

有机硅源前驱体为1,2-二(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)或1,2-二(三乙氧基硅基)乙烯(BTESEthy);

(2)采用热涂法将硅锆溶胶擦涂在陶瓷支撑体上,高温条件下煅烧得到膜的过渡层,

擦涂溶胶以及煅烧的操作重复6~8次,

硅锆溶胶的浓度为0.3wt%,涂擦时采用脱脂棉蘸取硅锆溶胶,按一个方向在陶瓷支撑体上快速擦涂,

涂完后立即于400~550℃煅烧20~30min,

过渡层不仅仅增加了膜的水热稳定性,更重要的是:涂覆过渡层是为了将膜层表面的孔径降至5nm左右,这样的过渡层能够防止出现孔渗现象,便于后续涂覆分离层;

(3)采用热涂法将步骤(1)中得到的有机硅聚合溶胶擦涂在步骤(2)中得到的过渡层上,涂完后煅烧得到有机硅膜,

擦涂溶胶以及煅烧的操作重复1~2次,

涂擦时,采用脱脂棉蘸取有机硅聚合溶胶,按一个方向在陶瓷支撑体上的过渡层表面快速擦涂,涂完后立即于100~250℃下煅烧20~30min;

(4)将步骤(3)中制得的有机硅膜在臭氧水溶液中浸泡得到改性后的有机硅膜,

臭氧水溶液浓度为0.5~2.5ppm,浸泡时间为10~150min,浸泡温度为常温(25℃),

臭氧改性后,膜的水渗透率有了显著增加,达到了1.6×10-12(kg m-2s-1Pa-1)。由于步骤(3)中制得的有机硅膜内部分子结构上为Si-C键、C-C键、Si-O键所形成的交错网络结构(其中Si-O键数量居多,并且是构成网络结构的基础,即在微观上硅原子起到网络交叉点作用,相当于是十字路口的中心);在此基础上加入臭氧攻击桥连的乙烷、乙烯反应生成了臭氧化物,之后发生Criegee重排(臭氧的开环反应)形成中间体,中间体会生成甲硅烷基醛,而甲硅烷基醛遇水水解后导致Si-C键断裂,键上的碳原子最终形成甲酸游离到膜之外,而Si原子上形成了硅醇基,增加了膜的亲水性;但是Si-O键所形成的交错网络结构并不会受到破坏,这确保了力学性能。具体的化学反应机理如附图1所示。

附图说明

图1为实施例1中臭氧改性BTESEthy膜的化学反应机理示意图。

图2为实施例1中浸泡于臭氧溶液中的时间为60min和120min所制备的改性有机硅膜以及对比例1中有机硅膜的FTIR图,

从图2中可以看出,经过臭氧改性后,有机硅膜表面Si-C键、碳碳双键的峰有所减弱(键的数量减少),而Si-OH键的峰有所增强(相应键的数量增加)。

图3为实施例1中浸泡于臭氧溶液中的时间为40min和120min所制备的改性有机硅膜以及对比例1中有机硅膜的截留分子量变化图,

从图3中可以看出,经过臭氧改性后,有机硅膜的孔径变大,孔径变大会增加水渗透率。

图4为实施例1中膜的水渗透率随浸泡于臭氧溶液中时间的变化关系图(操作压力:1.15MPa,盐水溶液浓度:2000ppm-NaCl)。

具体实施方式

实施例1

(1)在盐酸的催化作用下,通过有机硅源前驱体BTESEthy的水解聚合反应制备出有机硅聚合溶胶,并将溶胶浓度稀释至0.4wt%;

(2)采用热涂法将硅锆溶胶(0.3wt%)擦涂在陶瓷支撑体上,500℃的高温条件下煅烧25min成膜,重复该擦涂溶胶以及煅烧的操作8次,得到膜的过渡层;

(3)采用热涂法将步骤(1)中得到的有机硅聚合溶胶擦涂在步骤(2)中得到的过渡层上,涂完后于200℃下煅烧20min,重复该擦涂溶胶以及煅烧的操作2次,得到有机硅膜,

制备7份相同的上述有机硅膜;

(4)将步骤(3)中制得的6份有机硅膜浸泡在25℃、浓度1ppm的臭氧水溶液中,分别浸泡10min、20min、40min、60min、90min、120min后取出、干燥,得到改性后的有机硅膜;

而由上述步骤(3)中所制备但未浸泡的1份有机硅膜为对比例1,作为实验参照。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1