技术特征：
技术总结
公开了一种垂直存储器件及其制造方法。垂直存储器件可以包括：衬底、在衬底上的栅极堆叠结构和沟道结构、以及在栅极堆叠结构与沟道结构之间的电荷俘获结构。栅极堆叠结构包括在衬底上在垂直方向上彼此交替地堆叠使得单元区域和单元间区域在垂直方向上交替地布置的导电结构和绝缘夹层结构。沟道结构在垂直方向上穿透栅极堆叠结构。电荷俘获结构和导电结构在单元区域处限定存储单元。电荷结构被构造为选择性地存储电荷。电荷俘获结构包括在单元间区域中的用于减少在垂直方向上彼此相邻的相邻存储单元之间的联接的防联接结构。
技术研发人员：金森宏治;殷东锡
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2018.02.06