半导体层213和第二半导体层215由氧化物半导体材料制成时，第一源极233a和第一漏极236a与第一半导体层213的对应的两侧区域接触，第二源极和第二漏极236b与第二半导体层215的对应两侧区域接触。
[0149]第一辅助图案237还形成在层间绝缘层223上，并且通过栅接触孔gch与第二栅极220b接触，并且连接到第一漏极236a。
[0150]即使在图中未示出，连接到第一源极233a并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线、以及与数据线平行并且连接到第二源极的电力线形成在层间绝缘层223上。
[0151]第一源极233a、第一漏极236a、第二源极、第二漏极236b、数据线和电力线可被形成为均具有使用低阻金属材料(例如，铝(Al)、铝合金(例如，AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金)中的一种的单层结构，或者具有使用上述金属材料中的至少两种的多层结构。
[0152]在附图中，示出第一源极233a、第一漏极236a、第二源极、第二漏极236b、数据线和电力线均具有单层结构。
[0153]顺序地位于开关区中第一半导体层213、栅绝缘层216、第一栅极220a、层间绝缘层223、第一源极233a和第一漏极236a构成开关TFT STr0顺序地位于驱动区中的第二半导体层215、栅绝缘层216、第二栅极220b、层间绝缘层223、第二源极和第二漏极236b构成驱动 TFT DTr0
[0154]钝化层260形成在第一源极233a、第一漏极236a、第二源极、第二漏极236b、数据线和电力线上，并且可由有机绝缘材料(例如，感光亚克力)或无机绝缘材料(例如，硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx))制成。
[0155]钝化层260包括将第二漏极236b露出的漏接触孔263。
[0156]在附图中，钝化层260由有机绝缘层制成，使得钝化层260的表面基本上是平坦的。
[0157]第一电极265形成在各像素区P的发光区EA中的钝化层260上，并且通过漏接触孔263连接到第二漏极236b。
[0158]第一电极265可由具有相对高逸出功的透明导电材料(例如，ITO (铟锡氧化物))制成，使得第一电极265用作阳极。另选地，第一电极265由具有低逸出功的金属材料(例如，铝(Al)、铝-钕合金(AlNd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和铝-镁合金(AlMg)中的至少一种)制成，使得第一电极265用作阴极。
[0159]堤267形成在第一电极265上和发光区EA的边界处。堤267环绕发光区EA，与第一电极265的边缘部分交叠，并且将第一电极265的中心部分露出。
[0160]堤267可由透明有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺)或黑色有机绝缘材料(例如，黑色树脂)制成。
[0161]有机发光层270形成在被堤267环绕的发光区EA中的第一电极267上。第二电极273形成在有机发光层270和堤267上并且在整个显示区上方。
[0162]第一电极265和第二电极273、以及其间的有机发光层270构成有机发光二极管
E0
[0163]尽管在图中未不出，但第一发光补偿层可形成在第一电极265和有机发光层270之间并且可具有单层或多层结构。另外，第二发光补偿层可形成在第二电极273和有机发光层270之间并且可具有单层或多层结构。
[0164]当第一电极265用作阳极时，第一发光补偿层可具有包括顺序位于第一电极265上的空穴注入层和空穴传输层的多层结构，第二发光补偿层可具有包括顺序位于有机发光层270上的电子传输层和电子注入层的多层结构。
[0165]另选地，第一发光补偿层可具有空穴注入层或空穴传输层的单层结构，第二发光补偿层可具有电子注入层或电子传输层的单层结构。
[0166]第一发光补偿层还可包括电子阻挡层，第二发光补偿层还可包括空穴阻挡层。
[0167]当第一电极265用作阴极时，第一发光补偿层和第二发光补偿层的以上位置改变。
[0168]当第一电极265用作阳极时，第二电极273可由具有相对低逸出功的金属材料(例如，铝(Al)、铝-钕合金(AlNd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和铝-镁合金(AlMg)中的至少一种)制成，使得第二电极273用作阴极。当第一电极265用作阴极时，第二电极273可由具有相对高逸出功的透明导电材料(例如，ΙΤ0)制成，使得第二电极273用作阳极。
[0169]采用作为封装基板的第二基板以面对具有以上组件的第一基板201。
[0170]可使用由密封剂或玻璃料制成的粘合剂材料将第一基板201和第二基板彼此附接以形成OELD面板，粘合剂材料沿着第一基板201和第二基板的外围部分设置。另外，第一基板201和第二基板之间的空间可用真空或惰性气体填充。
[0171]第二基板可由具有柔性的塑料材料或玻璃材料制成。
[0172]另选地，第二基板可形成为具有粘合剂层的膜型，并且可与第一基板201上的第二电极273接触。
[0173]另选地，在第二电极273上还可形成由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成的覆盖层，并且在这种情况下，覆盖层被用于封装层并且可去除用于封装的第二基板。
[0174]如上所述，第二实施方式的OELD 201使用被构造成与开关TFT STr和驱动TFTDTr中的至少一个交叠的存储电容器StgC。因此，OELD 201不需要额外区域以在各元件区DA之外形成存储电容器StgC。
[0175]因此，各像素区P中的元件区DA的面积可减小，通过利用元件区DA的减小面积用于发光区EA，可提高孔径比。
[0176]另外，由于存储电容器StgC可形成在整个元件区DA上方，所以可充分得到存储电容器StgC的电容。
[0177]因此，即使OELD 201具有300PPI或更大的高分辨率，也可防止由于存储电容的减小而导致的显示质量降低。
[0178]另外，由于存储电容器StgC与开关TFT STr和/或驱动TFT DTr交叠，因此存储电容器StgC用作遮蔽第一半导体层213和/或第二半导体层215使其免于照到外部光的组件，因此，可防止由于外部光进入半导体层而造成的漏电流导致TFT故障。
[0179]另外，当OELD 201使用柔性基板时，采用湿气阻挡层202。因此，可防止湿气和氧气渗入基板。另外，TFT下方的存储电容器StgC还可用作屏蔽层以屏蔽因柔性基板出现的静电而造成的电场，因此不需要添加屏蔽层的处理，因此可简化制造处理。
[0180]本领域的技术人员应该清楚，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可在本发明的显示装置中进行各种修改和变形。因此，本发明旨在涵盖本公开的修改和变形，只要它们在随附权利要求书及其等同物的范围内。
【主权项】
1.一种有机电致发光装置OELD，该有机电致发光装置包括: 第一基板，其包括像素区，所述像素区包括元件区和发光区； 存储电容器，其设置在所述元件区中，所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、和所述第一缓冲层上的第二存储电极； 第二缓冲层，其在所述存储电容器上； 多个TFT，其在所述元件区，并在所述第二缓冲层上； 钝化层，其在所述多个TFT上， 其中，所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠。2.根据权利要求1所述的OELD，所述OELD还包括在所述第一基板和所述第一存储电极之间的湿气阻挡层。3.根据权利要求2所述的OELD，其中，所述第一基板是柔性基板。4.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极均由金属材料制成，并且所述第一缓冲层由无机绝缘材料制成。5.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述多个TFT均包括: 半导体层； 栅绝缘层，其在所述半导体层上； 栅极，其在所述栅绝缘层上； 层间绝缘层，其在所述栅极上，并且包括将所述半导体层露出的半导体接触孔；以及源极和漏极，其在所述层间绝缘层上，并且通过对应的半导体接触孔与所述半导体层接触。6.根据权利要求5所述的OELD，其中，所述多个TFT包括开关TFT和驱动TFT，以及 其中，所述存储电容器与所述开关TFT和所述驱动TFT中的至少一个交叠。7.根据权利要求5所述的OELD，其中，所述半导体层由多晶硅或氧化物半导体材料制成。8.根据权利要求6所述的OELD，所述OELD还包括在所述层间绝缘层上的第一辅助图案， 其中，所述第一辅助图案连接到所述开关TFT的漏极、所述驱动TFT的栅极和所述存储电容器。9.根据权利要求8所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过存储接触孔连接到所述第二存储电极，所述存储接触孔形成在所述层间绝缘层、所述栅绝缘层和所述第二缓冲层中以将所述第二存储电极露出。10.根据权利要求8所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过存储接触孔连接到所述第一存储电极，所述存储接触孔形成在所述层间绝缘层、所述栅绝缘层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层中以将所述第一存储电极露出。11.根据权利要求8所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过栅接触孔连接到所述驱动TFT的栅极，所述栅接触孔形成在所述层间绝缘层中，以将所述驱动TFT的栅极露出。12.根据权利要求6所述的OELD，所述OELD还包括在所述发光区并在所述钝化层上的有机发光二极管， 其中，所述有机发光二极管通过漏接触孔连接到所述驱动TFT的漏极，所述漏接触孔 形成在所述钝化层中以将所述驱动TFT的漏极露出。
【专利摘要】有机电致发光装置。公开了一种有机电致发光装置OELD，该有机电致发光装置包括：第一基板，其包括像素区，所述像素区包括元件区和发光区；存储电容器，其设置在元件区中，所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、以及所述第一缓冲层上的第二存储电极；第二缓冲层，其在所述存储电容器上；多个TFT，其在所述元件区中并在所述第二缓冲层上；钝化层，其在所述多个TFT上，其中，所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105280679
【申请号】CN201510378957
【发明人】柳元相, 卢相淳, 申东菜, 崔善英
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年7月1日
【公告号】EP2963687A1, US20160005803