专利名称：一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域：
本发明属于电光源技术领域，具体的说是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术：
电光源行业一直是世界各国竞相研究的热点，在世界经济中占据着非常重要的地位。目前广泛使用的光源为气体放电光源，这种光源的原理是将灯的内部经抽真空后充入含汞的混合气体，利用气体放电发光或气体放电产生的紫外光激发荧光粉发光。然而，气体放电光源的脉冲光闪容易导致人视觉疲劳，而且汞污染环境，随着社会和科技的进步，研究开发节能又环保的绿色光源来替代传统光源，成为各国竞相研究的重要课题。有机电致发光器件是电光源中的一种。1987年，美国festman Kodak公司的 C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层小分子有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV 下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1. 511m/W、寿命大于100小时。1990年，英国剑桥大学Burronghes等人首次提出用高分子共轭聚合物聚苯撑乙烯(PPV)制成聚合物电致发光 (EL)器件，随后，美国加洲大学Heeger教授领导的实验组于1991年进一步确证了聚合物电致发光特性，并进行了改进。从此有机发光器件的研究开辟了一个全新的领域-聚合物电致发光器件(PLED)。自此，有机发光二极管在短短的十几年内得到了迅速的发展。OLED按按光的取出方式可分为底发射型和顶发射型，顶发射型有机电致发光器件的光是从顶端取出，为了使光的取出效率达到最大，因此器件一般采用反射率较高的金属作为底面反射镜，而顶端则为便于光取出的透明或半透电极，但是，由于部分光发射到底端，总是存在一定的底端出射光损耗，主要是由于折射所引起的。因此，如何减少光的折射和增强光的反射，是目前急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种发光亮度和效率高的有机电致发光器件；以及，上述有机电致发光器件的制备方法。为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下一种有机电致发光器件，包括一基底；一阳极，其结合在所述基底的一个表面上；一光散射层，其结合在所述阳极的与所述基底相对的表面上；一有机电致发光结构，其结合在所述光散射层的与所述阳极相对的表面上；一阴极，其结合在所述有机电致发光结构的与所述光散射层相对的表面上。以及，一种有机电致发光器件制备方法，包括如下步骤
提供基底；在所述基底上镀阳极；在所述阳极的与所述基底相对的表面镀光散射层；在所述光散射层的与所述阳极相对的表面镀有机电致发光结构；在所述有机电致发光结构的与所述光散射层相对的表面镀阴极，得到所述的有机电致发光器件。本发明有机电致发光器件在其结构中增设有光散射层，该光散射层能有效的减小有机电致发光器件所发出光的全反射的临界角，当将光散射层与阳极结合后，显著减少射向该光散射层界面的光发生折射现象，使有机电致发光器件所发出光的在该光散射层界面发生全反射，使发生全反射的光返回从有机电致发光器件顶端的出光面射出，从而显著增强了本发明有机电致发光器件的发光亮度和效率，同时，光散射层还能有效的使光在其界面发生散射效应，进一步减少射向该光散射层的光发生折射，提高对光的提取率，从而进一步增强了本发明有机电致发光器件发光亮度和效率。该有机电致发光器件制备方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。
图1是本发明实施例的有机电致发光器件一种结构示意图；图2是本发明实施例的有机电致发光器件另一种结构示意图；图3是本发明实施例的有机电致发光器件发出的光在光散射层发生全反射的示意图；图4是有机电致发光器件结构中没有设置光散射层时光在阳极界面发生反射和折射的示意图；图5是本发明实施例的有机电致发光器件制备方法的流程示意图；图6是本发明实施例1制备的有机电致发光器件(其结构为普通玻璃/Ag/Ti02/ Mo03/TPD/AlQ3/PBD/LiF/Ag)与不加TiO2的光散射层3结构有机电致发光器件(其结构为 普通玻璃/Ag/Mo03/TPD/AlQ3/PBD/LiF/Ag)的亮度与电压关系图。
具体实施例方式为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。本发明实施例有机电致发光器件(OLED)的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活， 产生光子，释放光能。当发出的光射向基底时，光会在基底或/和与基底结合的阳极界面发生折射和反射，发生折射的光造成有机电致发光器件射出光的损耗，而发生反射的光反射至有机电致发光器件顶端的出光面射出，能增强有机电致发光器件的发出光的取光效率。 因此，改变光发生折射的界面特性，使原发生折射光射向该界面后发生全反射或反射，从而能进一步增强有机电致发光器件的发出光的取光效率。本发明实施例依据上述原理提供一种发光亮度和效率高的有机电致发光器件。如图1、2所示，其包括一基底1 ；一阳极2，其结合在基底1的一表面上；一光散射层3，其结合在阳极2的与基底1相对的表面上；一有机电致发光结构4，其结合在光散射层3的与阳极 2相对的表面上；一阴极5，其结合在有机电致发光结构4的与光散射层3相对的表面上。 这样，本发明实施例有机电致发光器件在其结构中增设有光散射层3，该光散射层3能有效的减小有机电致发光器件所发出光的全反射的临界角，当将光散射层3与阳极2结合后，显著减少射向该光散射层3界面的光发生折射现象，使有机电致发光器件所发出光的在该光散射层3界面发生全反射，发生全反射的光返回从有机电致发光器件顶端的出光面射出， 从而显著增强了本发明有机电致发光器件的发光亮度和效率，同时，光散射层3还能有效的使光在其界面发生散射效应，进一步减少射向该光散射层3的光发生折射，提高对光的提取率，从而进一步增强了本发明有机电致发光器件发光亮度和效率。具体地，上述基底1的材质优选为铟锡氧化物(ITO)玻璃、掺氟的氧化锡(FTO)玻璃、掺铝的氧化锌(AZO)玻璃、掺铟的氧化锌(IZO)玻璃、普通玻璃或石英。其中，玻璃如普通玻璃等，基底1没有特别限制，如可以采用本领域基底常用的厚度均可实现，该基底1的存在能有效的提高本发明有机电致发光器件的机械强度。阳极2的材质优选为金(Au)、银 (Ag)或铝(Al)，其厚度优选为40 SOnm ；阴极5的材质优选为金(Au)、银(Ag)、钼(Pt)或铝(Al)其厚度优选为10 30nm。该材质作为阳极2和阴极5，能有效的降低电极的电阻， 降低电极的放热与增强电极的散热性能，其中，阳极2还能有效的起到镜面反射的作用，将少量的通过光散射层3光反射至有机电致发光器件的出面处，其厚度还能有效的降低光的透过性，效阻止光的穿透，并将光反射至阴极5，从而增强本实施例有机电致发光器件的发光强度和亮度，因此，该阳极2也称为反射电极；阴极5还能有效的形成出光面，使有机电致发光器件发出的光射出，阴极2能有效保证光的穿透，也称为透明电极。具体地，上述光散射层3的材质优选为Ti02、ZnO, MgO、CaO或Al2O3，该光散射层3 的材质优选为颗粒层结构，该颗粒粒径优选为20 200nm。光散射层3厚度优选为50 200nm。该材质和厚度的光散射层3能有效的增大对光的折射率n，相应的减小对光发生全反射的临界角β，从而减少射向光散射层3的光在光散射层3界面发生折射现象，增加光在光散射层3界面发生反射现象，从而减少光阴发生折射而造成的损失。例如，当光散射层3 的材质为TW2时，见图3所示，由于TW2折射率(n = 2. 5 2. 7)，根据公式sin β = 1/ η(β为光发生全发射的临界角，η为折射率)，当η增大时，光发生全反射的临界角β相对较小，因此，当入射角θ大于临界角β时，则更多的光线会发生全反射现象，光的折射损失就大大的减少了，光提取率增大，直接表现在器件的亮度和效率得到明显的提高。同时，由于纳米级的TW2是颗粒状的，比表面积较大，可以很好的进行光的散射，进一步提高光的提取率。如果有机电致发光器件结构中没有设置光散射层3时，当光线射向阳极2界面时， 由于阳极层2的折射率η相对较小，就导致临界角β较小。当射向阳极2界面的入射光的入射角θ小于临界角β时，入射光就会在阳极2界面发生折射现象，见图4所示，其折射角为α。具体地，上述有机电致发光结构4包括发光层；该发光层与光散射层之间优选具有空穴注入层、空穴传输层中的至少一种，和/或所述发光层与阴极之间优选具有电子传输层、电子注入层中的至少一种。因此，有机电致发光结构4优选具有以下结构有机电致发光结构4包含依次结合的空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45，其中，该空穴注入层41结合在上述光散射层3的与阳极2相对的表面上，该电子注入层45与上述阴极5结合，如图1所示；或者，上述的有机电致发光结构4只包含发光层43，该发光层43 —面与阴极5结合，相对的另一面与光散射层3结合；或者包含依次结合的电子传输层44、发光层43、空穴传输层42、空穴注入层41，该电子传输层44与阴极5结合，空穴注入层41与光散射层3结合；或者包含依次结合的发光层43、空穴传输层 42，该发光层43与阴极结合，空穴传输层42与光散射层3结合；或者包含依次结合的发光层43、空穴传输层42、空穴注入层41，该发光层43与阴极5结合，空穴注入层41与光散射层3结合，图2所示；或者包含依次结合的电子传输层44、发光层43、空穴注入层41，该电子传输层44与阴极5结合，空穴注入层41与光散射层3结合。这些层结构的有机电致发光结构3也能实现本实施例的有机电致发光器件。由于有机电致发光器件在发光过程中， 空穴和电子的传输速率不一致，往往导致了电子-空穴的复合几率偏低，有机电致发光器件的亮度与效率得不到提高。因此，该空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45的设置，有效的调节电子和空穴的注入和传输速率，平衡载流子，控制复合区域，以获得理想的发光亮度和发光效率，同时，还使得本发明实施例有机电致发光器件不但保证了有机功能层与电极5和光散射层3间的良好附着性，而且还使得来自阳极和金属阴极的载流子更容易的注入到有机功能薄膜中。例如，空穴注入层41优选为过渡金属氧化物，这种材料与有机空穴传输层42能级比较匹配，使得阳极2的空穴注入得到了明显的加强，有效的调节电子和空穴的注入和传输速率，平衡载流子，控制复合区域，使本发明实施例有机电致发光器件获得了理想的发光亮度和发光效率。进一步的，空穴注入层41的厚度优选为20 80nm，其材质优选为过渡金属氧化物，更优选为Mo03、WO3> VOx或W0X。空穴传输层42厚度优选为20 80nm，其材质优选为空穴传输层采用的是N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(TPD)、 N，N，-(1-萘基)_N，N，- 二苯基-4，4，-联苯二胺(TPD)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)、酞菁铜CuPc或P型掺杂无机半导体中的至少一种。发光层43的厚度优选为20 80nm，其材质优选为四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 - β -亚萘基蒽(AND)、二甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BAIjQ)、4- ( 二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)或8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种。电子传输层44的厚度优选为20 80nm，其材质优选为2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8_羟基喹啉铝仏193)、2，5-(1-萘基)-1，3，4-二唑 (BND) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)、喹喔啉衍生物(TPQ)或 η型掺杂无机半导体中的至少一种。电子注入层45的厚度优选为20 80nm，其材质优选为Li02、Cs2O, A1203、LiBO2, K2SiO3、氯化物或碱土金属氟化物，其中，碱土金属氟化物可以是 NaF, CsF、CaF2^MgF2, LiF,氯化物可以是 NaCl、KCl、RbCl。本发明实施例依据上述原理还提供了上述有机电致发光器件的制备方法，该方法工艺流程图如图5所以示，同时参见图1或2，该方法包括如下步骤
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Si.提供基底1 ；S2.在基底1的一表面上镀阳极2 ；S3.在阳极2与基底1相对的表面上镀光散射层3 ；S4.在光散射层3与阳极2相对的表面上镀有机电致发光结构4 ；S5.在有机电致发光结构4与光散射层3相对的表面上镀阴极5，得到所述的有机电致发光器件。具体地，上述有机电致发光器件制备方法的Sl步骤中，基底1的结构、材质及规格如上所述，为了篇幅，在此不再赘述。该基底1还包括对其前置处理，该前置处理方式包括清洗、氧等离子处理等。其中，清洗方式优选为依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，以彻底清除导电基底1表面的异物，使导电基底1表面最大程度的清洁 ’导电基底1经清洗处理后，再进行氧等离子处理，该氧等离子处理氧等离子处理的时间优选为5-15min，功率优选为10-50W，其主要作用是减小导电玻璃表面的粗糙度和接触角，以利于改善导电玻璃表面的湿润性和吸附性，而且通过表面处理后能够进一步去除其表面的有机污染物。该导电基底1的制备方法是在衬底11表面上镀一层导电层12，镀导电层12的方式包括蒸镀、溅射或喷镀等方式。其中，衬底11优选进行前述的前置处理，如清洗处理和氧等离子处理。上述有机电致发光器件制备方法的S2步骤中，镀阳极2的方式优选为蒸镀、溅射或喷镀。阳极2的材质以及镀的厚度以在上文中阐述，在此不再赘述。上述有机电致发光器件制备方法的S3步骤中，镀光散射层3的方式优选为蒸镀、 溅射或喷镀。光散射层3的材质以及镀的厚度已在上文中阐述，在此不再赘述。上述有机电致发光器件制备方法的S4步骤中，镀有机电致发光结构4的方式优选为蒸镀、溅射、喷镀或化学沉积方式。如当该有机电致发光结构3优选包含依次结合的空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45时，采用蒸镀、溅射、 喷镀或化学沉积方式在阳极2上依次镀上空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45。其中，蒸镀、溅射、喷镀或化学沉积方式任意一种均可以形成上述空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45。有机电致发光结构4的结构等情况以在上文中阐述，在此不再赘述。上述有机电致发光器件制备方法的S5步骤中，镀阴极5的方式如同镀阳极2的方式，阴极5的厚度材质如上所述。该有机电致发光器件制备只需要在导电基底1上依次镀上各层结构就可获得最终产品，方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。现结合具体实例，对本发明进行进一步详细说明。实施例1本实施例的有机电致发光器件结构如图1所示，该有机电致发光器件包括依次结合的基底1、阳极2、光散射层3、空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44和电子注入层45和阴极5。其中，基底1的为200nm厚(下同)的普通玻璃，阳极2为40nm 厚的Ag层，光散射层3为厚度为lOOnm、粒径为20nm的TiO2层，空穴注入层41为IOnm厚的MoO3层，空穴传输层42为40nm厚的TPD层，发光层43为70nm厚的AlGj3层，电子传输层 44为50nm厚的PBD层，电子注入层45为50nm厚的LiF层，阴极5为20nm厚的Ag层。
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其制备方法如下(1)将普通玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，功率为10W，以减小导电玻璃表面的粗糙度和接触角，改善其表面的湿润性和吸附性，去除导电玻璃表面的有机污染物，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层金属Ag，作为阳极2 ；(3)在金属Ag外表面溅射一层粒径为20nm的TW2层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用蒸镀依次镀上MoO3层41，TPD层42，AlQ3层43，PBD 层44，LiF层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在LiF层45外表面蒸镀一层金属Ag层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。本实施例制备的有机电致发光器件(其结构为普通玻璃/Ag/Ti02/Mo03/TPD/ AlQ3/PBD/LiF/Ag)与不加TW2的光散射层3结构有机电致发光器件(其结构为普通玻璃 /Ag/Mo03/TPD/AlQ3/PBD/LiF/Ag)的亮度与电压关系见图6所示。从图6可以看到，本实施例制备有机电致发光器件的开启电压与电流密度都得到了明显提高。在电压在7V以后，本实施例制备有机电致发光器件的电流密度相对不添加光散射层3的现有有机电致发光器件的电流密度得到了显著的提高。由此也可以得出，本实施例制备有机电致发光器件的发光亮度和效率高得到了明显的提高。实施例2本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将普通玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，功率为10W，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层50nm厚的金属Ag，作为阳极2;(3)在金属Ag外表面溅射一层粒径为20nm、厚度为50nm的TW2层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用蒸镀依次镀上20nm厚的MoO3层41，20nm厚的NPB 层42，20nm厚的AlGj3层43，20nm厚的PBD层44，20nm厚的LiF层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在LiF层45外表面蒸镀一层IOnm厚的金属Ag层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例3本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将普通玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，功率为10W，制得基底1 ；
(2)将制得的基底1 一面溅射一层60nm厚的金属Ag，作为阳极2 ；(3)在金属Ag外表面喷镀一层粒径为200nm、厚度为200nm的MgO层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用蒸镀依次镀上20nm厚的MoO3层41，20nm厚的TDAPB 层42，20nm厚的DCJTB层43，20nm厚的TPQ层44，20nm厚的K2SiO3层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在K2SiO3层45外表面蒸镀一层15nm厚的金属Au层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例4本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将普通玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后干燥，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层SOnm厚的金属Ag，作为阳极2;(3)在金属Ag外表面喷镀一层粒径为lOOnm、厚度为200nm的MgO层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用喷镀依次镀上80nm厚的MoOx层41，80nm厚的TDAPB 层42，80nm厚的DCJTB层43，50nm厚的TPQ层44，60nm厚的Al2O3层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在Al2O3层45外表面蒸镀一层20nm厚的金属Al层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例5本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将IZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后干燥，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层70nm厚的金属Al，作为阳极2;(3)在金属Al外表面喷镀一层粒径为50nm、厚度为70nm的ZnO层，作为光散射层 3 ；(4)在光散射层3外表面采用蒸镀依次镀上80nm厚的MoOx层41，70nm厚的TDAPB 层42，50nm厚的DCJTB层43，80nm厚的TPQ层44，80nm厚的RbCl层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在RbCl层45外表面蒸镀一层30nm厚的金属Pt层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例6本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将石英进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后干燥，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层70nm厚的金属Ag，作为阳极2;(3)在金属Ag外表面蒸镀一层粒径为20nm、厚度为50nm的Al2O3层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用喷镀方式依次镀上60nm厚的VOx层41，40nm厚的 CuPc层42，50nm厚的BAI^Q层43，70nm厚的η型掺杂无机半导体层44，80nm厚的NaCl层 45，构成有机电致发光结构4;(5)在NaCl层45外表面蒸镀一层20nm厚的金属Pt层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例7本实施例的有机电致发光器件结构如同实施例1和图1所示。其制备方法如下(1)将AZO玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为lOmin，功率为30W，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层70nm厚的金属Au，作为阳极2;(3)在金属Au外表面溅射一层粒径为20nm、厚度为SOnm的TW2层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用电化学方式依次镀上30nm厚的MoO3层41，20nm厚的CuPc层42，20nm厚的BAI^Q层43，150nm厚的η型掺杂无机半导体层44，70nm厚的NaCl 层45，构成有机电致发光结构4 ；(5)在NaCl层45外表面蒸镀一层25nm厚的金属Pt层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能类似于实施例1制备的有机电致发光器件性能。实施例8本实施例的有机电致发光器件结构如图2所示，该有机电致发光器件包括依次结合的基底1、阳极2、光散射层3、空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43和阴极5。其中， 基底1为150nm厚的普通玻璃，阳极2为60nm厚的Ag层，光散射层3为颗粒状且其粒径为 20nm、厚度为IOOnm的TW2层，空穴注入层41为IOnm厚的MoO3层，空穴传输层42为40nm 厚的NPB层，发光层43为70nm厚的AlGj3层，阴极5为15nm厚的Au层。其制备方法如下
(1)将普通玻璃进行光刻处理，剪裁成所需要的发光面积，然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15min，清洗干净后对其进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，功率为10W，以减小导电玻璃表面的粗糙度和接触角，改善其表面的湿润性和吸附性，去除导电玻璃表面的有机污染物，制得基底1 ；(2)将制得的基底1放进真空镀膜室里面进行真空沉积一层金属Ag，作为阳极2 ；(3)在金属Ag外表面溅射一层粒径为20nm的TW2层，作为光散射层3 ；(4)在光散射层3外表面采用蒸镀依次镀上MoO3层41，NPB层42，AlQ3层43，构成有机电致发光结构4;(5)在AlA层43外表面蒸镀一层金属Au层，作为阴极5，从而得到所述的有机电致发光器件。测试本实施例制备的有机电致发光器件性能如实施例1制备的有机电致发光器件性能。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种有机电致发光器件，包括一基底；一阳极，其结合在所述基底的一个表面上；一光散射层，其结合在所述阳极的与所述基底相对的表面上；一有机电致发光结构，其结合在所述光散射层的与所述阳极相对的表面上；一阴极，其结合在所述有机电致发光结构的与所述光散射层相对的表面上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述光散射层的材质为 Ti02、ZnO> MgO> CaO 或 Al2O30
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述光散射层为颗粒层结构，所述颗粒粒径为20 200nm。
4.根据权利要求1、2或3所述的有机电致发光器件，其特征在于所述光散射层的厚度为50 200nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述基底的材质为铟锡氧化物玻璃、掺氟的氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃、掺铟的氧化锌玻璃、普通玻璃或石英；所述阳极的材质为金、银或铝，所述阳极的厚度为40 SOnm ； 所述阴极的材质为金、银、钼或铝，所述阴极的厚度为10 30nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述有机电致发光结构包括发光层；所述发光层与光散射层之间具有空穴注入层、空穴传输层中的至少一种，和/或所述发光层与阴极之间具有电子传输层、电子注入层中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子注入层的厚度为 20 SOnm ；电子传输层的厚度为20 SOnm ；所述发光层的厚度为20 SOnm ；所述空穴传输层的厚度为20 SOnm ；所述空穴注入层的厚度为20 80nm。
8.根据权利要求6或7所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子注入层的材质为Li02、C&0、Al203、LiB02、K2SiO3、氯化物或碱土金属氟化物；所述电子传输层的材质为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5- 二(1-萘基)-1，3，4_ 二唑、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑、喹喔啉衍生物或η型掺杂无机半导体中的至少一种；所述发光层的材质为四-叔丁基二萘嵌苯、4-( 二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、二甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4- ( 二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4Η-吡喃、二甲基喹吖啶酮或8-羟基喹啉铝中的至少一种；所述空穴传输层的材质为Ν，Ν’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、 N, N' -(1-萘基)4力，-二苯基_4，4，-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯、酞菁铜或P型掺杂无机半导体中的至少一种；所述空穴注入层的材质为过渡金属氧化物。
9.一种有机电致发光器件制备方法，包括如下步骤 提供基底；在所述基底上镀阳极；在所述阳极的与所述基底相对的表面上镀光散射层；在所述光散射层的与所述阳极相对的表面上镀有机电致发光结构； 在所述有机电致发光结构的与所述光散射层相对的表面上镀阴极，得到所述的有机电致发光器件。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于所述阳极与基底相对的表面镀光散射层的方式为蒸镀、溅射或喷镀。
全文摘要
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，包括一基底；一阳极，其结合在所述基底的一表面上；一光散射层，其结合在所述阳极与所述基底相对的表面上；一有机电致发光结构，其结合在所述光散射层与所述阳极相对的表面上；一阴极，其结合在所述有机电致发光结构与所述光散射层相对的表面上。本发明有机电致发光器件在其结构中增设有光散射层，使有机电致发光器件所发出光的在该光散射层界面发生全反射，从而显著增强了本发明有机电致发光器件的发光亮度和效率；光散射层还能有效的使光在其界面发生散射效应，从而进一步增强了本发明有机电致发光器件发光亮度和效率；该有机电致发光器件制备方法工序简单，提高了生产效率，适于工业化生产。
文档编号H01L51/56GK102468444SQ20101054635
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月16日 优先权日2010年11月16日
发明者周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司