利用照相制版工序，在铝层11上形成抗蚀剂18。将该抗蚀剂18作为掩膜而对铝层11进行蚀刻。然后，将抗蚀剂18去除。利用该制造工序，能够形成图15?17的在线检查用监视器。
[0062]在本实施方式中，与实施方式I相同地，在晶片加工中，在切割区域3的在线检查用监视器15上也不残留铝层11。由此，能够消除铝层11向切割刀片的咬入，因此能够减少由来自切割区域侧的削片、裂纹引起的耐压劣化不良。另外，无需在在线检查之后，将测定用电极蚀刻去除，因此制造工序简化。另外，晶片加工完毕后的在线检查，基本上能够用以微小电流能够测定的监视器代替，因此能够将硅化物12c、12d用作测定用电极。
[0063]另外，在本实施方式的制造方法中，与实施方式I相比，能够将照相制版工序的光致掩膜削减I片，能够省略晶片加工的工序数，因此能够提高晶片加工的生产能力。
[0064]此外，接触孔的尺寸变为硅化物12c、12d的尺寸，进而变为在线检查用监视器的测定用电极的尺寸。而且，切割区域3的层间绝缘膜9的接触孔，由于在线检查时供检查针19a、19b接触，因此需要以所需的面积形成。另外，在P型层16上形成硅化物12c、12d，因此与接触孔相比，需要将P型层16形成为较大。
[0065]实施方式3
[0066]图21是表示本发明的实施方式3所涉及的在线检查用监视器的俯视图。图22以及图23是沿着图21的X-X’线的剖面图。在线检查用监视器15的测定用电极即铝电极Ilc具有供切割刀片20通过的槽23。
[0067]作为制造工序，如图12以及图13所示，将铝层11图案化，分离为在P型基极层5以及P型层16上分别配置的铝电极llb、llc。因此，该铝电极Ilc以与半导体装置2的发射极电极Ila相同的厚度，同时地形成。并且，将铝电极Ilc的一部分去除，在铝电极Ilc上形成槽23。
[0068]在进行在线检查时，使检查针19a、19b与铝电极Ilc接触。并且，在切割半导体晶片I时，用切割刀片20将槽23的部分切断。由此，能够消除铝层向切割刀片20的咬入，能够减少由来自切割区域侧的削片、裂纹引起的耐压劣化不良。另外，无需在在线检查之后，将测定用电极蚀刻去除，因此制造工序简化。
[0069]A是利用切割刀片20进行切割的切割宽度，B是测定用电极即铝电极Ilc的槽23的宽度，C是在线检查的检查针19a、19b的直径。例如，在切割刀片20的宽度为30 μ m、切割刀片20的位置精度为α μ m的情况下，作为切割宽度Α，需要确保为30+α μπι?因此，需要使测定用电极即铝电极Ilc的槽23的宽度B比30+α μπι大。并且，为了使检查针19a、19b不直接接触阻挡金属10c、10d，需要使槽23的宽度B比检查针19a、19b的直径C小。
[0070]另外，功率半导体装置为了降低功率损耗而使厚度变薄，因此晶片的机械强度下降。因此，如实施方式I所示，在检查针19a、19b与较薄的阻挡金属10c、1d物理性接触的情况下，有可能检查针19a、19b刺入硅，无法进行正确的测定，产生裂纹、晶片的裂痕等。对此，在本实施方式中，检查针19a、19b与较厚的铝电极Ilc接触，由此铝作为缓冲材料而动作。
[0071]图24是表示本发明的实施方式3所涉及的在线检查用监视器的变形例的俯视图。图25以及图26是沿着图24的X-X’线的剖面图。在在线检查用监视器15的铝电极Ilc的槽23处，将阻挡金属10c、1d去除。由此，与实施方式2相同地，能够使照相制版工序中的光致掩膜削减I片，能够省略晶片加工的工序数，因此能够提高晶片加工的生产能力。
[0072]此外，半导体装置并不限定于由硅形成，也可以由与硅相比带隙较大的宽带隙半导体形成。宽带隙半导体例如是炭化硅、氮化镓类材料或者金刚石。由这样的宽带隙半导体形成的半导体装置，由于耐电压性、容许电流密度较高，因此能够小型化。通过利用该小型化的半导体装置，能够将组装有该半导体装置的半导体模块也小型化。另外，由于半导体装置的耐热性较高，因此能够将散热器的散热片小型化，能够对水冷部进行空气冷却，所以能够进一步将半导体模块小型化。另外，半导体装置为低电力损耗、且高效率，因此，能够使半导体模块高效率化。
【主权项】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于， 具备: 形成半导体晶片的工序，该半导体晶片具有:多个半导体装置，它们隔着切割区域而配置；以及在线检查用监视器，其配置在所述切割区域内； 在形成所述半导体晶片之后，利用所述在线检查用监视器进行所述半导体装置的在线检查的工序；以及 在所述在线检查之后，沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行切割，将所述多个半导体装置逐个地分离的工序， 形成所述半导体晶片的工序具有: 将所述半导体装置的第I扩散层和所述在线检查用监视器的第2扩散层同时地形成的工序； 在所述第I扩散层及第2扩散层上同时地形成金属层的工序；以及 将所述第2扩散层上的所述金属层的至少一部分去除的工序， 在切割所述半导体晶片时，在所述第2扩散层上，利用切割刀片将去除了所述金属层的部分切断。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 形成所述半导体晶片的工序具有: 在形成所述金属层之前，在所述第I扩散层及第2扩散层上，同时地形成阻挡金属的工序；以及 将所述阻挡金属图案化，而分离为在所述第I扩散层及第2扩散层上分别配置的第I阻挡金属及第2阻挡金属的工序， 在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2阻挡金属接触。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 形成所述半导体晶片的工序具有下述工序，即， 进行热处理，在所述第I扩散层及第2扩散层和所述金属层之间分别同时地形成第I硅化物及第2硅化物的工序， 在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2硅化物接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 形成所述半导体晶片的工序具有: 将所述金属层图案化，而分离为在所述第I扩散层及第2扩散层上分别配置的第I金属层及第2金属层的工序；以及 将所述第2金属层的一部分去除，在所述第2金属层上形成槽的工序， 在进行所述在线检查时，使检查针与所述第2金属层接触， 在切割所述半导体晶片时，利用所述切割刀片将所述槽的部分切断。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 所述槽的宽度比所述检查针的直径小，比所述切割刀片的宽度大。
【专利摘要】本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够减少由来自切割区域侧的削片、裂纹引起的耐压劣化不良，能够无需在在线检查之后，将测定用电极蚀刻去除。将半导体装置(2)的P型基极层(5)和在线检查用监视器(15)的P型层(16)同时地形成。在P型基极层(5)以及P型层(16)上同时形成铝层(11)。在P型层(16)上，将铝层(11)的至少一部分去除。在切割半导体晶片(1)时，在P型层(16)上，利用切割刀片(20)将去除了铝层11的部分切断。
【IPC分类】H01L21-66, H01L21-78
【公开号】CN104821292
【申请号】CN201510050184
【发明人】吉田拓弥, 高野和丰
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年1月30日
【公告号】DE102014223787A1, US20150221564