1.一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，包括在常规热化学方法制备CdS量子点的ZnO量子的基础上，用hioglycolic acid(TGA)代替thiogelycerol(TG)作为封端剂，更好的保护发射近白光的CdS量子点，以提高CdS量子点量子产率；所述CdS量子点制备的水溶液中加入一定比例的Triton X-100作为活性剂，减小溶有超亲水CdS量子点的去离子水的表面张力，使其能均匀附着于超疏水的PVK层之上。
2.根据权利要求1所述的一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，其特征在于：所述溶有超亲水CdS量子点的去离子水的铺展在超疏水的PVK层上旋涂之后，以190℃退火，提高结构稳定性，提器件高发光效率。
3.根据权利要求1所述的一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，其特征在于：所述CdS量子点退火之后，用Mg:Ag作阴极，以提高器件性能。