集成电路器件及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

技术研发人员：M.坎托罗;许然喆;M.T.卢克
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.05.26
技术公布日：2017.12.05