有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0003]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由三兀掺杂层和空穴传输材料掺杂层组成，所述三元掺杂层包括发光材料，有机硅小分子材料及铜的化合物材料，所述发光材料选自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV?-5.5eV，所述铜的化合物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种，所述空穴传输材料掺杂层包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的镁的化合物材料，所述空穴传输材料选自1，1- 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种。
[0006]所述三元掺杂层的厚度为300nm?600nm，所述空穴传输材料掺杂层的厚度为10nm ?300nm。
[0007]所述三元掺杂层中发光材料，有机硅小分子材料与铜的化合物材料的质量比为(4?15): (I?5):1，所述空穴传输材料掺杂层中所述空穴传输材料与所述镁的化合物材料的质量比为7:1?18:1。
[0008]所述有机娃小分子材料选自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_双(三苯基娃)苯及P-双(三苯基娃)苯中至少一种。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]在玻璃基底表面蒸镀制备散射层,所述散射层由三兀掺杂层和空穴传输材料掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用电子束蒸镀制备三元掺杂层，所述三元掺杂层包括发光材料，有机硅小分子材料及铜的化合物材料，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, 1,7, 7-0甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV?-5.5eV，所述铜的化合物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种，在所述三元掺杂层表面通过热阻蒸镀制备所述空穴传输材料掺杂层，所述空穴传输材料掺杂层包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的镁的化合物材料，所述空穴传输材料选自1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烧、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种；
[0011]在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物 '及
[0012]在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
[0013]所述三元掺杂层的厚度为300nm?600nm，所述空穴传输材料掺杂层的厚度为10nm ?300nm。
[0014]所述三元掺杂层中发光材料，有机硅小分子材料与铜的化合物材料的质量比为(4?15): (I?5):1，所述空穴传输材料掺杂层中所述空穴传输材料与所述镁的化合物材料的质量比为7:1?18:1。
[0015]所述有机娃小分子材料选自二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二(三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯及P-双(三苯基娃)苯中至少一种。
[0016]所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，工作电流为IA?5A,有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/sο
[0017]所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2?lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0018]上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，散射层由三兀掺杂层和空穴传输材料掺杂层组成，三兀掺杂层包括发光材料，有机娃小分子材料及铜的化合物材料，发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，有机硅小分子材料为宽能隙，并且有机硅小分子材料的HOMO能级很低，可提高空穴的注入能力，有机硅小分子材料的LUMO能级很高，可阻挡电子的传输，避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流，有机硅小分子材料的玻璃化转变温度载50°C以下，极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，铜的化合物材料的HOMO能级较低，有利于空穴的注入，并且原子半径较大，有利于光子的散射，空穴传输掺杂层由空穴传输材料与镁化合物组成，空穴传输材料掺杂层的空穴传输材料可提高空穴的传输速率，镁的化合物材料的功函数较低，可提高空穴的注入能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。
【附图说明】
[0019]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0020]图2为一实施方式的有机电致发光器件的结构中散射层结构示意图；
[0021]图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0023]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、散射层20、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
[0024]玻璃基底10为折射率为1.8?2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10 优选为牌号为 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0025]参考图2所不散射层20形成于玻璃基底10的一侧表面。散射层20由三兀掺杂层201和空穴传输材料掺杂层202组成，所述三元掺杂层201包括发光材料，有机硅小分子材料及铜的化合物材料，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中至少一种，所述有机硅小分子材料的能隙为-3.5eV?-5.5eV，所述铜的化合物材料选自碘化亚铜(Cul)、氧化亚铜(Cu20)、酞菁铜(CuPc)及氧化铜(CuO)中至少一种，所述空穴传输材料掺杂层202包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的镁的化合物材料，所述空穴传输材料选自I，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)、氯化镁(MgCl2)及硫化镁(MgS )中至少一种。
[0026]所述三元掺杂层201的厚度为300nm?600nm，所述空穴传输材料掺杂层202的厚度为 10nm ?300nm。
[0027]所述三元掺杂层201中发光材料，有机硅小分子材料与铜的化合物材料的质量比为(4?15): (I?5):1，所述空穴传输材料掺杂层202中所述空穴传输材料与所述镁的化合物材料的质量比为7:1?18:1