3中显示了非易失存储器各存储区域经修复校验后的情况。对于非易失性存储器的各存储区域是否通过修复校验，需要执行步骤204。
[0042]步骤204、修复模块判断修复单元是否通过修复校验。
[0043]经过步骤203之后，执行本步骤，即修复模块判断修复单元是否通过修复校验。如果修复单元没有通过修复校验，则执行步骤205 ;如果修复单元通过修复校验，则执行步骤206。
[0044]在本实施例中，可选的，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压时，所述修复单元没有通过所述修复校验；当所述修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压时，所述修复单元通过所述修复校验；当所述修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
[0045]下面参照图3，对本步骤的修复单元是否通过修复校验来进一步描述。根据修复校验后所得的非易失性存储器各存储区域的情况，如果V1=O和V2=O,即修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压，在图3中对应位于直线％左侧的擦除单元，表明擦除单元通过修复校验，则执行步骤206 ;如果V1=I和V2=I,即修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压，在图3中对应位于直线Vv右侧的编程单元部分，表明这部分编程单元也通过了修复校验，则执行步骤206 ;如果V1=I和V2=O,即修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压，在图3中对应直线Vk和直线Vv之间的编程单元部分即阴影部分所示，表明这部分编程单元修复校验失败，则执行步骤205。
[0046]步骤205、修复模块对修复单元进行修复操作。
[0047]在步骤204中，如果非易失性存储器的修复单元没有通过修复校验，则修复模块对修复单元进行修复操作，在完成对修复单元的修复操作后，执行步骤206。
[0048]参见图3，需要进行修复操作的区域就是直线Vk和直线Vv之间的区域。在正常的存储单元中，也就是存储单元的阈值电压没有发生改变的情况下，相应地，编程单元会全部位于直线Vv右侧。因编程单元的内部缺陷或者宇宙射线等因素影响会造成其浮栅漏电，相应存储单元中的电子会不断跑掉，阈值电压会逐渐降低，随着时间的推移，编程单元会向横轴Vt的负方向移动，并会出现一部分编程单元位于直线Vk和直线Vv之间，参见图3中的阴影部分，这部分编程单元存储的数据由O变为I。修复操作就是使这部分位于直线Vk和直线Vv之间的编程单元的阈值电压提升，将所存储的数据由I变成0，最终使全部的编程单元位于图3中的直线Vv的右侧，从而完成修复操作。关于具体的修复操作，对本领域的技术人员是熟知的，在此不再赘述。
[0049]步骤206、修复模块根据预设的控制位对修复单元对应的修复地址进行递增或递减并得到下一次的修复地址，同时将下一次的修复地址保存在非易失性存储器所在芯片的锁存器中。
[0050]在步骤204中如果非易失性存储器的修复单元通过修复校验或在步骤205中修复模块完成对修复单元的修复操作后，修复模块根据预设的控制位对修复单元对应的修复地址进行递增或递减并得到下一次的修复地址，同时将下一次的修复地址保存在非易失性存储器所在芯片的锁存器中。保存完下一次的修复地址后，执行步骤207。
[0051]在本实施例中，可选的，当所述预设的控制位的值为I时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递增；当所述预设的控制位的值为O时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递减。此外，也可以设置控制位的值为O时修复模块对修复单元的修复地址进行递增，控制位的值为I时修复模块对修复单元的修复地址进行递减，或者也可以设置控制位的值为任意两个数，分别对应修复模块对修复单元的修复地址进行递增和递减。
[0052]如果以一个BLOCK作为修复单元为例，修复模块对修复地址进行递增或递减可以为每一次增加或减少一个BLOCK的地址，相应地对一个BLOCK执行修复操作；也可以为每一次增加或减少两个或更多个BLOCK的地址，相应地对两个或更多个BLOCK逐个地执行修复操作。因此，可以根据实际情况，预先设定修复地址进行递增或递减的规律。通过使修复单元对应的修复地址进行递增或递减，能够使修复地址覆盖非易失性存储器的所有存储空间的地址，从而实现对整个非易失性存储器的修复。
[0053]在本实施例中，每次执行完修复操作后，将下一次的修复地址保存在非易失性存储器所在芯片的锁存器中，因此，可以节省在非易失性存储器中存储修复地址所占的空间。
[0054]步骤207、关闭修复模块。
[0055]在步骤202中如果不执行对非易失性存储器的修复操作或者在步骤206中保存完下一次的修复地址后，则关闭非易失性存储器的修复模块。
[0056]综上所述，对于容量较小的非易失性存储器，在非易失性存储器持续工作不断电的情况下，重复足够多次上述步骤，可以非常方便地实现对整个非易失性存储器的修复。
[0057]本发明实施例提出的非易失性存储器的修复方法，通过在每次执行完修复操作后，将下一次的修复地址保存在非易失性存储器所在芯片的锁存器中，在不断电的情况下，下一次进行修复操作时从锁存器中读取该次的修复地址并对相应的修复单元进行修复操作，在断电前进行足够多的修复操作，对于容量较小的非易失性存储器，容易实现对整个非易失性存储器的修复，从而提高了非易失性存储器的数据保持力；此外，还可以节省存储修复地址所占的空间。
[0058]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种非易失性存储器的修复方法，其特征在于，包括: 开启所述非易失性存储器的修复模块； 所述修复模块判断是否执行对所述非易失性存储器的修复操作，如果不执行所述修复操作，则关闭所述修复模块； 如果执行所述修复操作，则所述修复模块对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验； 所述修复模块判断所述修复单元是否通过修复校验，如果没有通过所述修复校验，则所述修复模块对所述修复单元进行修复操作； 如果通过所述修复校验或在完成对所述修复单元的修复操作后，所述修复模块根据预设的控制位对所述修复单元对应的修复地址进行递增或递减并得到下一次的修复地址，同时将所述下一次的修复地址保存在所述非易失性存储器所在芯片的锁存器中； 关闭所述修复模块。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复模块首次进行修复校验时，所述非易失性存储器的修复单元为预设的初始修复地址对应的修复单元。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述非易失性存储器没有断电并且所述修复模块再次进行修复校验时，所述非易失性存储器的修复单元为所述下一次的修复地址对应的修复单元，其中，所述下一次的修复地址为上一次执行完对所述非易失性存储器的修复操作时所保存在所述锁存器中的修复地址。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，所述修复模块对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验的方式为所述修复模块将所述非易失性存储器的修复单元的阈值电压与所述修复校验的基准电压进行比较。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，所述修复校验的基准电压包括读电压和校验电压，其中，所述读电压小于所述校验电压。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，在所述修复模块进行修复校验时，先进行所述读电压的修复校验，再进行所述校验电压的修复校验。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压时，所述修复单元没有通过所述修复校验。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储器的修复方法，其特征在于，当所述预设的控制位的值为I时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递增； 当所述预设的控制位的值为O时，所述修复模块对所述修复单元的修复地址进行递减。
【专利摘要】本发明公开了一种非易失性存储器的修复方法，包括：开启非易失性存储器的修复模块；修复模块判断是否执行对非易失性存储器的修复操作，如果不执行修复操作，则关闭修复模块，否则，修复模块对非易失性存储器的修复单元进行修复校验；判断是否通过修复校验，如果没有，则修复模块对修复单元进行修复操作；如果通过修复校验或在完成对修复单元的修复操作后，修复模块根据预设的控制位对修复单元对应的修复地址进行递增或递减，得到下一次的修复地址并保存在非易失性存储器所在芯片的锁存器中；关闭修复模块。本发明对于容量较小的非易失性存储器，容易实现对其整体的修复，从而提高其数据保持力；此外，还节省了存储修复地址所占的空间。
【IPC分类】G11C29-44
【公开号】CN104681099
【申请号】CN201310624857
【发明人】胡洪, 舒清明, 苏如伟, 马英
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月27日