存储卡可为MMC卡、SD卡、多用途卡、微SD卡、记忆棒、紧凑SD卡、ID卡、PCMCIA卡、SSD卡、芯片卡、智能卡或USB卡。
[0084]参照图11，存储卡可包括:至少一个接口部分1221，其执行与外界的连接；存储器控制器1222，其具有缓冲存储器，并控制存储卡的操作；以及根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置1207。存储器控制器1222是一种可控制非易失性存储器装置1207的写操作和读操作的处理器。具体地说，存储器控制器1222通过数据总线DATA和地址总线ADDRESS连接至非易失性存储器装置1207以及接口部分1221。
[0085]图12是示出利用根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置的数字静物相机的相关部分的透视图。
[0086]参照图12，数字静物相机包括主体1301、插槽1302、镜头1303、显示单元1308、快门按钮1312和闪光灯1318。具体地说，存储卡1331可插入插槽1302中，并且存储卡1331可包括至少一个根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置1207。
[0087]如果存储卡1331是接触式的，则当将存储卡1331插入插槽1302中时存储卡1331与电路板上的特定电路电接触。如果存储卡1331是非接触式的，则存储卡1331通过无线信号执行通信。
[0088]图13 包括(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)、(h)、⑴、(j)，其不同地示出了可包括图11的存储卡或响应于图11的存储卡运行的特定电子装置。在各个实施例中，结合(a)摄像机、(b)电视接收器、(C)音频装置、(d)游戏机、(e)电子乐器、(f)蜂窝电话、(g)计算机、(h)个人数字助理、(i)语音记录器和(j)PC卡示出了存储卡1331。
[0089]图14是示出可包括根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置的图像传感器系统的框图。
[0090]参照图14，图像传感器系统可包括图像传感器1332、输入/输出装置1336、RAM1348、CPU 1344和根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置1354。各个组成元件，艮P，图像传感器1332、输入/输出装置1336、RAM 1348、CPU 1344和非易失性存储器装置1354通过总线1352彼此通信。图像传感器1332可包括感光元件，诸如光电门和光电二极管。各个组成元件可与处理器一起构造为一个芯片，或者可构造为与处理器分离的芯片。
[0091]本领域技术人员应该理解，在基本不脱离由权利要求限定的本发明构思的范围的情况下，可对示出的实施例作出许多改变和修改。
【主权项】
1.一种驱动非易失性存储器装置的方法，包括步骤: 通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后， 使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及 通过关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，关于所述非易失性存储器单元执行所述第一编程循环的步骤包括:利用第一组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第一组编程脉冲包括第一初始编程脉冲和第一最终编程脉冲，并且 关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环的步骤包括:利用与所述第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第二组编程脉冲包括第二初始编程脉冲和第二最终编程脉冲。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，利用第一增量步幅通过第一增量步脉冲编程限定所述第一组编程脉冲，并且 利用与所述第一增量步幅不同的第二增量步幅通过第二增量步脉冲编程限定第二组编程脉冲。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一增量步幅大于所述第二增量步幅。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一最终编程脉冲的电压电平。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一初始编程脉冲的电压电平。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移的步骤包括:对所述非易失性存储器单元执行弱擦除操作。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第一阈电压分布，所述第一阈电压分布具有第一宽度和第一平均阈电压电平，并且 所述非易失性存储器单元的阈电压的再次正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第二阈电压分布，所述第二阈电压分布具有小于所述第一宽度的第二宽度和低于所述第一平均阈电压电平的第二平均阈电压电平。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的漂移以及所述非易失性存储器单元的阈电压的再次漂移中的每一个使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着正向移动，并且 所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着负向移动。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器单元中的至少一个是电荷擷取闪存存储器单元。
11.一种驱动非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单元和共同连接至第二字线的第二非易失性存储器单元，所述方法包括步骤: 通过关于所述第一非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述第一非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第一等级；然后， 使所述第一非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第二等级；以及 通过关于所述第一非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述第一非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第三等级。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤: 通过关于所述第二非易失性存储器单元执行第三编程循环使所述第二非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第四等级；然后， 使所述第二非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第五等级；以及 通过关于所述第二非易失性存储器单元执行第四编程循环使所述第二非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第六等级。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一非易失性存储器单元设置在第一块中，所述第二非易失性存储器单元设置在与所述第一块不同的第二块中，并且 所述第二等级与所述第五等级不同。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一非易失性存储器单元是单层存储器单元，所述第二非易失性存储器单元是多层存储器单元，并且 所述第二等级与所述第五等级不同。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一非易失性存储器单元具有第一耗损级别，所述第二非易失性存储器单元具有与所述第一耗损级别不同的第二耗损级别，并且 所述第二等级与所述第五等级不同。
16.一种驱动非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括被配置为要根据多个阈电压分布进行编程的非易失性存储器单元，所述多个阈电压分布包括擦除电压分布和最高电压分布，其中，所述擦除电压分布与所述最高电压分布之间的电压范围限定了所述非易失性存储器单元的阈电压窗口，所述方法包括步骤: 关于所述非易失性存储器单元利用第一组编程脉冲执行第一编程循环以产生第一阈电压窗口 ；然后， 使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及 关于所述非易失性存储器单元利用与所述第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲执行第二编程循环，以产生比所述第一阈电压窗口窄的第二阈电压窗口。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，利用第一增量步幅通过第一增量步脉冲编程限定所述第一组编程脉冲，利用与所述第一增量步幅不同的第二增量步幅通过第二增量步脉冲编程限定所述第二组编程脉冲。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一增量步幅大于所述第二增量步幅。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移的步骤包括:对所述非易失性存储器单元执行弱擦除操作。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的漂移和所述非易失性存储器单元的阈电压的再次漂移中的每一个使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着正向移动，并且 所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着负向移动。
【专利摘要】本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。
【IPC分类】G11C16-06
【公开号】CN104637535
【申请号】CN201410643554
【发明人】郭东勋, 朴起台
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年11月6日
【公告号】US9147477, US20150131375