技术总结
本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；本发明采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持氩气和氧气的总流量为30sccm。本发明的掺氧的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氧原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
技术研发人员：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;薛建忠;张剑豪;孙月梅;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君
受保护的技术使用者：江苏理工学院
文档号码：201610911966
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.02.15