000可以包括:接口单元110、命令解码器120、存储体地址解码器130、存储体操作控制单元140、内部预充电信号发生单元150、存储体激活单元160和行地址锁存器单元170。
[0037]接口单元110可以接收来自外部器件的外部地址RA〈0:5>和时钟信号CLK。接口单元110锁存外部地址RA〈0:5>，并且输出用于识别命令的命令识别信号RCMD〈0:2>、第一存储体地址LARA〈15:18>和第一行地址TLA〈0:14>。
[0038]命令解码器120可以将从接口单元110传输的命令识别信号RCMD〈0: 2>解码，并且将包括第一激活信号ACT和预充电信号PCG的各种命令输出。
[0039]存储体地址解码器130可以将从接口单元110中输出的第一存储体地址LARA<15:18>和从存储体操作控制单元140中输出的第二存储体地址ILARA〈15:18>解码，并且输出存储体选择信号ΒΑΚ0:15>。存储体选择信号ΒΑΚ0:15>选择第一存储体ΒΑΝΚ0至第十六存储体BANK15之中要被激活的一个存储体。
[0040]存储体操作控制单元140可以接收来自命令解码器120的第一激活信号ACT、来自存储体地址解码器130的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>以及来自存储体激活单元160的存储体激活信号RACT〈0:15>。
[0041]存储体激活信号RACT〈0:15>可以表示与存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体是否被激活。存储体激活信号RACT〈0:15>可以从存储体激活单元160中输出。另外，存储体激活信号RACT〈0:15>可以当基于存储体选择信号ΒΑΚ0:15>选中的存储体执行激活操作时被激活，而当基于存储体选择信号ΒΑΚ0:15>选中的存储体执行预充电操作时被去激活。存储体操作控制单元140可以接收第一激活信号ACT和存储体信息，以及输出用于执行存储体的激活操作的激活操作信号ACTD、或者以第一延迟时间的间隔来输出用于执行存储体的预充电操作的隐含信号頂PRE和激活操作信号ACTD。存储体信息可以表示从存储体地址解码器130传输的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>。即，当与接收到的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体基于存储体激活信号RACT〈0:15>被确定成去激活时，存储体操作控制单元140可以将激活的激活操作信号ACTD输出至存储体激活器160和行地址锁存器170。当与接收到的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体基于存储体激活信号RACT〈0:15>被确定成被激活时，存储体操作控制单元140可以将激活的隐含信号頂PRE输出至内部预充电信号发生单元150，并且在经过第一延迟时间之后，存储体操作控制单元140可以将激活的激活操作信号ACTD输出至存储体激活单元160和行地址锁存器单元170。
[0042]即，存储体操作控制单元140可以基于从存储体激活单元160和存储体地址解码器130中输出的存储体激活信号RACT〈0:15>来判断从命令解码器120中输出的第一激活信号ACT是表示正常激活操作、还是表示伴随隐含预充电操作的激活操作。当基于存储体激活信号RACT〈0:15>确定出与存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体被去激活时，从命令解码器120中输出的第一激活信号ACT可以表示用于正常激活操作的命令。因此，存储体操作控制单元140可以将激活操作信号ACTD激活。当基于存储体激活信号RACT〈0:15>确定出与存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体被激活时，第一激活信号ACT可以是与当前激活的存储体相对应的激活命令，表示用于执行隐含预充电操作和后续的激活操作的命令。因此，存储体操作控制单元140可以将隐含信号頂PRE激活，并且在经过第一延迟时间之后将用于执行激活操作的激活操作信号ACTD激活。
[0043]隐含预充电操作是一种不是基于预充电命令、而是基于用于将包括在当前激活的存储体中的另一字线激活的激活命令来被执行的预充电操作。根据本发明的一个实施例，为了激活包括在当前激活的存储器中的与新的行地址相对应的字线，可以基于激活命令对字线执行预充电操作和激活操作，以及隐含预充电操作是一种基于所述一个激活信号执行的预充电操作。
[0044]隐含信号IMPRE可以是用于对与存储体选择信号ΒΑΚ0:15>相对应的存储体预充电的信号。另外，在隐含信号MPRE被激活时的时刻起经过第一延迟时间之后被激活的激活操作信号ACTD可以是用于在隐含预充电操作之后执行的激活操作的信号。在隐含信号IMPRE的输出与激活操作信号ACTD的输出之间的第一延迟时间是一个表示半导体存储器件的操作特性的AC参数，并且其可以表示从完成一个存储体的预充电操作的时刻至下一个激活操作开始的时刻变化的行预充电时间tRP。
[0045]另外，存储体操作控制单元140可以接收设置信号TRP〈0:4>。设置信号TRP〈0:4>可以设置第一延迟时间，即行预充电时间tRP。激活操作信号ACTD可以在隐含信号頂PRE被激活之后经过第一延迟时间时被激活。存储体操作控制单元140可以从接口单元110中接收第一存储体地址LARA〈15:18>和第一行地址TLA〈0:14>。存储体操作控制单元140可以接收第一存储体地址LARA〈15:18>，然后在经过第一延迟时间之后，存储体操作控制单元140可以将第二存储体地址LARA〈15:18>输出至存储体地址解码器130。存储体操作控制单元140可以接收第一行地址TLA〈0:14>，然后在经过第一延迟时间之后，存储体操作控制单元140可以将第二行地址ITLA〈0:14>输出至行地址锁存器单元170。第二存储体地址LARA〈15:18>和第二行地址ITLA〈0:14>可以与第一存储体地址LARA〈15:18>和第一行地址TLA〈0:14>相同，但是它们在延迟了第一延迟时间的时刻处输出。
[0046]S卩，当从命令解码器120中输出的第一激活信号ACT是用于正常激活操作的信号时，存储体地址解码器130可以基于从接口单元110中输出的第一存储体地址LARA〈15:18>来输出存储体选择信号ΒΑΚ0:15>。当从命令解码器120中输出的第一激活信号ACT是用于基于隐含信号頂PRE的隐含预充电操作之后执行的激活操作的信号时，存储体地址解码器130可以基于从存储体操作控制单元140输出的第二存储体地址ILARA〈15:18>来输出存储体选择信号BAI〈0:15〉。
[0047]随后，内部预充电信号发生单元150可以响应于隐含信号頂PRE来输出内部预充电信号INT_PRE。内部预充电信号发生单元150也可以响应于从命令解码器120中输出的预充电信号PCG来输出内部预充电信号INT_PRE。内部预充电信号发生单元150可以接收从命令解码器120中输出的预充电信号PCG、从存储体操作控制单元140中输出的隐含信号IMPRE,以及从存储体地址解码器130中输出的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>。内部预充电信号发生单元150可以接收隐含信号頂PRE和存储体选择信号ΒΑΚ0:15>，并且产生用于隐含预充电操作的内部预充电信号INT_PRE。此外，内部预充电信号发生单元150可以接收预充电信号PCG和存储体选择信号BAI〈0:15>，并且产生用于预充电操作的内部预充电信号INT_PRE0
[0048]存储体激活单元160可以响应于内部预充电信号INT_PRE来将激活的存储体去激活，或者响应于激活操作信号ACTD来将去激活的存储体激活。存储体激活单元160可以接收从存储体操作控制单元140输出的激活操信号ACTD、从内部预充电信号发生单元150中输出的内部预充电信号INT_PRE、以及从存储体地址解码器130中输出的存储体选择信号ΒΑΚ0:15>。存储体激活单元160可以接收激活操作信号ACTD，并且将存储体激活信号RACT<0:15>激活。此外，存储体激活单元160可以接收来自内部预充电信号发生单元150的内部预充电信号INT_PRE，并且将存储体激活信号RACT〈0:15>去激活。
[0049]行地址锁存器单元170可以接收从存储体操作控制单元140中输出的激活操作信号ACTD、从接口单元110中输出的第一行地址TLA〈0:14>和从存储体操作控制单元140中输出的第二行地址ITLA〈0:14>。行地址锁存器单元170可以响应于激活操作信号ACTD来锁存第一行地址TLA〈0:14>并输出行选择信号ATR0W〈0:14>、或者锁存第二行地址ITLA<0:14>并输出所述行选择信号ATR0W〈0:14>。
[0050]此后描述的是半导体存储器件1000的操作。
[0051]存储体操作控制单元140可以接收从命令解码器120中输出的第一激活信号ACT。存储体操作控制单元140可以基于存储体激活信号RACT〈0:15>和存储体选择信号ΒΑΚ0:15>来输出隐含信号IMPRE或者激活操作信号ACTD。例如，在存储体激活信号RACT<0>被去激活的同时，第一存储体基于存储体选择信号ΒΑΙ〈0&