1.一种用于在多芯片集成中最小化产量损失的方法，所述方法包括：
在室中提供被支撑在载体上的第一集成电路芯片和第二集成电路芯片；
流动模塑料以覆盖所述第一集成电路芯片、所述第二集成电路芯片和所述载体；以及
在固化所述模塑料的同时将合成气体流入所述室中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述合成气体包括H2和N2。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：控制所述合成气体在所述室中的压力，以增加所述合成气体渗入到所述第一集成电路芯片的栅极氧化物和硅表面的程度。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：控制所述合成气体的温度以增加所述合成气体渗入所述第一集成电路芯片的栅极氧化物和硅表面的程度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述合成气体流入所述室包括：通过在所述室的顶盖中限定的多个喷嘴引入所述合成气体。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个喷嘴关于中心喷嘴同心地布置。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括：调整所述多个喷嘴与所述第一集成电路芯片之间的距离以及H2和N2的摩尔百分比。
8.根据权利要求1所述的方法，其中固化所述模塑料发生在180℃以上以及300℃以下的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一集成电路芯片包括动态随机存取存储器(DRAM)芯片，所述第二集成电路芯片包括芯片上系统(SoC)，并且最小化产量损失包括减少DRAM数据保持时间的劣化。
10.根据权利要求9所述的方法，其中减少DRAM数据保持时间的劣化包括：通过使用所述合成气体再形成一个或多个破损键来减少由所述固化引起的多个破损硅-氢键。
11.一种装置，包括：
室，具有气体出口；
压板，位于所述室内并且被配置为支撑衬底；
材料引入端口，通过所述室中的第一开口限定；
气体引入端口，被配置为将气体的完全可调混合物传输到所述室中；
控制器，被配置为确定将通过所述气体引入端口流动的所述气体的完全可调混合物的摩尔比、压力和温度；以及
加热器，被配置为当所述室中存在所述气体的完全可调混合物时固化所述衬底上的模塑料，通过所述材料引入端口分配所述模塑料。
12.根据权利要求11所述的装置，还包括第一阀和第二阀，每个阀均被配置为基于来自所述控制器的控制信号进行调整，以分别向所述气体引入端口在第一压力下提供第一量的第一气体以及在第二压力下提供第二量的第二气体。
13.根据权利要求11所述的装置，还包括：加热器，被配置为在将所述气体的完全可调混合物通过所述气体引入端口传输到所述室中之前，加热所述气体的完全可调混合物。
14.根据权利要求11所述的装置，还包括：致动器，被配置为在三个正交方向上移动所述压板。
15.根据权利要求11所述的装置，还包括所述室的顶盖，其中所述材料引入端口与所述顶盖一体形成。
16.根据权利要求11所述的装置，其中所述气体引入端口包括关于中心喷嘴以同心圆方式布置的多个喷嘴。
17.根据权利要求11所述的装置，其中所述气体引入端口具有跨越所述压板的宽度的宽度。
18.根据权利要求11所述的装置，其中所述加热器被设置在所述压板内。
19.根据权利要求18所述的装置，其中所述控制器被配置为当所述加热器处于操作状态时通过所述气体引入端口传输所述气体的完全可调混合物。
20.根据权利要求11所述的装置，其中所述材料引入端口是分配设备的一部分，所述分配设备具有被配置为在两个垂直方向上移动所述引入端口的致动器。