一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置。
【背景技术】
[0002]电致发光(Electroluminescent，简称EL)器件主要由依次形成在衬底上的外延层、N型半导体层、P型半导体层以及分别与N型半导体层、P型半导体层相接触的N电极、P电极构成。
[0003]目前衬底材料主要采用蓝宝石(Al2O3)构成，Al2O3由于自身的晶格常数失配和热应力失配，使得在其上生长的外延层中会产生大量结构缺陷，影响器件发光性能，不利于大面积发光源的制备。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、背光源组件，可减小外延层中的结构缺陷，实现大面积发光源的量产化。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0006]一方面、本发明实施例提供了一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括:在衬底层上形成缓冲层的步骤；所述在衬底层上形成缓冲层的步骤包括:在基底层上形成缓冲层；其中，构成所述基底层的材料与构成所述缓冲层的材料晶格常数相匹配；采用图案转印工艺，将包括有所述缓冲层与所述基底层的层叠结构转印至所述衬底层上；其中，所述缓冲层与所述衬底层直接接触；去除所述基底层，露出所述缓冲层。
[0007]可选的，所述图案转印工艺包括:热转印、激光转印、压力转印以及胶体转印中的任一种。
[0008]可选的，所述缓冲层由石墨烯构成。
[0009]进一步优选的，所述基底层由Cu、N1、Co、Ru、Au以及Ag中的至少一种材料构成。
[0010]进一步优选的，所述制备方法还包括:在形成的所述缓冲层上依次形成第一半导体层、第二半导体层；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层互为N型半导体与P型半导体。
[0011]进一步优选的，所述制备方法还包括:在形成的所述第二半导体层上形成由透明导电材料构成的电极层；其中，所述电极层与由石墨烯构成的所述缓冲层互为阴极与阳极。
[0012]在上述基础上优选的，所述衬底层至少由二氧化娃构成。
[0013]另一方面、本发明实施例还提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件采用上述权利要求1至7任一项所述的制备方法获得。
[0014]可选的，所述缓冲层由石墨烯构成。
[0015]进一步优选的，所述电致发光器件还包括:位于所述缓冲层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层互为N型半导体与P型半导体。
[0016]进一步优选的，所述电致发光器件还包括:位于所述第二半导体层上的由透明导电材料构成的电极层；其中，所述电极层与由石墨烯构成的所述缓冲层互为阴极与阳极。
[0017]进一步优选的，所述缓冲层为阴极；所述电极层为阳极；所述第一半导体层为N型半导体；所述第二半导体层为P型半导体。
[0018]在上述基础上优选的，所述衬底层至少由二氧化娃构成。
[0019]优选的，所述电致发光器件还包括:由透明材料构成的外壳；粘结所述外壳与所述衬底层的四周的封框胶；其中，形成于所述衬底层上的所述缓冲层、所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述电极层均位于所述外壳内部。
[0020]再一方面、本发明实施例还提供了一种背光源组件，包括上述的电致发光器件。
[0021]又一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的背光源组件。
[0022]基于此，本发明实施例提供的上述制备方法，通过采用图案转印的方式将已经生长好的缓冲层11转移至衬底层10上，因此不会产生由于缓冲层11与衬底层10晶格常数匹配较差而导致的缓冲层11中出现结构缺陷，保证了器件的良好发光性能，从而可实现大面积发光源的量产化制备。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1a至图1c依次为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤SOl至S03的分步不意图；
[0025]图2为现有技术提供的一种电致发光器件的结构示意图；
[0026]图3为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤S04的示意图；
[0027]图4为电致发光器件的发光原理示意图；
[0028]图5为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤S05的示意图；
[0029]图6为本发明实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图。
[0030]附图标记:
[0031]01-电致发光器件；10_衬底层；11_缓冲层；12_第一半导体层；13_第二半导体层；14_电极层；15_外壳；16-封框胶；02_层叠结构；20_基底层。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
[0034]并且，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“四周”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0035]本发明实施例提供了一种电致发光器件01的制备方法，该制备方法包括:在衬底层10上形成缓冲层11的步骤；具体包括以下步骤:
[0036]S01、如图1a所示，在基底层20上形成缓冲层11 ;其中，构成基底层20的材料与构成缓冲层11的材料晶格常数相匹配；
[0037]S02、如图1b所示，采用图案转印工艺，将包括有缓冲层11与基底层20的层叠结构02转印至衬底层10上；其中，缓冲层11与衬底层10直接接触；
[0038]S03、如图1c所示，去除基底层20 (图中以虚线示意出)，露出缓冲层11。
[0039]需要说明的是，第一、晶格常数(Lattice Constant)是晶体物质的基本结构参数，它与原子间的结合能有直接的关系；晶格常数的变化反映了晶体内部的成分、受力状态等的变化。某一种材料易于在与其晶格常数相匹配的另一种材料上生长成膜，而不会出现由于两种材料晶格常数不匹配而产生的成膜材料(如上述的缓冲层11)中出现结构缺陷。
[0040]因此，在上述步骤SOl中，为了使缓冲层11在基底层20上易于直接生长且结构中较少出现缺陷，构成基底层20的材料与构成缓冲层11的材料晶格常数应相匹配。示例的，当缓冲层11是由石墨稀(Graphene)构成时，基底层20优选地由Cu、N1、Co、Ru、Au以及Ag中的至少一种材料构成。
[0041]第二，在上述步骤S02中，上述的图案转印工艺，是指将形成在中间载体上的具有一定图案的膜层(如上述的缓冲层11)转移到目标载体(如上述的衬底层10)上的工艺。即将已经生长好的缓冲层11转移至衬底层10上，从而不会产生由于缓冲层11与衬底层10晶格常数匹配较差而导致的缓冲层11中出现结构缺陷。
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