1.一种硅类活性物质复合物，其特征在于，包含：
硅及所述硅的至少一部分氧化而成的硅氧化物，
相对于所述硅及所述硅氧化物的总重量，氧的含量限制在9％至20％重量百分比之间。
2.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，上述硅类活性物质复合物还包含所述硅的芯部以及包围所述芯部的硅氧化物壳。
3.根据权利要求2所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，所述硅氧化物壳的厚度在2nm至30nm的范围内。
4.根据权利要求2所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，所述硅氧化物壳的厚度在3nm至15nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，上述硅类活性物质复合物还包含硅基质以及分散在所述硅基质内的所述硅氧化物。
6.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，所述硅活性物质复合物的平均直径在30nm至300nm的范围内。
7.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，所述硅活性物质复合物的平均直径在30nm至200nm的范围内。
8.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，在所述硅类活性物质复合物的外围形成有导电层。
9.根据权利要求1所述的硅类活性物质复合物，其特征在于，所述导电层包含非晶质碳膜或导电性金属氧化物粒子。
10.一种硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，包括：
提供硅的粒子的步骤；以及
通过对所述硅的粒子进行氧化，来形成包含硅及所述硅的至少一部分氧化而成的硅氧化物的硅类活性物质复合物的步骤；
相对于所述硅及所述硅氧化物的总重量，氧的含量限制在9％至20％重量百分比之间。
11.根据权利要求10所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，在对所述硅的粒子进行氧化的步骤中，在含氧液相溶剂内，以化学氧化的方式对所述硅的粒子进行氧化。
12.根据权利要求11所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，所述含氧液相溶剂包含甲醇、异丙醇、过氧化氢、水或它们中的2种以上的混合溶剂。
13.根据权利要求10所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，在对所述硅的粒子进行氧化的步骤中，向所述硅的粒子注入氧离子。
14.根据权利要求13所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，为了排除硅的热氧化的同时使硅基质与注入的氧相结合，在50℃至200℃以下的低温下额外地进行热处理。
15.根据权利要求10所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，所述硅的粒子包含通过对硅的粗颗粒进行粉碎或研磨的工序获得的精细粒子。
16.根据权利要求15所述的硅类活性物质复合物的制备方法，其特征在于，通过对硅的粗颗粒进行粉碎或研磨的工序以及借助从所述粉碎或研磨工序诱导出的压缩以及剪应力中的至少一种来使所述硅的粒子化学氧化。