一种有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若干个发光单元层和第二电极层，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，所述空穴传输层是由第一空穴传输材料和第二空穴传输材料制备而成，所述第一空穴传输材料的三线态能级T1≥2.48eV，HOMO能级≤-5.5eV，所述第二空穴传输材料的HOMO能级＞-5.5eV，且所述第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的HOMO能级差≤0.2eV。其空穴传输层具有较高的三线态能级T1和迁移率且制备工艺简单，进而带来器件的功耗明显降低，效率大为提高的有益效果。
【专利说明】一种有机电致发光器件
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件【技术领域】，特别是一种空穴传输层材料具有较高的 三线态能级T1和迁移率的有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件0LED的发光层主要米用全突光材料、全磷光材料或突光材料 和磷光材料混合的方式进行制作。由于蓝光、绿光、红光器件对空穴传输层HTL的要求不 同，尤其是绿光和红光对HTL材料要具有高的三线态能级T1，但是具有高的三线态能级T1 的HTL材料，一般都具有低的迁移率，驱动电压高，寿命短，所以为了同时满足红绿蓝器件 的性能对HTL材料既要有高的T1又要有高的迁移率，目前这类材料很难找到。
[0003] 在0LED显示器件制备过程中，为了降低工艺难度与生产成本，一般采用精密mask 分别真空蒸镀红、绿、蓝子像素的发光层，而发光层之外的空穴注入层、空穴传输层、电子传 输层、空穴/激子阻挡层等共用统一蒸镀成膜。由于红、绿色子像素发光层采用的磷光染料 的三线态激子寿命较长，容易扩散至电子传输层，导致激子淬灭失活，因此在发光层和电子 传输层之间设置一层激子阻挡层（HBL)。激子阻挡层材料一般要求具有较高的三线态能级 以及较高的HOMO能级，从而阻挡三线态激子进入电子传输层。
[0004] 三星公司在201210395191. 7公开了一种电致发光器件，如图1所示，其按下列顺 序依次包含基底110、第一电极120、空穴注入层130、空穴传输层140、缓冲层150、发光层 160、电子传输层170、电子注入层180和第二电极190。所述空穴传输层140包括以下列 顺序依次沉积的第一电荷产生层141、第一混合层142、第二电荷产生层143和第二混合层 144。第一电荷产生层141的材料，可以使用包括第一化合物和第二化合物且掺入第一电荷 产生材料的混合物；第一混合层142的材料，可以使用包含第一化合物和第二化合物的混 合物；第二电荷产生层143的材料，可以使用包含第三化合物和第四化合物且掺入第二电 荷产生材料的混合物；成第二混合层144的材料，在这方面，第三化合物相对于第四化合物 的重量比可以为6:4至8:2。该方案由于设置了多层空穴传输层，且每层空穴传输层都是采 用混合材料制备，每层蒸镀都需要掩膜板对位，而且材料源多样，工艺复杂，引进多层混合 蒸镀在设备上需要增加蒸镀腔室，在设备上也增加成本，不利于量产化生产。
[0005] CN200510077967公开了一种电致发光器件，如图2所示，该器件是在绿光像素区 域200和第一空穴传输层18-1之间设置第二空穴传输层18-2,红光像素区域300和第一空 穴传输层18-1之间设置第二空穴传输层18-2和第三空穴传输层18-3。所述第一空穴传输 层18-1、第二空穴传输层18-2和第三空穴传输层18-3可以分别采用不同的材料制备，但是 每层的空穴传输层采用同一种材料制备。尽管该专利采用了混合结构的空穴传输层来提高 发光效率，这种设置方式虽然在一定程度上改善了发光层的厚度，但是适用于绿光光学补 偿层的HTL材料要求具有较高的三线态能级T1且HOMO能级< -5. 5eV，这类材料的迁移率 普遍较低，无法做厚，因此器件的驱动电压较高。此外，该专利申请中红光发光像素单独引 第三空穴传输层，而绿光没有，需要使用精密掩膜板。
【发明内容】
[0006] 为此，本发明所要解决的技术问题在于现有技术中具有较高的三线态能级T1和 迁移率空穴传输层制备工艺复杂的问题，进而提供一种有机电致发光器件，其空穴传输层 具有较高的三线态能级T1和迁移率且制备工艺简单，进而带来器件的功耗明显降低，效率 大为提1?的有益效果。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
[0008] -种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若 干个发光单元层和第二电极层，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层上的空 穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，所述空穴传输层是由第一空穴传输材料和第 二空穴传输材料制备而成，所述第一空穴传输材料的三线态能级T1 > 2. 48eV，HOMO能级 < -5. 5eV，所述第二空穴传输材料的HOMO能级> -5. 5eV，且所述第一空穴传输材料和第二 空穴传输材料的HOMO能级差< 0. 2eV。
[0009] 所述空穴传输层包括第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层上的第二空 穴传输层，所述第一空穴传输层是由第一空穴传输材料制备而成，所述第二空穴传输层是 由第一空穴传输材料和第二空穴传输材料共蒸镀制备而成。
[0010] 所述空穴传输层的厚度为0_40nm，优选20nm ;所述第一空穴传输层的厚度为 0-40nm，优选10nm ;所述第二空穴传输层的厚度为0-40nm，优选10nm。
[0011] 所述第一空穴传输材料为式（1)、式（2)或式（3)所示结构：
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层（I)、 若干个发光单元层和第二电极层（8)，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层 (1)上的空穴注入层（2)、空穴传输层（3)、发光层和电子传输层（7)，其特征在于， 所述空穴传输层（3)是由第一空穴传输材料和第二空穴传输材料制备而成，所述第 一空穴传输材料的三线态能级Tl> 2. 48eV，HOMO能级< -5. 5eV，所述第二空穴传输材 料的HOMO能级> -5. 5eV，且所述第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的HOMO能级差 ^ 0. 2eV〇
2. 根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括第一空 穴传输层（31)和设置在所述第一空穴传输层（31)上的第二空穴传输层（32)，所述第一空 穴传输层（31)是由第一空穴传输材料制备而成，所述第二空穴传输层（32)是由第一空穴 传输材料和第二空穴传输材料共蒸制备而成。
3. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层（3)的 厚度为〇_40nm，所述第一空穴传输层（31)的厚度为0-40nm，，所述第二空穴传输层（32)的 厚度为〇_40nm。
4. 根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层（3)的厚 度为20nm，所述第一空穴传输层（31)的厚度为10nm，所述第二空穴传输层（32)的厚度为 10nm。
5. 根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料为式 (1)、式（2)或式（3)所示结构：
其中，所述A和B分别独立选自苯基、萘基或苯胺基； 札、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18相同或不同，分别独立选自氢元素、卤族元 素、cn、no2、氨基、c6-c3Q亚稠环芳基、C6-C3tl的亚稠杂环芳基、C6-C2tl的烷基或C6-C3tl的醇基； RpIVR1JPR12相同或不同，分别独立选自C6-C3tl的芳基； R13选自C^C6烷基或羟基； 式（3)中Al和A2分别独立选自C6-C3tl芳基或C6-C3(l杂环芳基，R1'为氢、烷基、烷氧基 或盐基； 并且，式（3)同时满足以下条件： Al或A2至少一个具有缩环构造。
6. 根据权利要求5所述的机电致发光器件，其特征在于，所述R13选自甲基、乙基、丙基、 异丙基、丁基、异丁基、正戊基或者正己基。
7. 根据权利要求5所述的机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料为式 (HTLl-I)-(HTLl-IO)所示结构：
8. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，第二空穴传输材料为式（6) 或式（7)所示结构的茚并芴衍生物：
其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分别独立选自取代或未取代的C6-C6(l的芳香族环基或者取代未 取代的C6-C6tl芳香族杂环基，L为取代或未取代的C6-C4(l的亚芳基。
9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的第二空穴传输材料 为式A-I至A-16所示结构：
【文档编号】H01L51/54GK104505464SQ201410851894
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月31日 优先权日:2014年12月31日
【发明者】李维维, 刘嵩 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司, 北京维信诺科技有限公司