TSTr、驱动TFT DTr、存储电容器StgC和有机发光二极管E ;第二基板(未示出)，其用于封装。
[0058]在第一基板101上，由金属材料制成的第一存储电极103被形成为对应于各元件区DA0
[0059]第一缓冲层104形成在第一存储电极103上并且可由(例如)硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料制成。优选地，而非限制地，第一缓冲层104的厚度是大约1000埃至4000埃。
[0060]第一缓冲层104是构成存储电容器StgC并且用作电介质层的一个组件，电介质层的厚度是确定存储电容器StgC的电容的因素。
[0061]换句话讲，随着第一缓冲层104的厚度变得越大，存储电容器StgC的电容变得越小，相反地，随着第一缓冲层104的厚度变得越小，存储电容器StgC的电容变得越大。
[0062]因此，为了使存储电容器StgC具有大电容，第一缓冲层104优选地可具有大约500埃至大约3000埃的厚度。
[0063]在相关技术OELD(图1的I)中，栅绝缘层(图1中的16)或层间绝缘层(图1中的23)用作电介质层。然而，栅绝缘层或层间绝缘层在减小其厚度方面具有限制，这是因为栅绝缘层或层间绝缘层用作存储电容器(图1的StgCl或StgC2)的电介质层并且也用作OLED的组件(即，绝缘层)。因此，不可以调节栅绝缘层或层间绝缘层的厚度。
[0064]然而，在第一实施方式的OELD 100中，第一缓冲层104是被独立采用以用作存储电容器StgC的电介质层的组件。因此，通过使用介电常数高于硅氧化物(S12)的硅氮化物(SiNx)形成第一缓冲层104，可减小存储电容器StgC的面积。另外，可按需要调节第一缓冲层104的厚度，并且在这种情况下，通过在不造成制造误差的范围内尽可能薄地形成第一缓冲层104，可使存储电容器StgC的电容最大。
[0065]由金属材料制成的第二存储电极106形成在第一缓冲层104上并且与第一存储电极103交叠。相互交叠的第一存储电极103、缓冲层104和第二存储电极106构成存储电容器 StgC。
[0066]在图3中，示出存储电容器StgC基本上遍及各元件区DA的开关区和驱动区形成。在替代实施方式中，如图4A和图4B中所示，存储电容器StgC可形成为与开关TFT STr交叠(参照图4A)或者与驱动TFT DTr交叠(参照图4B)。
[0067]第二缓冲层108形成在第二存储电极106上并且形成在整个第一基板101上方，并且可由例如硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料制成。
[0068]第二缓冲层108可用于防止第二存储电极106和多晶硅之间电短路，并且还用于防止由于当使非晶硅结晶以形成多晶硅的第一半导体层113和第二半导体层115时来自第一基板101的碱离子的发射而导致第一半导体层113和第二半导体层115的性能降低。
[0069]第一半导体层113和第二半导体层115分别形成在开关区和驱动区中，并且包括在各个中心部分形成并且由本征多晶硅制成的各个第一区113a和115a、以及形成在相应的两个侧部并且由高度掺杂杂质的多晶硅制成的各个第二区113b和115b。
[0070]即使在附图中未示出，第一半导体层113和第二半导体层115也可包括在第一区113a和115a与第二区113b和115b之间轻度掺杂有杂质的各个第三区。换句话讲，第三区的掺杂浓度小于第二区113b和115b的掺杂浓度。第三区可被称为LDD(轻度掺杂漏)区。
[0071]在附图中，不出第一半导体层113和第二半导体层115具有各个第一区113a和113b以及第二区113b和115b。
[0072]另选地，第一半导体层113和第二半导体层115可均由氧化物半导体材料而非多晶硅制成，氧化物半导体材料可以是IGZO (氧化铟镓锌)、ZTO (氧化锌锡)、Z1 (氧化锌铟)和ZnO(氧化锌)中的一种。当使用氧化物半导体材料时，可不形成掺杂有杂质的第二区和第三区。
[0073]栅绝缘层116形成在第一半导体层113和115上并且形成在整个第一基板101上方，并且可由无机绝缘材料(例如，硅氧化物(S12)和硅氮化物(SiNx)中的至少一种)形成。
[0074]第一栅极120a和第二栅极120b分别形成在开关区和驱动区中，并且分别对应于第一半导体层113和第二半导体层115，更详细地，分别对应于第一半导体层113的第一区113a和第二半导体层115的第一区113b。
[0075]第一栅极120a和第二栅极120b可形成为，均具有使用低电阻金属材料(例如，铝(Al)、铝合金(例如，AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金)中的一种的单层结构，或者具有使用上述金属材料中的至少两种的多层结构。
[0076]在附图中，示出第一栅极120a和第二栅极120b均具有单层结构。
[0077]即使在附图中未示出，选通线也由与第一栅极120a和第二栅极120b相同的材料与第一栅极120a和第二栅极120b形成在相同的层上。选通线连接到第一栅极120a并且沿着第一方向延伸。
[0078]层间绝缘层123形成在第一栅极120a和第二栅极120b和选通线上并且形成在整个第一基板101上方，并且可由无机绝缘材料(例如，硅氧化物(S12)和硅氮化物(SiNx))制成。
[0079]层间绝缘层123和栅绝缘层116包括半导体接触孔125，半导体接触孔125将第一半导体层113的第二区113b和第二半导体层115的第二区115b露出。另外，层间绝缘层123、栅绝缘层116和第二缓冲层108包括将第二存储电极106露出的存储接触孔sch。另夕卜，层间绝缘层123包括将第二栅极120b露出的栅接触孔gch。
[0080]在图4A和图4B中示出的替代实施方式中，存储接触孔sch形成在层间绝缘层123、栅绝缘层116和第二缓冲层108还有第一缓冲层104中，以将第一存储电极103露出。
[0081]当第一半导体层113和第二半导体层115由氧化物半导体材料制成时，半导体接触孔125将第一半导体层113和第二半导体层115中的每个的两侧露出。
[0082]通过对应的半导体接触孔125与第一半导体层113的对应第二区113b接触的第一源极133a和第一漏极136a、以及通过对应的半导体接触孔125与第二半导体层115的对应第二区115b接触的第二源极(未示出)和第二漏极136b形成在层间绝缘层123上。
[0083]当第一半导体层113和第二半导体层115由氧化物半导体材料制成时，第一源极133a和第一漏极136a与第一半导体层113的对应两侧区域接触，第二源极和第二漏极136b与第二半导体层115的对应两侧区域接触。
[0084]第一辅助图案137还形成在层间绝缘层123上，通过栅接触孔gch与第二栅极120b接触，并且连接到第一漏极136a。
[0085]即使在图中未示出，连接到第一源极133a并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线、以及与数据线平行并且连接到第二源极的电力线形成在层间绝缘层123上。
[0086]第一源极133a、第一漏极136a、第二源极、第二漏极136b、数据线和电力线可被形成为均具有使用低阻金属材料(例如，铝(Al)、铝合金(例如，AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金)中的一种的单层结构，或者具有使用上述金属材料中的至少两种的多层结构。
[0087]在附图中，示出第一源极133a、第一漏极136a、第二源极、第二漏极136b、数据线和电力线均具有单层结构。
[0088]顺序地位于开关区中第一半导体层113、栅绝缘层116、第一栅极120a、层间绝缘层123、第一源极133a和第一漏极136a构成开关TFT STr0顺序地位于驱动区中的第二半导体层115、栅绝缘层116、第二栅极120b、层间绝缘层123、第二源极和第二漏极136b构成驱动 TFT DTr0
[0089]钝化层160形成在第一源极133a、第一漏极136a、第二源极、第二漏极136b、数据线和电力线上，并且可由有机绝缘材料(例如，感光亚克力)或无机绝缘材料(例如，硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx))制成。
[0090]钝化层160包括将第二漏极136b露出的漏接触孔163。
[0091]在附图中，钝化层160由有机绝缘层制成，使得钝化层160的表面基本上是平坦的。
[0092]第一电极165形成在各像素区P的发光区EA中的钝化层160上，并且通过漏接触孔163连接到第二漏极136b。
[0093]第一电极165可由具有相对高逸出功的透明导电材料(例如，ITO (铟锡氧化物))制成，使得第一电极165用作阳极。另选地，第一电极165由具有低逸出功的金属材料(例如，铝(Al)、铝-钕合金(AlNd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和铝-镁合金(AlMg)中的至少一种)制成，使得第一电极165用作阴极。
[0094]堤167形成在第一电极165上和发光区EA的边界处。堤167环绕发光区EA，与第一电极165的边缘部分交叠，并且将第一电极165的中心部分露出。
[0095]堤167可由透明有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺)或黑色有机绝缘材料(例如，黑色树脂)制成。
[0096]有机发光层170形成在被堤167环绕的发光区EA的第一电极167上。第二电极173形成在有机发光层170和堤167上并且在整个显示区上方。
[0097]第一电极165和第二电极173以及其间的有机发光层构成有机发光二极管E。
[0098]尽管在图中未不出，但第一发光补偿层可形成在第一电极165和有机发光层170之间，并且可具有单层或多层结构。另外，第二发光补偿层可形成在第二电极173和有机发光层170之间并且可具有单层或多层结构。
[0099]当第一电极165用作阳极时，第一发光补偿层可具有包括顺序地位于第一电极165上的空穴注入层和空穴传输层的多层结构，第二发光补偿层可具有包括顺序地位于有机发光层170上的电子传输层和电子注入层的多层结构。
[0100]另选地，第一发光补偿层可具有空穴注入层或空穴传输层的单层结构，第二发光补偿层可具有电子注入层或电子传输层的单层结构。
[0101]第一发光补偿层还可包括电子阻挡层，第二发光补偿层还可包括空穴阻挡