技术总结
本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板的烧结方法，包括预热阶段、干燥阶段、烧结致密化阶段和甲酸还氧烧结阶段；其中在预热阶段和干燥阶段采用非接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热，在烧结致密化阶段采用接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热。利用密闭腔体中辐射、传导和对流的热传导原理实现了可用于纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间烧结连接所需的温度曲线，并利用该真空炉量化的抽真空能力得到了可用于纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板所需的贫氧烧结气氛。本发明借助通用真空烧结/回流焊炉平台，无需特制的烧结工艺设备，适合于电力电子领域中各种集成半导体芯片封装模块的产业化生产。
技术研发人员：梅云辉;闫海东;李欣;陆国权
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610888951
技术研发日：2016.10.11
技术公布日：2017.05.10