阶梯增透结构式有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，器件设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及设置于所述衬底另一面的光耦合输出层，光耦合输出层设置有两层以上的光耦合输出子层，光耦合子层依次叠设于衬底；设置于衬底下方第N层的光耦合输出子层为第N光耦合输出子层，第N光耦合输出子层的折射率为nN，其中N大于等于1;第N光耦合输出子层的折射率大于空气的折射率小于衬底的折射率，且第N光耦合输出子层的折射率小于第N+1层光耦合输出子层的折射率。该有机电致发光器件，通过在衬底另一面设置阶梯增透层结构的光耦合输出层，可以提高有机电致发光器件的出光率，具有结构简单、制备方便的特点。
【专利说明】阶梯增透结构式有机电致发光器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种阶梯增透结构式有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件具有主动发光、视角广、重量轻、温度适应范围广、电压低、制备简单等众多优点，以及功耗低、响应速度快、制造程度低等特点，被认为是下一代的主流显示器。白光OLED受到越来越多学术界和工业界的关注。
[0003]现有技术中，一般选择透明玻璃作为OLED器件的基板，玻璃的折射率通常为1.55左右，有机电致发光材料层的折射率一般为1.7左右，ITO层的折射率一般为1.8左右。有机电致发光材料通电后发出的光，经过ITO层进入玻璃、再经过玻璃进入空气时，即由光密介质向光疏介质传播时，会存在全反射现象，导致大部分光线局限在OLED器件中，致使OLED的光输出效率大大降低，其中约40%的光会因为ITO/有机层波导模式损失,约10%的光会被SP模式损失，30%的光会局限在(衬底)模式中损失，只有约20%的光能从玻璃基板外侧传播出来。因此，大约80%的光被局限或者损耗在OLED有机电致发光材料的内部无法合理应用。
[0004]目前提高OLED光取出的方法有很多种，Kanchan Saxena等人在文献OpticalMaterials 32, 221 (2009)里面综述了多种提高OLED光取出效率的措施。通过对比研究发现，对外表面的结构进行设计改造以达到提高光取出效果显得尤为简单和可操作性。如文献Applied Physics Letters 97, 223303 (2010)公开了微透镜的制备方法,使得器件的光取出效率提升了 60%ο文献Organic Electronics 12, 648 (2011)公开了一种使用喷砂技术提高光取出的方式，外量子效率提高了约30%。专利CN201210309051.3公开了一种通过PS微球层提高OLED光取出的制备方法。专利CN201180019709.0公开了一种层和到玻璃基底上的OLED光提取膜。专利CN200880015512.8同样提出了一种具有改进光输出的电致发光器件。专利CN201310056779.4公开了一种提高OLED背光源发光效率的方法，其利用高折射率的玻璃作为基板，并在玻璃的一侧采用压延技术制备微透镜来增加光输出。另夕卜，还可以对玻璃直接化学腐蚀对其进行粗糙化处理，或者使用单层抗反射膜进行光取出。
[0005]但是，目前这些外部光取出技术仍然存在诸多缺陷:1)制备工艺复杂，成本较高。如使用微透镜提高光取出效率时，微透镜薄膜需要微米级别的平面矩阵阵列，这需要很精密的控制尺寸以及较负责的工艺，导致制备成本较高。另外，若要将微透镜技术应用于显示领域，需要对微透镜缩小且阵列化，但此时与基底的的对位变得相当重要，而且基底不能太厚(< 0.5mm)，否则相邻像素会互相干扰。2)影响OLED寿命和稳定性。对于喷砂工艺而言，其是用定制的喷砂机将微米级别的直径的小颗粒以特定的角度和速度喷射到玻璃衬底表面，高速颗粒对衬底外表面的冲击会不可避免的给整个器件带来相应的机械振动，造成相应的影响，从而对扰乱OLED层内分子之间的良好排布，对器件的光学性能和电学性能都会造成很大影响。3)可重复性差。比如使用直接腐蚀玻璃表面时，同一批次的产品可能会有完全不同的外表面形貌，使得器件的统一性差，不利于商业化生产。另外，喷砂工艺也存在相同的问题。5)图像显示模糊。使用喷砂工艺或者微透镜工艺提升光取出效果时，都会有不同程度的图像模糊现象。6)光取出效果不理想。使用单层光耦合膜时，该方法的基本制作方法是在OLED外表面沉积特定的材料，比如使用MgF2时，虽然其折射率为1.38 (波长550 nm)，介于空气和玻璃之间，但是其折射率随波长不同而变化，对于单色光而言，各个波长段的光取出所需MgF2厚度不同，需要进行精确调控，并且此种方式显然不利于白光的光取出效果，该方法的取出效果也相对较差。
[0006]因此，针对现有技术不足，提供一种光取出效果好、制备工艺简单的阶梯增透结构式有机电致发光器件及其制备工艺以克服现有技术不足甚为必要。
【发明内容】
[0007]本实用新型的目的是提供了一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，具有光取出效果好、制备简单的特点。
[0008]本实用新型的上述目的通过如下技术手段实现。
[0009]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及设置于所述衬底另一面的光耦合输出层，所述光耦合输出层的折射率大于空气的折射率小于所述衬底的折射率。
[0010]上述光I禹合输出层设置有两层以上的光I禹合输出子层，所述光I禹合子层依次叠设于所述衬底；
[0011]以有机电致发光单元为上、以光耦合输出层为下，设置于所述衬底下方第N层的光率禹合输出子层为第N光f禹合输出子层,第N光f禹合输出子层的折射率为nN,其中N大于等于I;
[0012]第N光稱合输出子层的折射率大于空气的折射率小于衬底的折射率，且第N光率禹合输出子层的折射率小于第N+1层光I禹合输出子层的折射率。
[0013]上述光I禹合输出层设置为两层。
[0014]上述光输出I禹合输出层的厚度范围设置为100 nm?3 mm。
[0015]上述光耦合输出层为通过蒸镀、溅射、化学气相沉积、旋涂、喷墨打印或印刷方式制备的薄膜。
[0016]上述光输出I禹合输出层为无机材料或者有机材料。
[0017]优选的，第一光稱合输出子层中掺杂有一种或者多种发光染料換杂体；
[0018]当所述有机功能层包含有发蓝色或者绿色或者白色染料时，所述第一光耦合输出子层中掺杂的发光染料搀杂体为黄光或者红光发光材料搀杂体，以通过色转换方式实现白光发射。
[0019]优选的，设置于所述衬底下方最外层的光耦合输出子层为防刮伤的保护层。
[0020]优选的，上述透明衬底为玻璃、聚酯类化合物衬底或者聚酰亚胺类化合物衬底；
[0021]所述发光单元为依次置于衬底上方的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极为透明导电电极或者半透明导电电极，所述第二电极为不透明反射导电电极。
[0022]本实用新型的阶梯增透结构式有机电致发光器件设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及设置于所述衬底另一面的光耦合输出层，所述光耦合输出层的折射率大于空气的折射率小于所述衬底的折射率；光耦合输出层设置有两层以上的光耦合输出子层，所述光耦合子层依次叠设于所述衬底；以有机电致发光单元为上、以光耦合输出层为下，设置于所述衬底下方第N层的光f禹合输出子层为第N光I禹合输出子层,第N光I禹合输出子层的折射率为nN,其中N大于等于I;第N光f禹合输出子层的折射率大于空气的折射率小于衬底的折射率，且第N光f禹合输出子层的折射率小于第N+1层光I禹合输出子层的折射率。该阶梯增透结构式有机电致发光器件，通过在衬底另一面设置阶梯增透层结构的光耦合输出层，可以提高阶梯增透结构式有机电致发光器件的出光率，具有结构简单、制备方便的特点。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]利用附图对本实用新型作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。
[0024]图1是本实用新型一种阶梯增透结构式有机电致发光器件的结构示意图。
[0025]图2是本实用新型实施例6的器件的发光效率-电流密度曲线图。
[0026]图3 (a)是本实用新型实施例8的器件A3在电流密度为20 mA/cm2下的归一化光
-1'TfeP曰。
[0027]图3 (b)是本实用新型实施例8的器件B3在电流密度为20 mA/cm2下的归一化光
-1'TfeP曰。
[0028]图4 (a)是本实用新型实施例9的器件A4在电流密度为1000 cd/m2的光谱对比图。
[0029]图4(b)是本实用新型实施例9的器件B4在电流密度为1000 cd/m2的光谱对比图。
[0030]图4(c)是本实用新型实施例9的器件C4在电流密度为1000 cd/m2的光谱对比图。
[0031]图4(d)是本实用新型实施例9的器件D4在电流密度为1000 cd/m2的光谱对比图。
[0032]图5是本实用新型实施例9的器件的亮度-发光效率曲线图。
[0033]在图1至图5中，包括:
[0034]透明衬底100、
[0035]第一电极210、有机功能层220、第二电极230、
[0036]光稱合输出层300、
[0037]第一光I禹合输出子层310、
[0038]第二光I禹合输出子层320、
[0039]第N光f禹合输出子层30。
【具体实施方式】
[0040]结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
[0041]实施例1
[0042]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，如图1所示，设置有透明衬底100、设置于衬底一面的有机电致发光单兀及设置于衬底另一面的光稱合输出层300。
[0043]光I禹合输出层300设置有两层以上的光I禹合输出子层,光I禹合子层依次叠设于衬
。
[0044]以有机电致发光单兀为上、以光I禹合输出层300为下作为参考方向，设置于衬底下方第一层的光I禹合输出子层为第一光I禹合输出子层310,第一光f禹合输出子层310的折射率为Ii1 ；,设置于衬底下方第二层的光I禹合输出子层为第二光I禹合输出子层320,第二光率禹合输出子层320的折射率为n2;第N层的光f禹合输出子层为第N光I禹合输出子层30,第N光稱合输出子层30的折射率为nN,其中N大于等于I。
[0045]第N光稱合输出子层30的折射率大于空气的折射率小于衬底的折射率，且第N光率禹合输出子层30的折射率小于第N+1层光I禹合输出子层的折射率。
[0046]光输出I禹合输出层的厚度范围设置为100 nm~3 mm。光I禹合输出层300为无机材料或者有机材料，可以通过蒸镀、溅射、化学气相沉积、旋涂、喷墨打印或印刷方式制备成膜。
[0047]透明衬底100为玻璃、聚酯类化合物衬底或者聚酰亚胺类化合物衬底。
[0048]发光单兀为依次置于衬底上方的第一电极210、有机功能层220和第二电极230,第一电极210为透明导电电极或者半透明导电电极，第二电极230为不透明反射导电电极。
[0049]该阶梯增透结构式有机电致发光器件，通过在衬底另一面设置阶梯增透层结构的光率禹合输出层300,米用折射率依次减小的光I禹合输出子层，有机电致发光单兀产生的光经过透明衬底100后，在经过第一`光耦合输出子层310、第二光耦合输出子层320……，再到达空气中，由于透射率的关系，光通过该阶梯结构后，更利于光的输出，能够大大提高器件的光输出率。
[0050]该阶梯增透结构式有机电致发光器件，由于衬底的一面是有机电致发光单元，而光率禹合输出层300设置于衬底的另一面,光I禹合输出层300于有机电致发光单兀设位于衬底的两面，制备过程不会受到彼此影响。故光耦合输出层300的设置不会对另一面的阶梯增透结构式有机电致发光器件的电压、电流密度、光谱等性能产生影响，该阶梯增透结构式有机电致发光器件的性能稳定。
[0051]该阶梯增透结构式有机电致发光器件，光耦合输出层300可以通过旋涂、印刷等方式制备，制备工艺简单，工艺可重复性和可操作性好，适合批量生产。
[0052]该阶梯增透结构式有机电致发光器件，其设置的其他光耦合输出子层可以对第一光耦合输出子层310进行保护，以防止刮伤。
[0053]优选的，设置于衬底下方最外层的光耦合输出子层优选设置为防刮伤的保护层，可以通过最外层的光耦合输出子层对内部的其它光耦合输出子层进行保护，防止刮伤。
[0054]该阶梯增透结构式有机电致发光器件，还可以在第一光耦合输出子层310中添加发光染料，实现色转换发光，实现白光色光。
[0055]综上所述，本实用新型的阶梯增透结构式有机电致发光器件具有光输出率高、制备工艺简单、实用性强等特点。
[0056]需要说明的是，本实施例中选择以有机电致发光单元为上、光耦合输出层300为下作为方向参考，在实际中也可以选择其他方向参考，则相应的位置关系也对应调整。
[0057]实施例2[0058]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，其他结构与实施例1相同，不同之处在于:第一光1禹合输出子层中掺杂有一种或者多种发光染料換杂体，可以实现色转换发光。
[0059]具体的，当有机电致发光单元的有机功能层包含有发蓝色或者绿色或者白色染料，第一光耦合输出子层中掺杂的发光染料搀杂体为黄光或者红光发光材料搀杂体，以通过色转换方式实现白光发射。
[0060]采用两层结构，制备简单，并且通过在光耦合层中添加色转换的荧光发光材料，既能提高光输出效率，又能改变发光光谱，获得高效的白色发光。
[0061]实施例3
[0062]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，其他结构与实施例1相同，不同之处在于:光I禹合输出层设置为两层。
[0063]采用两层结构，既能提高光输出效率又具有制备简单的特点。
[0064]实施例4
[0065]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，适用于制备如实施例1至3任意一项的阶梯增透结构式有机电致发光器件，包括在目标衬底一面制备有机电致发光单元和在目标衬底另一面制备光耦合输出层。可以先制备有机电致发光单元也可先制备光耦合输出层。
[0066]其中，在目标衬底一面制备有机电致发光单元具体是在目标衬底上依次制备第一电极、有机功能层和第二电极。在目标衬底另一面制备光耦合输出层具体是直接在目标衬底另一面制备光耦合输出层。光耦合输出层可以通过旋涂、印刷等方式制备，制备工艺简单，工艺可重复性和可操作性好，适合批量生产。
[0067]该阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，通过在衬底另一面制备阶梯增透层结构的光耦合输出层，有机电致发光单元产生的光经过透明衬底后，经过第一光耦合输出子层、第二光耦合输出子层……，再到达空气中，由于透射率的关系，光通过该阶梯结构后，更利于光的输出，能够大大提高器件的光输出率。
[0068]该阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，由于是在衬底的一面制备有机电致发光单元，在衬底的另一面制备光耦合输出层，光耦合输出层于有机电致发光单元设位于衬底的两面，制备过程不会受到彼此影响。故所制备的阶梯增透结构式有机电致发光器件的性能稳定。
[0069]可见，该方法所制备的机电致发光器件具有光输出率高，具有制备工艺简单、实用性强等特点。
[0070]实施例5
[0071]一种阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，其他特征与实施例4相同，不同之处在于:在目标衬底另一面制备光耦合输出层具体是在一块非目标衬底上预先制备光率禹合输出层，再将预先制备好的光I禹合输出层从非目标衬底上揭下并贴设于目标衬底的
另一面。
[0072]该阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，通过在衬底另一面制备阶梯增透层结构的光耦合输出层，有机电致发光单元产生的光经过透明衬底后，经过第一光耦合输出子层、第二光耦合输出子层……，再到达空气中，由于透射率的关系，光通过该阶梯结构后，更利于光的输出，能够大大提高器件的光输出率。[0073]该阶梯增透结构式有机电致发光器件的制备方法，由于是在衬底的一面制备有机电致发光单元，在衬底的另一面制备光耦合输出层，光耦合输出层于有机电致发光单元设位于衬底的两面，制备过程不会受到彼此影响。故所制备的阶梯增透结构式有机电致发光器件的性能稳定。
[0074]可见，本方法所制备的机电致发光器件具有光输出率高，具有制备工艺简单、实用性强等特点。
[0075]实施例6
[0076]下面结合详细的实验例进一步对本实用新型进行说明。
[0077]以B:C (xA，y%)表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了 C材料，比例为y%，该层的厚度为χΑ (埃)。
[0078]制备器件Al、B1、Cl和Dl，其结构分别为:
[0079]器件Al: Glass (衬底)/ΙΤ0 (阳极)/ΝΡΒ (200Α)(空穴传输层)/Alq3:C545T (绿色荧光发光层)(300A)/Alq3 (电子传输层)(300A)/LiF(IOA)(电子注入层)/Al (2000A)(阴极)。
[0080]器件B1:MgF2 (单层光耦合层)/Glass (衬底)/ITO (阳极)/NPB (200A)(空穴传输层)/ Alq3:C545T (3θΑ)(绿色荧光发光层)/Alq3 (电子传输层)(300 A)/LiF(IOA)(电子注入层)/Al (2000A)(阴极)。
[0081]器件Cl: PMMA (单层光耦合层)/Glass (衬底)/ΙΤ0 (阳极)/NPB (200Α)(空穴传输)。
[0082]器件Dl=MgF2 (光耦合层二)/PMMA (光耦合层一)/Glass (衬底)/ITO (阳极)/NPB(200A)(空穴传输层)/ Alq3:C545T (300A)(绿色荧光发光层VAlq3 (300A)(空穴传输层)/LiF(IOA)(电子注入层)/Α1(2000Α)(阴极)。
[0083]器件Al、B1、Cl和Dl均采用玻璃为衬底，玻璃的折射率=1.55，其中器件Al是没有光输出I禹合层的器件，器件B的光输出I禹合层为MgF2 (折射率=1.38),器件Cl的光输出耦合层为PMMA (折射率=1.48)，器件Dl的光输出耦合层为MgF2和PMMA。从图2看出，较无光输出耦合层的器件Al，在整个电流密度范围内，器件BI的效率提高了 25%，器件Cl的效率提高了 16%，而采用阶梯器件结构的器件D1，其效率则提升了 52%。
[0084]可见，本实用新型的有机电致发光器件具有光输出率高的特点。
[0085]实施例7
[0086]下面结合详细的实验例进一步对本实用新型进行说明。
[0087]以B:C (xA，y%)表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了 C材料，比例为y%，该层的厚度为χΑ (埃)。
[0088]制备器件A2、B2、C2和D2，其结构分别为:
[0089]器件A2: Glass/ITO/NPB (200A) /MADN: DSA-ph (300 A, 3%)(蓝色荧光发光层)/Alq3 (300A)/LiF(IOA)/Al (2000A)。
[0090]器件B2:MgF2/Glass/ITO/NPB (200A) / MADN:DSA-ph (300 A, 3%)(蓝色荧光发光层)/ Alq3 (300A)/LiF(IOA)/Al(2000A)。
[0091]器件C2: PDMS/Glass/IT0/NPB(200A)/ MADN:DSA-ph (300 A, 3%)(蓝色荧光发光层)/ Alq3 (300A)/LiF(IOA)/Al (2000A)。[0092]器件D2:MgF2/PDMS/Glass/IT0/NPB(200A)/ MADN:DSA-ph (300 A, 3%)(蓝色荧光发光层)/ Alq3 (300A)/LiF(IOA)/Al (2000A)。
[0093]器件A2、B2、C2和D2均采用玻璃为衬底，其中器件A2是没有光输出耦合层的器件，器件B2的光输出耦合层为MgF2，器件C2的光输出耦合层为PDMS，器件D2的光输出耦合层为MgF2/ PDMS，实践发现，较无光输出耦合层的器件A2，器件B2的效率提高了 27%，器件C2的效率提高了 13%，而采用阶梯器件结构的器件，其效率则提升了 54%。
[0094]实施例8
[0095]下面结合详细的实验例进一步对本实用新型进行说明。
[0096]以B:C CxA，y%)表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了 C材料，比例为y%，该层的厚度为χΑ (埃)。
[0097]制备器件A3、B3，其结构分别为:
[0098]器件A3: Glass/ITO/NPB (200 A)/ Alq3:C545T (375 A) /Alq3(375 A) /LiF (10A)/Al (2000 A)。
[0099]器件B3: PEDOT:PSS/PDMS/Glass/ITO/NPB(200 A)/ Alq3:C545T (375 A)/Alq3(375 A)/LiF(10 A)/Al(2000 A)。
[0100]器件A3、B3采用玻璃为衬底，折射率=1.55，其中器件A3是没有光输出耦合层的器件，器件B3的光输出耦合层为PED0T:PSS / PDMS，在电流密度为20mA/cm2下，较无光输出耦合层的器件A3，器件B3的效率提高了 43%，并且基本上没有造成光谱的变化，如图3(a)、如图3 (b)所示。
[0101]实施例9
[0102]下面结合详细的实验例进一步对本实用新型进行说明。
[0103]以B:C CxA，y%)表示结构中的一层，其制作材料为B，并且掺杂了 C材料，比例为y%，该层的厚度为χΑ (埃)。
[0104]制备器件A4、B4、C4和D4，其结构分别为:
[0105]器件A4: Glass/ITO/NPB(200A)/MADN:DSA-ph(200 A, 7%)(蓝色荧光发光层)/ CBP:Bepp2 (7:3, 40 A)/Bepp2: (MDQ) 2Ir (acac) (6%, 100 A)(红色磷光发光层)/B印p2 (300A)/LiF(IOA)/Al(2000A)。
[0106]器件B4:Si02/Glass/IT0/ NPB (200A) /MADN:DSA-ph (200 A, 7%)(蓝色荧光发光层)/CBP:B印p2 (7:3, 40 A)/Bepp2: (MDQ) 2Ir (acac) (6%, 100 A)(红色磷光发光层)/B印p2(300A)/LiF(IOA)/Al(2000A)。
[0107]器件C4: PDMS/Glass/ITO/ NPB (200A)/MADN:DSA-ph (200 A, 7%)(蓝色荧光发光层)/CBP:B印p2 (7:3, 40 A)/Bepp2: (MDQ) 2Ir (acac) (6%, 100 A)(红色磷光发光层)/B印p2 (300A)/LiF(IOA)/Al(2000A)。
[0108]器件D4:Si02/PDMS/Glass/1TO/NPB (200A) / NPB (200A) /MADN:DSA-ph (200 A, 7%)(蓝色荧光发光层)/ CBP:B印p2 (7:3, 40 A)/Bepp2: (MDQ) 2Ir (acac) (6%, 100 A)(红色磷光发光层)/Bepp2 (300A) /LiF (IOA) /Al (2000A)。
[0109]器件A4、B4、C4和D4采用玻璃为衬底，玻璃衬底的折射率=1.55，其中器件A4是没有光输出I禹合层的器件，器件B4的光输出I禹合层为SiO2,折射率1.42,器件04的光输出耦合层为PDMS，器件D4的光输出耦合层为SiO2/ PDMS，较无光输出耦合层的器件A4，器件B4的效率提高了 20%，器件C4的效率提高了 12%，而采用阶梯器件结构的器件，其效率则提升了 33%，并且可以看出器件的光谱在500 cd/m2时，相差不大，并且加入光耦合输出层的器件都相应的向白光等能点移动，光谱变白，如图4、图5所示。
[0110]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于: 设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及设置于所述衬底另一面的光率禹合输出层； 所述光I禹合输出层设置有两层以上的光I禹合输出子层，所述光I禹合子层依次叠设于所述衬底； 以有机电致发光单兀为上、以光I禹合输出层为下，设置于所述衬底下方第N层的光率禹合输出子层为第N光f禹合输出子层,第N光f禹合输出子层的折射率为nN,其中N大于等于I; 第N光耦合输出子层的折射率大于空气的折射率小于衬底的折射率，且第N光耦合输出子层的折射率小于第N+1层光耦合输出子层的折射率。
2.根据权利要求1所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:所述光耦合输出层设置为两层。
3.根据权利要求1所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:所述光耦合输出层的厚度范围设置为100 nm?3 mm。
4.根据权利要求1所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:所述光耦合输出层为薄膜。
5.根据权利要求1所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:第一光耦合输出子层中掺杂有一种或者多种发光染料掺杂体； 当所述有机功能层包含有发蓝色或者绿色或者白色染料时，所述第一光耦合输出子层中掺杂的发光染料掺杂体为黄光或者红光发光材料搀杂体。
6.根据权利要求1所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:设置于所述衬底下方最外层的光耦合输出子层为防刮伤的保护层。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:所述透明衬底为玻璃、聚酯类化合物衬底或者聚酰亚胺类化合物衬底。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的阶梯增透结构式有机电致发光器件，其特征在于:所述发光单兀为依次置于衬底上方的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极为透明导电电极或者半透明导电电极，所述第二电极为不透明反射导电电极。
【文档编号】H01L51/52GK203596372SQ201320818701
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年12月13日 优先权日:2013年12月13日
【发明者】邹建华, 刘佰全, 徐苗, 陶洪, 王磊, 彭俊彪 申请人:广州新视界光电科技有限公司