入锁存数据变成“L”电平。另外，闪存定序器7在图10的写入锁存电路54Ni中将锁存置高信号设定成“L”电平，并将锁存置低信号设定成“H”电平。由此，节点NDNl的数据即写入锁存数据变成“L”电平(步骤S102)。
[0139]然后，闪存定序器7设定成写入模式(步骤S103)。
[0140]接着，闪存定序器7对擦除对象区域的所有双单元施加写入用的电压。即，闪存定序器7将存储栅极MG的电压设定为1V，将源极线SL的电压设定为6V，将控制栅极CG的电压设定为1.5V。
[0141]在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图9的写入锁存电路54Pi中，主位线WMBLjP与接地电压Vss连接，并向主位线WMBL_iP流过写入电流。由此，向与主位线丽BL_iP连接的副位线SBL_iP、SBL_i+4P流过写入电流。
[0142]另外，在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图1O的写入锁存电路54Ni中，主位线WMBL_iN与接地电压Vss连接，并向主位线WMBL_iN流过写入电流。由此，向与主位线WMBL_iN连接的副位线SBL_i N、SBL_i+4N流过写入电流。
[0143]以上的结果是，使得擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth增加(步骤S104)o
[0144]接着，进行写入验证检查。即，验证读出放大器正单元MCl的阈值电压Vth比写入验证电平WREV大的情况下输出“L”电平的信号。验证读出放大器VSA_r^E负单元MC2的阈值电压Vth比写入验证电平WREV大的情况下输出“L”电平的信号。
[0145]异或门EX0R_P输出验证读出放大器VSA_P的输出、和从写入锁存电路54Pi向信号线PSL输出的写入锁存数据“O”的异或运算结果。异或门EX0R_P的输出OUTl通过外设数据总线roUS_D向闪存定序器7发送。输出OUTl在正单元MCl的阈值电压Vth比写入验证电平WREV大的情况下变成“H”电平。
[0146]异或门EX0R_r^t出验证读出放大器VSA_N的输出、和从写入锁存电路54Ni向反转信号线NSL输出的写入锁存数据“O”的异或运算结果。异或门EX0R_N的输出0UT2通过外设数据总线roUS_D向闪存定序器7发送。输出0UT2在负单元MC2的阈值电压Vth比写入验证电平WREV大的情况下变成“H”电平(步骤S105)。
[0147]在擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth不比写入验证电平WREV大的情况下(步骤S106中为否)，闪存定序器7维持写入模式。即，重复执行步骤S104和S105的处理。
[0148]在擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth比写入验证电平WREV大的情况下(步骤S106中为是)，闪存定序器7对下一个擦除处理进行控制(步骤S107)。
[0149]图13是表示双单元数据的擦除处理的步骤的流程图。
[0150]闪存定序器7设定成擦除模式(步骤S801)。
[0151]接着，闪存定序器7对擦除对象区域中包含的所有双单元施加擦除用的电压。即，闪存定序器7将存储栅极MG的电压设定为10V，将源极线SL的电压设定为6V，将控制栅极CG的电压设定为1.5V(步骤S802)。
[0152]接着，进行擦除验证检查。即，验证读出放大器ESA_Pi在正单元MCl的阈值电压Vth比擦除验证电平EREV小的情况下输出“H”电平的信号。验证读出放大器ESA_Ni在负单元MC2的阈值电压Vth比擦除验证电平EREV小的情况下输出“H”电平的信号。
[0153]与门LGi将验证读出放大器ESA_P i的输出与验证读出放大器ESA_Ni的输出的与运算结果输出。与门LGA将与门LGO?LGM的输出的与运算结果输出。与门LGA的输出0UT4通过外设数据总线PBUS_D向闪存定序器7发送。输出0UT4在擦除对象区域中包含的所有正单元MCl的阈值电压Vth比擦除验证电平EREV小、且擦除对象区域中包含的所有负单元MC2的阈值电压Vth比擦除验证电平EREV小的情况下变成“H”电平(步骤S803)。
[0154]在擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth不比擦除验证电平EREV小的情况下(步骤S804中为否)，闪存定序器7维持擦除模式。即，重复执行步骤S802和S803的处理。
[0155]在擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth比擦除验证电平EREV小的情况下(步骤S804中为是)，闪存定序器7结束擦除处理。
[0156]图14是表示第二实施方式中的、基于双单元数据的擦除的正单元MCl与负单元MC2的阈值电压Vth的变化的例子的图。
[0157]图14的(a)是双单元数据为“I”的情况的例子。
[0158]通过第一阶段的向有验证双单元的写入，使得正单元MCl和负单元MC2的阈值电压Vth增加。由于负单元MC2的阈值电压Vth达到了饱和电平，所以增加量很少。
[0159]在此，由于进行写入验证，所以正单元MCI的阈值电压Vth变得比写入验证电平WREV大，与负单元MC2的阈值电压Vth之差变得非常小。由此，在第二阶段的擦除处理后的空白擦除状态下，正单元MCl与负单元MC2的阈值电压Vth之差变得非常小。其结果是，能够防止读取出双单元数据擦除前双单元保存的数据“I”。
[0160]图14的(b)是双单元数据为“O”的情况的例子。
[0161]通过第一阶段的向有验证双单元的写入，使得正单元MCl和负单元MC2的阈值电压Vth增加。由于正单元MCl的阈值电压Vth达到了饱和电平，所以增加量很少。在此，由于进行写入验证，所以负单元MC2的阈值电压Vth变得与写入验证电平WREV大，与正单元MCl的阈值电压Vth之差变得非常小。由此，在第二阶段的擦除处理后的空白擦除状态下，正单元MCl与负单元MC2的阈值电压Vth之差变得非常小。其结果是，能够防止读取出双单元数据擦除前双单元保存的数据“O”。
[0162]如上所述，根据本实施方式，当接收到双单元数据的擦除要求后，在使双单元的阈值电压减少之前，使双单元的阈值电压增加以便于超过写入验证电平。由此，能够使得在使双单元的阈值电压减少后的双单元的阈值电压与双单元数据擦除前的写入状态不相关，从而能解决双单元数据擦除前的写入状态被读取出这个安全上的问题。
[0163][第三实施方式]
[0164]图15是表示第三实施方式的双单元数据的擦除处理的步骤的流程图。
[0165]首先，闪存定序器7设定擦除对象区域(步骤S201)。
[0166]接着，闪存定序器7对步骤S202?S205的无验证双单元的写入进行控制。
[0167]闪存定序器7将向擦除对象区域中包含的所有双单元(正单元MCl和负单元MC2)写入的写入锁存数据设定为“O” ο具体来说，闪存定序器7在图9的写入锁存电路54Pi中将锁存置高信号设定成“L”电平，并将锁存置低信号设定成“H”电平。由此，节点NDPl的数据即写入锁存数据变成“L”电平。另外，在图10的写入锁存电路54M中将锁存置高信号设定成“L”电平，并将锁存置低信号设定成“H”电平。由此，节点NDNl的数据即写入锁存数据变成“L”电平(步骤 S202)。
[0168]然后，闪存定序器7设定成写入模式(步骤S203)。
[0169]接着，闪存定序器7对擦除对象区域的所有双单元施加写入用的电压。即，闪存定序器7将存储栅极MG的电压设定为1V，将源极线SL的电压设定为6V，将控制栅极CG的电压设定为1.5V。在此，还可以与上述说明的预写同样地，通过使所施加的电压变得比通常写入用的电压小、或者使施加写入脉冲WPLS的期间缩短，来进行比在通常写入时弱的写入。在预写中，阈值电压小的存储单元的阈值电压增加量变得比在通常写入时的阈值电压Vth的增加量小。
[0170]在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图9的写入锁存电路54Pi中，主位线WMBLjP与接地电压Vss连接，并向主位线WMBL_iP流过写入电流。由此，向与主位线丽BL_iP连接的副位线SBL_iP、SBL_i+4P流过写入电流。
[0171]另外，在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图1O的写入锁存电路54Ni中，主位线WMBL_iN与接地电压Vss连接，并向主位线WMBL_iN流过写入电流。由此，向与主位线WMBL_iN连接的副位线SBL_i N、SBL_i+4N流过写入电流。
[0172]以上的结果是，使得擦除对象区域中包含的所有双单元的阈值电压Vth增加(步骤S204)o
[0173]接着，在步骤S204的处理进行了两次之后(步骤S205中为是)，闪存定序器7对接下来的步骤S206?S209的无验证的负单元写入进行控制。
[0174]闪存定序器7将向擦除对象区域中包含的负单元MC2写入的写入锁存数据设定为“O”，并将向正单元MCl写入的写入锁存数据设定为“I”。具体来说，闪存定序器7在图9的写入锁存电路54Pi中将锁存置高信号设定成“H”电平，并将锁存置低信号设定成“L”电平。由此，节点NDPl的数据即写入锁存数据变成“H”电平。另外，闪存定序器7在图10的写入锁存电路54M中将锁存置高信号设定成“L”电平，并将锁存置低信号设定成“H”电平。由此，节点NDNl的数据即写入锁存数据变成“L”电平(步骤S206)。
[0175]然后，闪存定序器7设定成写入模式(步骤S207)。
[0176]接着，闪存定序器7对擦除对象区域的所有双单元施加写入用的电压。即，闪存定序器7将存储栅极MG的电压设定为1V，将源极线SL的电压设定为6V，将控制栅极CG的电压设定为1.5V。在此，还可以与上述说明的预写同样地，通过使所施加的电压变得比通常写入用的电压小、或者使施加写入脉冲WPLS的期间缩短，来进行比在通常写入时弱的写入。
[0177]在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图9的写入锁存电路54Pi中，主位线WMBLjP与电源电压VDD连接，但不向主位线WMBL_iP流过写入电流。由此，不向与主位线WMBL_iP连接的副位线SBL_iP、SBL_i+4P流过写入电流。
[0178]另外，在写入脉冲WPLS被激活后的期间，在图1O的写入锁存电路54Ni中，主位线WMBL_iN与接地电压Vss连接，并向主位线WMBL_iN流过写入电流。由此，向与主位线WMBL_iN连接的副位线SBL_i N、SBL_i+4N流过写入电流。
[0179]以上的结果是，使得擦除对象区域中包含的所有负单元MC2的阈值电压Vth增加(步骤 S208)。
[0180]接着，在步骤S208的处理进行了两次之后(步骤S209中为是)，闪存定序器7对接下来的擦除处理进行控制(步骤S107)。
[0181]图16是表示第三实施方式中的、基于双单元数据的擦除的正单元MCl与负单元MC2的阈值电压Vth的变化的例子的图。
[0182]图16的(a)是双单元数据为“I”的情况的例子。
[0183]通过第一阶段前半部分的向无验证双单元的写入，使得正单元MCl和负单元MC2的阈值电压Vth增加。进一步地，通过第一阶段后半部分的向无验证的负单元MC2的写入，使得负单元MC2的阈值电压Vth进一步增加，但由此，使得正单元MCl的阈值电压Vth与负单元MC2的阈值电压Vth之差扩大。因此，在擦除处理后的空白擦除