1.一种半导体存储器件，包含：
以行和列布置的多个电阻式存储单元，所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件；
第一存储单元阵列，其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件；
第二存储单元阵列，其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件，其中所述第二可变电阻器元件被短路；以及
连接到第二位线的参考电阻器。
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包含连接到所述多个第一位线中的一个以及第二位线的感测放大器。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻器元件包含磁性隧道结(MTJ)元件，
其中，所述MTJ元件基于击穿电压而被短路。
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻器元件与导电通孔元件并联地连接，所述导电通孔元件包含通孔洞中的导电材料。
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述参考电阻器包括在参考电阻器控制电路中，
其中，所述参考电阻器控制电路包含:
多个电阻器；以及
分别并联地连接到所述多个电阻器的晶体管，
其中，所述晶体管被配置为响应于修整信号而选择性地使所述多个电阻器短路。
6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述修整信号在测试半导体存储器件的过程期间施加。
7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述电阻式存储单元包含自旋转移矩-磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)单元、磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、相变随机存取存储器(PRAM)单元以及电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元中的至少一个。
8.一种半导体存储器件，包含：
以行和列布置的多个电阻式存储单元，所述多个电阻式存储单元中的每一个包含单元晶体管和可变电阻器元件；
第一存储单元阵列，其包含连接到分别对应于行的多个字线中的一个的第一单元晶体管以及连接到分别对应于列的多个第一位线中的一个的第一可变电阻器元件；
第二存储单元阵列，其包含连接到所述多个字线中的一个的第二单元晶体管以及连接到对应于列中的一个的第二位线的第二可变电阻器元件，其中，所述第二位线连接到第二单元晶体管与第二可变电阻器元件之间的连接节点；以及
连接到第二位线的参考电阻器。
9.如权利要求8所述的半导体存储器件，还包含连接到所述多个第一位线中的一个以及第二位线的感测放大器。
10.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述连接节点是连接到第二单元晶体管的漏极以及第二可变电阻器元件的焊盘电极。
11.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述参考电阻器具有在对应于存储在第一可变电阻器元件中的第一数据逻辑与第二数据逻辑的电阻值之间的中间电阻值。
12.一种半导体存储器件，包含:
主存储单元阵列，其包含第一电阻式存储单元，所述第一电阻式存储单元分别包含第一单元晶体管以及连接在第一单元晶体管与第一位线之间的第一可变电阻器元件；
参考存储单元阵列，其包含第二电阻式存储单元，所述第二电阻式存储单元分别包含第二单元晶体管以及连接在第二单元晶体管与第二位线之间的第二可变电阻器元件，其中，所述第二可变电阻器元件包含电短路；以及参考电阻器电路，包含耦接到第二位线的至少一个参考电阻器。
13.如权利要求12所述的半导体存储器件，还包含:
感测放大器，其耦接到第一位线和第二位线，并且被配置为检测和放大在其中流动的相应的电流，
其中，耦接到第二位线的所述至少一个参考电阻器的电阻值在对应于第一可变电阻器元件的第一逻辑状态和第二逻辑状态的电阻值之间。
14.如权利要求13所述的半导体存储器件，其中，所述至少一个参考电阻器的电阻值包含比对应于第一可变电阻器元件的第一逻辑状态和第二逻辑状态的电阻值更窄的范围。
15.如权利要求13所述的半导体存储器件，其中，所述至少一个参考电阻器具有固定电阻。
16.如权利要求15所述的半导体存储器件，其中，所述至少一个参考电阻器包含具有相应的固定电阻的多个电阻器，并且其中，所述参考电阻器电路包含:
多个晶体管，所述晶体管分别并联地连接到电阻器，
其中，所述晶体管被配置为响应于相应的修整信号来选择性地使电阻器短路，以提供在对应于第一可变电阻器元件的第一逻辑状态与第二逻辑状态的电阻值之间的电阻值。
17.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻器元件包含磁性隧道结(MTJ)元件，所述MTJ元件具有与其相关联的击穿电压，并且其中，响应于对MTJ元件施加大于击穿电压的电压，通过MTJ元件提供所述电短路。
18.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述电短路包含导电通孔元件，所述导电通孔元件延伸通过通孔洞并且与第二可变电阻器元件并联地电连接。
19.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述电短路包含第二位线到第二单元晶体管与第二可变电阻器元件之间的连接节点的连接。
20.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻器元件包含延伸通过通孔洞的导电通孔元件以提供电短路。