梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用的制作方法

文档序号:11102603阅读:来源:国知局
技术总结
本发明的目的在于提供一种梯度合金量子点的制备及其该量子点在QLED器件的应用,目前量子点的制备可分为有机相合成和水相合成,水相合成温度较低,周期较短而其弊端亦是显而易见的,荧光寿命短,量子点产率低,杂质多等等,而目前高产率,荧光寿命长的量子点主要是通过油相合成。我们研发一种高效的梯度合金量子点制备方法。成功梯度合成合金量子点,具有荧光寿命长,半峰宽窄,绝对产率高等等特点的优质的梯度合金量子点并在QLED器件的应用。本发明的优点是:梯度合金量子点制备技术稳定,有机相合成量子产率高、量子点粒径更小。所制备的QLED易组装成本低且具有宽的吸收光谱和高的光电转换效率,具有比较高的开发价值。

技术研发人员:张虚谷;李清华;纪丽珊;金肖
受保护的技术使用者:南昌航空大学
文档号码:201611016700
技术研发日:2016.11.18
技术公布日:2017.05.10

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