IZ0的有机电致发光器件。
[0061]先将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为MoO3,厚度为SOnm ;蒸镀空穴传输层:材料为TCTA，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为ADN,厚度为5nm ;蒸镀电子传输层,材料为Bphen,厚度为200nm ;蒸镀电子注入层，材料为CsF，厚度为1nm ;蒸镀阴极，采用磁控溅射方式在所述电子注入层表面蒸镀制备第一薄膜层，材料为ΑΖ0，厚度为50nm，接着通过电子束蒸镀制备掺杂层，材料为 0XD-7: Nb2O5:F4-TCNQ，0XD-7, Nb2O5 与 F4-TCNQ 的质量比分别为 100:30:1，接着通过磁控派射制备有第二薄膜层，材料为ΙΖ0,厚度为50nm。
[0062]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/S ；
[0063]磁控溅射方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_3Pa，磁控溅射的加速电压:300V，磁场约:200G，功率密度:lW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s。
[0064]实施例3
[0065]本实施例制备的结构为IZ0/W03/TAPC/Alq3/TAZ/Cs2C03/IZ0/BCP:V2O5: 2T-NATA/ITO的有机电致发光器件。
[0066]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为WO3,厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为30nm ;蒸镀发光层:所选材料为Alq3,厚度为40nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为60nm ;蒸镀电子注入层，材料为Cs2CO3，厚度为0.5nm ;蒸镀阴极，采用磁控溅射方式在所述电子注入层表面蒸镀制备第一薄膜层，材料为IZ0，厚度为150nm，接着通过电子束蒸镀制备掺杂层，材料为BCP: V2O5: 2T-NATA, BCP7V2O5与2T-NATA的质量比分别为50:10:1，接着通过磁控溅射制备有第二薄膜层，材料为ΙΤ0，厚度为200nm。
[0067]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ；
[0068]磁控溅射方式的具体工艺条件为:工作压强为5X10_5Pa，磁控溅射的加速电压:800V，磁场约:50G，功率密度:40W/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s。
[0069]实施例4
[0070]本实施例制备的结构为IZ0/V205/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/IT0/P015:Nb2O5:F4-TCNQ/IT0的有机电致发光器件。
[0071]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5，厚度为30nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TCTA，厚度为50nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为5nm ;蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为40nm ;蒸镀电子注入层，材料为CsN3，厚度为0.5nm ;蒸镀阴极，采用磁控溅射方式在所述电子注入层表面蒸镀制备第一薄膜层，材料为IT0，厚度为120nm，接着通过电子束蒸镀制备掺杂层，材料为P015: Nb2O5:F4-TCNQ，POl5,Nb2O5与F4-TCNQ的质量比分别为60:17:1，接着通过磁控溅射制备有第二薄膜层，材料为IT0，厚度为lOOnm。
[0072]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_4Pa，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s ；
[0073]磁控溅射方式的具体工艺条件为:工作压强为5X10_4Pa，磁控溅射的加速电压:500V，磁场约:150G，功率密度:10W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s。
[0074]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由第一薄膜层，掺杂层和第二薄膜层组成，所述第一薄膜层和第二薄膜层材料相同材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种，所述掺杂层包括VB族金属氧化物，空穴注入材料及有机电子传输材料，所述VB族金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌和五氧化二钒中至少一种，所述空穴注入材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中至少一种，所述有机电子传输材料HOMO能级为-6.5eV?-7.5eV,玻璃化转变温度为50°C?100°C。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂层中所述有机电子传输材料，VB族金属氧化物与空穴注入材料的质量比为(50?100): (10?30):1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电子传输材料选自1，2，4-三唑衍生物、2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和2，8-二(二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩中至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一薄膜层厚度为50nm?10nm,惨杂层厚度为10nm?200nm,所述第二薄膜层厚度为50nm?200nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层 '及 在电子注入层表面通过磁控溅射的方法制备第一薄膜层，接着在所述第一薄膜层表面通过电子束方式制备掺杂层，所述掺杂层包括VB族金属氧化物，空穴注入材料及有机电子传输材料，所述VB族金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌和五氧化二钒中至少一种，所述空穴注入材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中至少一种，所述有机电子传输材料HOMO能级为-6.5eV?-7.5eV，玻璃化转变温度为50°C?100°C，通过磁控溅射的方式在所述掺杂层表面蒸镀制备所述第二薄膜层，所述第一薄膜层和第二薄膜层材料相同材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述掺杂层中所述有机电子传输材料，VB族金属氧化物与空穴注入材料的质量比为(50?100):(10?30):1。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述有机电子传输材料选自1，2，4-三唑衍生物、2，2’-(1，3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩中至少一种。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述第一薄膜层厚度为50nm?10nm,掺杂层厚度为10nm?200nm,所述第二薄膜层厚度为50nm?200nmo
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述磁控溅射方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，磁控溅射的加速电压:300V?800V，磁场约:50G?200G，功率密度:lW/cm2?40W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10ff/cm2?100W/cm2,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由第一薄膜层，掺杂层和第二薄膜层组成，所述第一薄膜层和第二薄膜层材料相同材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种，所述掺杂层包括VB族金属氧化物，空穴注入材料及有机电子传输材料，所述VB族金属氧化物选自五氧化二钽、五氧化二铌和五氧化二钒中至少一种，所述有机电子传输材料HOMO能级为-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度为50℃～100℃。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-54, H01L51-56, H01L51-52
【公开号】CN104638151
【申请号】CN201310548218
【发明人】周明杰, 黄辉, 张娟娟, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月6日