技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、多个有源区以及隔离结构。基底具有元件区域与围绕所述元件区域的周边区域。有源区位于所述元件区域中的所述基底中，其中自上视方向来看，邻近所述元件区域的边界的所述有源区的末端的边缘互相对准，且邻近所述元件区域的边界的所述有源区的末端的宽度大于所述有源区的其他部分的宽度。隔离结构配置于所述基底中，且围绕所述有源区以及位于所述周边区域中。
技术研发人员：王嫈乔;何建廷;戎乐天;邹世芳;林金隆;王函隽
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2016.09.22
技术公布日：2018.03.30