专利名称：一种白光有机电致发光器件的制备方法
技术领域：
本发明属于平板显示/照明技术领域，涉及一种白光有机电致发光器件的制备方法。
背景技术：
有机电致发光器件是指在电场驱动下，电子、空穴分别由器件的阴极、阳极注入到器件中，电子、空穴在器件的发光层内或界面处相遇复合通过发光的方式辐射能量。有机电致发光器件目前的主要应用领域为平板显示领域及平面照明领域。 为了简化有机电致发光器件的制造工艺、降低有机电致发光器件的制造成本、提高有机电致发光器件的良品率，目前采用白光加彩色滤光膜的技术来实现全彩色有机电致发光显示(简称0LED)成为当前OLED显示器件研究的重要技术方向之一。白光有机电致发光器件是该技术制备全彩色0LED显示器件的关键，白光有机电致发光器件的亮度、发光效率、色纯度、寿命等技术指标直接影响全彩色OLED显示器件的品质。此外，具有良好平面照明特性的白光有机电致发光器件受到了国内外的高度重视。由此，制备具有高亮度、高发光效率、长寿命的白光有机电致发光器件为目前的重点研究内容。
发明内容
本发明提出一种白光有机电致发光器件的制备方法，采用该方法制备的白光有机电致发光器件可用来制备白光+彩色滤光膜(CF)型OLED全彩平板显示器件或平面照明光源。本发明的白光有机电致发光器件的制备方法是， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0. l-30nm的硫化锌薄膜； (2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为0. 1-1. 5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10_50nm ;所述NPB为N， N'-双(l-萘基)-N，N' -二苯基-l，l' -二苯基_4，4' -二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝，制备厚度为3-15nm的发光层，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝占NPB的质量百分含量为0. 5-1. 5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基喹啉铝的沉积速率为0. 1-1. 5nm/s，电子传输层厚度为5-20nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为0. 1-10. Onm/s，阴极材料LiF的厚度为0. l-5nm，阴极材料Al的厚度为50-300nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。所述步骤(1)中硫化锌薄膜厚度为O. lnm、0. 5nm、1. 5nm、10nm、15nm、20nm或30nm。
所述步骤(2)中NPB沉积速率为0. lnm/s、0. 5nm/s、1. Onm/s或1. 5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10nm、20nm、30nm、40nm或50nm。 采用本发明制备的白光有机电致发光器件具有工艺简单、易控，制造成本低，亮度 高及发光效率高，长寿命的特点。
具体实施例方式
实施例1 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0. lnm的硫化锌薄膜；
(2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉 积速率为1. 5nm/s， NPB空穴传输层厚度为10_50nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)-N， N' -二苯基-l，l' -二苯基-4，4' -二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为3nm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5%，8_羟基喹啉铝占NPB 的质量百分含量为0.5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为0. lnm/s，电子传输层厚度为5nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为0. lnm/s，阴极材料LiF的厚度为0. lnm，阴极材料 Al的厚度为50nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。
实施例2 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为30nm的硫化锌薄膜；
(2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积 速率为1. 5nm/s， NPB空穴传输层厚度为50nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)-N， N' - 二 苯基-l，l'-二苯基-4，4'-二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为15nm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝 占NPB的质量百分含量为1. 5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为1. 5nm/s，电子传输层厚度为20nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为10. Onm/s，阴极材料LiF的厚度为5nm，阴极材料Al 的厚度为300nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。
实施例3 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为10nm的硫化锌薄膜；
(2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为lnm/s， NPB空穴传输层厚度为20nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)_N， N' - 二 苯基-l，l'-二苯基-4，4'-二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为lOnm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝 占NPB的质量百分含量为1% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为lnm/s，电子传输层厚度为15nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为5nm/s，阴极材料LiF的厚度为2. 5nm，阴极材料Al 的厚度为100nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。 以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定
本发明的具体实施方式
仅限于此，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱 离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本发明由所
提交的权利要求书确定专利保护范围。
权利要求
一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于(1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0.1-30nm的硫化锌薄膜；(2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10-50nm；所述NPB为N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺；(3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8-羟基喹啉铝，制备厚度为3-15nm的发光层，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0.5-1.5％，8-羟基喹啉铝占NPB的质量百分含量为0.5-1.5％；(4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基喹啉铝的沉积速率为0.1-1.5nm/s，电子传输层厚度为5-20nm；(5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为0.1-10.0nm/s，阴极材料LiF的厚度为0.1-5nm，阴极材料Al的厚度为50-300nm；(6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。
2. 如权利要求1所述一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于所述步骤(1) 中石1H七锌薄月莫厚度为0. lnm、0. 5nm、1. 5nm、 10nm、 15nm、20nm或30nm。
3. 如权利要求1所述一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于所述步骤(2) 中NPB沉积速率为O. lnm/s、0. 5nm/s、1. Onm/s或l. 5nm/s， NPB空穴传输层厚度为10nm、20nm、30nm、40nm或50nm。
全文摘要
本发明公开了一种白光有机电致发光器件的制备方法，(1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0.1-30nm的硫化锌薄膜；(2)在硫化锌薄膜上制备NPB空穴传输层；(3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上制备发光层；(4)在发光层上制备电子传输层；(5)在电子传输层上制备LiF/Al混合阴极；(6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。采用本发明制备的白光有机电致发光器件具有工艺简单、易控，制造成本低，亮度高及发光效率高，长寿命的特点。
文档编号H01L51/50GK101740729SQ20091025452
公开日2010年6月16日 申请日期2009年12月25日 优先权日2009年12月25日
发明者张志刚, 陶淳 申请人:彩虹集团公司