1.一种装置，包括：
电介质材料；
第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在所述电介质材料中的第一金属；
第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在所述电介质材料中并且与所述第一互连结构电耦合的第二金属；以及
扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在所述第一互连结构与所述第二互连结构之间的界面处，其中，所述第一金属和所述第二金属具有不同的化学成分，所述扩散阻挡部的材料和所述第二金属具有不同的化学成分，并且所述扩散阻挡部的材料并非直接设置在所述第二金属与所述电介质材料之间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第一金属包括铜(Cu)；并且
所述第二金属包括钴(Co)。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述扩散阻挡部包括金属、金属硅化物或金属氮化物。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述扩散阻挡部包括镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、锰(Mn)或锆(Zr)。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中：
所述第一互连结构包括沟槽结构；并且
所述第二互连结构包括过孔结构或双重镶嵌结构。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，还包括：
附加的扩散阻挡部，所述附加的扩散阻挡部设置在所述第一金属与所述电介质材料之间，其中，所述附加的扩散阻挡部的材料与所述扩散阻挡部的所述材料相比具有不同的化学成分。
7.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，还包括：
蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜设置在所述第二互连结构上并且与所述扩散阻挡部耦合。
8.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中，所述扩散阻挡部包括多个层。
9.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中，所述扩散阻挡部包括用以下各项中的一项或多项进行掺杂的金属：硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、氮(N)、磷(P)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、钨(W)、镍(Ni)、铼(Re)、锡(Sn)、锌(Zn)、锰(Mn)、铑(Rh)、钌(Ru)、铬(Cr)、铂(Pt)、锇(Os)、或铱(Ir)。
10.一种方法，包括：
形成包括第一金属的第一互连结构；
在所述第一互连结构上形成扩散阻挡部；以及
在所述扩散阻挡部上形成包括第二金属的第二互连结构，其中，所述扩散阻挡部设置在所述第一互连结构与所述第二互连结构之间的界面处，所述第一金属和所述第二金属具有不同的化学成分，所述扩散阻挡部的材料和所述第二金属具有不同的化学成分，所述第一互连结构和所述第二互连结构设置在电介质材料中，并且所述扩散阻挡部的材料并非直接设置在所述第二金属与所述电介质材料之间。
11.根据权利要求10所述的方法，其中：
形成所述第一互连结构包括沉积所述第一金属；
形成所述第二互连结构包括沉积所述第二金属；
所述第一金属包括铜(Cu)；并且
所述第二金属包括钴(Co)。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述扩散阻挡部包括在所述第一互连结构的所述第一金属上选择性地沉积第三金属。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述扩散阻挡部包括选择性地沉积镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、或锰(Mn)。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述扩散阻挡部包括用以下各项中的一项或多项对所述第三金属进行掺杂：硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、氮(N)、磷(P)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、钨(W)、镍(Ni)、铼(Re)、锡(Sn)、锌(Zn)、锰(Mn)、铑(Rh)、钌(Ru)、铬(Cr)、铂(Pt)、锇(Os)、或铱(Ir)。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)来执行选择性沉积所述第三金属。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，选择性沉积所述第三金属包括使用均配物N,N’-二烃基-二氮丁二烯金属前体。
17.根据权利要求10-16中的任一项所述的方法，其中：
形成所述第一互连结构包括形成沟槽结构；并且
形成所述第二互连结构包括形成过孔结构。
18.根据权利要求10-16中的任一项所述的方法，还包括：
在形成所述扩散阻挡部之前形成附加的扩散阻挡部，所述附加的扩散阻挡部设置在所述第二金属与所述电介质材料之间，其中，所述附加的扩散阻挡部的材料与所述扩散阻挡部的所述材料相比具有不同的化学成分。
19.根据权利要求10-16中的任一项所述的方法，还包括：
在形成所述扩散阻挡部之前在所述第二互连结构上形成蚀刻停止膜，其中，在形成所述扩散阻挡部之后，所述蚀刻停止膜与所述扩散阻挡部耦合。
20.根据权利要求10-16中的任一项所述的方法，其中，形成所述扩散阻挡部包括形成多个层。
21.一种计算设备，包括：
电路板；以及
管芯，所述管芯与所述电路板耦合，所述管芯包括：
半导体衬底；
电介质材料，所述电介质材料设置在所述半导体衬底上；
第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在所述电介质材料中的第一金属；
第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在所述电介质材料中并且与所述第一互连结构电耦合的第二金属；以及
扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在所述第一互连结构与所述第二互连结构之间的界面处，其中，所述第一金属和所述第二金属具有不同的化学成分，所述扩散阻挡部的材料和所述第二金属具有不同的化学成分，并且所述扩散阻挡部的材料并非直接设置在所述第二金属与所述电介质材料之间。
22.根据权利要求21所述的装置，其中：
所述第一金属包括铜(Cu)；并且
所述第二金属包括钴(Co)。
23.根据权利要求21-22中的任一项所述的装置，其中：
所述第二互连结构是双重镶嵌结构。
24.根据权利要求21-22中的任一项所述的计算设备，其中：
所述管芯是处理器；并且
所述计算设备是移动计算设备，所述移动计算设备包括以下各项中的一项或多项：天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编码解码器、视频编码解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、罗盘、盖革计数器、加速度计、陀螺仪、扬声器、以及照相机。