技术总结
本发明公开了氧化铜/氧化钨一维有序异质包覆结构基气敏元件及其在探测二氧化氮中的应用，气敏元件包括：垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列和在该氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列上两个间距为1-2cm，大小为2mm*2mm，厚度为80-120nm的铂层；其中，所述氧化钨/氧化铜异质结纳米阵列由氧化钨/氧化铜异质结纳米线组成，氧化钨/氧化铜纳米线长度为900-1100nm，所述氧化钨纳米线的直径为17-24nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹厚度为5-15nm的氧化铜。该气敏元件能在较低温度下实现对二氧化氮气体的快速响应恢复，且稳定性好。
技术研发人员：秦玉香;张晓娟;刘义;王永垚;王泽峰;胡明
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201510819327
技术研发日：2015.11.23
技术公布日：2017.05.31