一维聚合物周期性微结构的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种一维聚合物周期性微结构的制备方法，该方法包括以下步骤：将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；利用上述微结构为模板，在衬底表面通过热压、光交联、热交联等方式压印聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、光刻胶等高分子聚合物，形成一维聚合物周期性微结构。本发明方法新颖，获得的微结构可在光电、能源、生物等领域获得应用。
【专利说明】一维聚合物周期性微结构的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种亚微米和微米微结构材料的制备方法，特别是一种一维聚合物周期性微结构的制备技术。
【背景技术】
[0002]一维聚合物周期性微结构具有重要的应用背景。它们可作为光传输的波导、太阳能电池的抗反射层、微流体行进的通道、其它微结构材料制备的模板等等。目前制备的方法主要是光刻，其制备流程复杂，成本高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种制备成本低的一维聚合物周期性微结构的制备方法。
[0004]为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下:
[0005]一维聚合物周期性微结构的制备方法，包括以下步骤:
[0006](I)根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构；
[0007](2)将上述结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；
[0008](3)利用上述微结构为模板，在衬底表面通过热压、光交联、热交联等方式制备聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、光刻胶等高分子聚合物，形成一维聚合物周期性微结构。
[0009]本发明与现有技术相比，其显著优点是成本低廉，无需大型仪器，工艺简单可靠。本发明方法新颖，获得的微结构可在光电、能源、生物等领域获得应用。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是一维聚合物周期性微结构的制备方法的示意图。步骤(A)为将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂；步骤(B)为将其置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；步骤(C)为利用上述微结构为模板，在衬底表面压印聚合物，形成一维聚合物周期性微结构。
【具体实施方式】
[0011]下面对本发明作进一步详细的描述。
[0012]实施例中聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构根据专利ZL200710134575.2 的方法获得。
[0013]实施例1:将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；利用上述微结构为模板，在衬底表面通过热压压印聚苯乙烯，形成聚苯乙烯一维聚合物周期性微结构。
[0014]实施例2:将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；利用上述微结构为模板，在衬底表面通过光交联光刻胶，形成光刻胶一维聚合物周期性微结构。
[0015]实施例3:将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；利用上述微结构为模板，在衬底表面通过热交联聚二甲基硅氧烷，形成聚二甲基硅氧烷一维聚合物周期性微结构。
[0016]实施例4:将聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构；利用上述微结构为模板，在衬底表面通过热压聚甲基丙烯酸甲酯，形成聚甲基丙烯酸甲酯一维聚合物周期性微结构。
【权利要求】
1.一维聚合物周期性微结构的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤: (O根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚二甲基硅氧烷填充石英纤维空隙的复合结构； (2)将上述结构沿着石英纤维轴向劈裂，置于HF酸溶液中腐蚀去除劈裂断面的石英纤维，形成周期性半圆柱凹陷的微结构； (3)利用上述微结构为模板，在衬底表面制备一维聚合物周期性微结构。
2.根据权利要求1所述的一维聚合物周期性微结构的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述制备方式为热压、光交联或热交联。
3.根据权利要求1或2所述的一维聚合物周期性微结构的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述聚合物为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷或光刻胶。
【文档编号】B81C1/00GK103569952SQ201310560890
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2013年11月12日
【发明者】卢明辉 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司