考虑器件老化的设计集成电路的方法与流程

技术特征：
1.一种设计半导体集成电路IC的方法，包括：提供标准单元的库，每个标准单元具有互连的器件以及用于连接到其它单元和/或端口的引脚的相应定义，所述库包含用于相应单元的布局和性能数据；提供作为相应标准单元的引脚处的电活动的函数的相应标准单元中的器件的电活动的器件活动文件DAF；提供作为相应标准单元中的器件的电特性的老化发展的函数的相应标准单元的电特性的发展的标准单元发展文件SCEF；提供实例活动文件IAF，实例活动文件仿真IC中的单元的各个实例的引脚处的电活动；使用所述实例活动文件IAF和所述器件活动文件DAF，以提供对IC中的所述器件的活动和所述器件的电特性的结果老化发展的仿真；使用所述标准单元发展文件SCEF和对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真，以产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据；以及使用所述实例的电特性的结果老化发展的所述数据，以产生IC的电特性的结果老化发展的数据；其中产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据包括产生与新品实例的示意图相对应的老化实例的示意图，并且使用所述老化实例的示意图产生IC的电特性的结果老化发展的数据。2.如权利要求1所述的方法，其中所述器件活动文件DAF包含作为相应标准单元的引脚处的动态电活动和器件的电偏置的函数的相应标准单元中的器件的电活动。3.如权利要求1所述的方法，其中仿真所述实例活动文件IAF中的所述电活动包括提供在IC中的单元的各个实例的引脚处的传号空号比和电切换的数目。4.如权利要求3所述的方法，其中提供对IC中的所述器件的活动的仿真包括使用所述各个实例的引脚处的传号空号比和电切换的数目，以提供实例中的各个器件的引脚处的传号空号比和电切换的数目。5.如权利要求1所述的方法，其中对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真包括关于热载流子注入对所述器件的所述电特性的影响的仿真。6.如权利要求1所述的方法，其中对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真包括关于负偏置温度不稳定性对所述器件的所述电特性的影响的仿真。7.如权利要求1所述的方法，其中对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真包括关于与时间相关的电介质击穿对所述器件的所述电特性的影响的仿真。8.如权利要求1所述的方法，其中所述IC的电特性的结果老化发展的数据包括IC的定时、功率和热特性的老化发展的数据。9.一种制造半导体集成电路IC的方法，包括以权利要求1的方法设计所述IC，并且使用所述设计来制造IC。