技术总结
本发明公布了一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括：一N型掺杂的硅半导体层；一本征的硅基半导体层；一P型硅锗过渡层；一P型锗半导体层；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏电极；一在P型锗半导体材料上形成的源电极；一在I型半导体层上生长的氧化铪介质层；一在氧化铪介质层上形成的栅金属电极。
技术研发人员：刘丽蓉;王勇;丁超
受保护的技术使用者：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
文档号码：201611077051
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.05.31