1.一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为10.3％，x＝2时掺入的氮原子百分比为16.7％；x＝3时掺入的氮原子百分比为21.2％；x＝4时掺入的氮原子百分比为25.2％。
2.根据权利要求1所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述x＝2或3。
3.根据权利要求1所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述掺氧的Sb纳米相变薄膜材料厚度为45-65nm。
4.根据权利要求1或3所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述掺氧的Sb纳米相变薄膜材料厚度为50nm。
5.一种权利要求1所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持Ar气和O2的总流量为30sccm；其特征在于：具体包括以下步骤：
1)清洗SiO2/Si(100)基片；
2)安装好溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气和O2气的气体流量及溅射气压；
3)采用室温磁控溅射方法制备SbOx纳米相变薄膜材料，包括步骤a)和步骤b)：
a)将空基托旋转到Sb靶位，打开Sb靶位上的射频电源，设定的溅射时间100～200s，开始对Sb靶材表面进行溅射，清洁Sb靶材表面；
b)Sb靶位表面清洁完成后，关闭Sb靶位上所施加的射频电源，将待溅射的基片旋转到Sb靶位，打开Sb靶位上的射频电源，开始溅射SbOx薄膜；溅射完毕后获得所述的掺氧的Sb纳米相变薄膜材料。
6.根据权利要求5所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：Sb靶材的纯度以原子百分比计在99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa；所述的Sb靶材采用射频电源，溅射功率为25-35W。
7.根据权利要求6所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的Sb靶材采用射频电源，溅射功率为30W。
8.根据权利要求5所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度以体积百分比计在99.999％以上，溅射气压为0.3-0.5Pa。
9.根据权利要求8所述的一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述溅射气压为0.4Pa。
10.一种权利要求1所述掺氧的Sb纳米相变薄膜材料的用途，其特征在于：所述掺氧的Sb纳米相变薄膜材料用于相变存储器。