驱动非易失性存储器装置的方法
【专利说明】驱动非易失性存储器装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年11月11日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0136351的优先权，该申请的主题内容以引用方式并入本文中。
技术领域
[0003]本发明构思整体涉及一种驱动非易失性存储器装置的方法。
【背景技术】
[0004]特定非易失性存储器装置和系统中被编程的非易失性存储器单元的阈电压往往随时间而变化。这种不利结果有许多原因与环境因素、操作因素和用于制造非易失性存储器单元的材料的基本特性有关。
[0005]被编程的非易失性存储器单元的阈电压明显地随时间变化是不可接受的，这是因为所得“改变的”阈电压会被错误地解读，从而导致读数据错误。
【发明内容】
[0006]在一个实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤:通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。
[0007]在另一实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单元和共同连接至第二字线的第二非易失性存储器单元。该方法包括步骤:通过关于第一非易失性存储器单元执行第一编程循环使第一非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第一等级；然后，使第一非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第二等级；以及通过关于第一非易失性存储器单元执行第二编程循环使第一非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第三等级。
[0008]在另一实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该非易失性存储器装置包括被配置为要根据包括擦除电压分布和最高电压分布的多个阈电压分布进行编程的非易失性存储器单元，其中，擦除电压分布与最高电压分布之间的电压范围限定了非易失性存储器单元的阈电压窗口。该方法包括步骤:关于非易失性存储器单元利用第一组编程脉冲执行第一编程循环以产生第一阈电压窗口 ；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及关于非易失性存储器单元利用与第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲执行第二编程循环，以产生比第一阈电压窗口窄的第二阈电压窗口。
[0009]在例如电荷擷取闪存(charge trap flash，CTF)装置的闪速存储器装置中，在存储器层(例如，氮化物层)中俘获的电子可随时间不利地被重排。也就是说，期望阈电压分布会随时间而变化。本发明构思的特定实施例有效地解决了这个潜在问题。在以下描述中将在某种程度上阐述本发明构思的其他优点、目的和特征，并且通过对下文的研宄或者通过本发明构思的实施本领域普通技术人员将将在某种程度上清楚或习得这些优点、目的和特征。
【附图说明】
[0010]通过以下结合附图的详细描述，本发明构思的以上和其它目的、特点和优点将更加清楚，其中:
[0011]图1是示出的可根据本发明构思的实施例操作的通用存储装置的框图；
[0012]图2是在一个示例中进一步示出图1的非易失性存储器装置1100的框图；
[0013]图3是在一个示例中进一步示出图1的存储器控制器1200的框图；
[0014]图4是概括根据本发明构思的实施例的驱动非易失性存储器装置的方法的流程图；
[0015]图5包括(a)、(b)和(C)，其示出了由于图4的驱动方法导致的阈电压分布漂移；
[0016]图6包括(a)和(b)，其示出了可在图4的程序步骤中使用的多组可能的编程脉冲；
[0017]图7包括(a)、(b)和(C)，其进一步示出了图4的驱动方法；
[0018]图8包括(a)和(b)，示出了由根据本发明构思的特定实施例的驱动非易失性存储器装置的方法导致的分布；
[0019]图9包括(a)和(b)，进一步示出了根据本发明构思的特定实施例的驱动非易失性存储器装置的方法；以及
[0020]图10、图11、图12、图13和图14分别是示出可包含本发明构思的特定实施例的存储器系统和/或电子装置的示图。
【具体实施方式】
[0021]现在将参照附图通过一些额外的细节来描述本发明构思的特定实施例。然而，本发明构思可按照许多不同的形式实现，并且不应理解为仅限于示出的实施例。此外，提供这些实施例是为了使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明构思的范围。在整个撰写的说明书和附图中，相同的附图标记用于指示相同或相似的元件。
[0022]应该理解，当一个元件或部件被称作“位于”另一元件“上”时，所述一个元件或部件可直接“位于”另一元件“上”，或者可存在中间元件。相反，当一个元件被称作布置或设置为“直接位于”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
[0023]应该理解，除非本文另外指明或通过上下文清楚地相反定义，否则在描述本发明构思的上下文(尤其是在权利要求的上下文)中使用的术语“一个”、“一”、“该”和相似指示包括单数和复数两种形式。应该理解，除非另外指明，否则术语“包括”、“具有”、“包含”和“含有”是开放性术语(即，意指“包括，但不限于”)。
[0024]除非另外限定，否则本文中使用的所有技术术语和科学术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员之一通常理解的含义相同的含义。应该理解，除非另外指明，否则本文提供的任何和所有示例或示例性术语仅旨在更好地示出本发明构思，而非限制本发明构思的范围。另外，除非另外定义，否则在通用词典中定义的所有术语不应该被过于正式地解释。
[0025]图1是示出可根据本发明构思的实施例操作的存储装置的总框图。图2是在一个示例中进一步示出图1的非易失性存储器装置1100的框图。图3是在一个示例中进一步示出图1的存储器控制器1200的框图。
[0026]参照图1，存储装置1000通常包括非易失性存储器装置1100和存储器控制器
1200ο
[0027]存储器控制器1200连接在主机与非易失性存储器装置1100之间，并且被配置为响应于来自主机的一个或多个请求控制关于存储(正被存储)在非易失性存储器装置1100中的数据的各种存取操作。也就是说，存储器控制器1200被配置为至少控制关于非易失性存储器装置1100的一个或多个存储器单元的读操作、写操作和擦除操作。在这点上，存储器控制器1200被配置为非易失性存储器装置1100与主机之间的接口。
[0028]可利用硬件、软件和/或固件以不同方式实现存储器控制器1200提供的控制功能性。
[0029]可利用一种或多种非易失性存储器以不同方式实现非易失性存储器装置110，作为示例，所述一种或多种非易失性存储器包括闪速存储器(例如，电荷擷取闪存或CTF装置)、只读存储器(R0M)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电RAM(FRAM)和/或电阻式RAM(RRAM)。
[0030]存储器控制器1200和非易失性存储器装置1100可共同集成到各种类型的单个半导体装置或存储卡中，作为示例，半导体装置或存储卡包括个人计算机(PC)卡(诸如由个人计算机存储卡国际联合会提供的说明所述的那些)、紧凑式闪存(CF)卡、智能媒体卡(SM或SMC)、记忆棒、多媒体卡(MMC)(诸如RS-MMC或微型MMC)、安全数位(SD)卡(诸如迷你SD、微型SD或SDHC)、通用闪速存储装置(UFS)等。
[0031]在本发明构思的特定实施例中，存储器控制器1200和非易失性存储器装置1100可共同集成和合适地配置为提供固态驱动器(SSD)。在存储装置1000被配置为SSD的情况下，连接至存储装置1000的主机的操作速度可相对于例如常规存储装置(诸如硬盘驱动器(HDD))显著提高。
[0032]在本发明构思的其它实施例中，存储装置1000可被配置为适用于各种现代电子装置中的组成元件，所述现代电子装置诸如个人计算机(PC)、超级移动PC、工作站、上网本、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板、无线电话、移动电话、智能电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航装置、黑盒子、数码相机、三维(3D)电视接收器、数字音频记录器、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字视频记录器、数字视频播放器、能够在无线环境中发送/接收数据的通用装置、在家庭网络中配置的一个或多个装置、计算机网络、计算系统或车载资讯网络、或者射频识别装置(RFID)。
[0033]可利用各种类型的常规设置的封装技术将非易失性存储器装置1100和/或存储装置1000机械地安装和电连接。例如，非易失性存储器装置1100和/或存储装置1000可封装和安装为封装件层叠(PoP)、球栅阵列(BGA)、芯片尺寸封装(CS