有机电致发光装置的制造方法
【专利说明】有机电致发光装置
[0001]本申请要求2014年7月3日在韩国提交的韩国专利申请N0.10-2014-0083164的优先权，该申请的全部内容特此出于所有目的以引用方式，如同在本文中完全阐明。
技术领域
[0002]本发明涉及有机电致发光装置(OELD)。特别地，本发明涉及可提高存储电容器的电容和像素区的孔径比并且实现高分辨率的0ELD。
【背景技术】
[0003]近来，面临信息社会，显示电信息信号的显示领域已经快速发展，因此，开发并使用了各种平板显示装置。
[0004]使用液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板装置(TOP)、场发射显示装置(FED)、电致发光显示装置(ELD)等作为平板显示装置。因为这些平板显示装置具有外形薄、重量轻和功耗低的优异性能，显示装置已经迅速成为传统阴极射线管(CRT)的替代品。
[0005]在这些平板显示装置之中，有机电致发光装置(OELD)具有高亮度和低驱动电压的性质。
[0006]另外，OELD因是自发光装置，可具有高对比度和非常薄的外形，容易以大约数微秒的响应速度显示移动图像，在视角方面没有限制，在低温下是稳定的，并且具有因DC 5V至15V的低驱动电压而容易制造和设计的驱动电路。
[0007]因此，具有以上优点的OELD用于诸如TV、监视器、移动电话等各种IT装置。
[0008]OELD被分类为无源矩阵型和有源矩阵型。无源矩阵型OELD具有彼此交叉的扫描线和信号线以形成矩阵形式的装置，根据时间顺序驱动扫描线以驱动各像素，因此为了实现所需的平均亮度，需要瞬时亮度达平均亮度乘以行数这么大。
[0009]然而，在有源矩阵型OELD中，在各像素区中形成作为用于开/关像素的开关元件的薄膜晶体管(TFT)，在各像素区中开/关与TFT连接的第一电极，面对第一电极的第二电极变成公共电极。
[0010]另外，在有源矩阵型OELD中，施加到像素区的电压被充入存储电容器中并且在施加下一帧的信号之前一直保持，因此不管扫描线的数量如何，针对一个帧继续驱动各像素。
[0011]因此，即使施加低电流，也发射相同亮度，因此优点是功耗低、精确度高且尺寸大。因此，近来，广泛使用有源矩阵型0ELD。
[0012]图1是示出根据相关技术的OELD的剖视图。
[0013]出于说明的目的，像素区P中形成开关TFT (未示出)、驱动TFT DTr的区域被称为元件区DA，像素区P中形成存储电容器StgC的区域被称为存储区StgA。
[0014]参照图1，包括本征多晶硅的第一区13a和掺杂有杂质的第二区13b的半导体层13、栅绝缘层16、栅极21、具有将各第二区13b露出的半导体接触孔25的层间绝缘层23、源极33和漏极36顺序位地于第一基板10上以形成驱动TFT DTr，源极33和漏极36分别与电力线(未不出)和有机发光二极管E连接。
[0015]有机发光二极管E包括彼此面对的第一电极47和第二电极63和其间的有机发光层60。第一电极47与各像素区中的驱动TFT DTr的电极接触，第二电极63形成在整个有机发光层60上。
[0016]存储电容器StgC形成在各像素区中，以保持视频信号，直到输入下一个视频信号为止。
[0017]关于存储电容器StgC的结构，由掺杂的多晶硅制成的第一存储电极15形成在与半导体层13相同的层上，用作电介质层的栅绝缘层16形成在第一存储电极15上，由与栅极21相同的材料制成的第二存储电极18形成在栅绝缘层16上，从而形成第一存储电容器StgClo
[0018]另外，层间绝缘层23形成在第二存储电极18上，电力线(未示出)形成在层间绝缘层23上，电力线在层间绝缘层23上的部分形成第三存储电极38。因此，第二存储电极18、层间绝缘层23和第三存储电极38形成第二存储电容器StgC2。
[0019]因此，相关技术的OELDl包括彼此并联连接的第一存储电容器StgCl和第二存储电容器StgC2，并且具有作为第一存储电容器StgCl的存储电容和第二存储电容器StgC2的存储电容之和的存储电容。
[0020]近来，迫切需要显示装置具有高分辨率。
[0021]显示装置的分辨率被定义为PPI (每英寸的像素)，高分辨率显示装置意指具有300PPI或更大的显示装置。另外，近来，需要具有500PPI或更大的超级分辨率的显示装置。
[0022]为了实现超级分辨率，应该增加每个单元面积的像素区的数量，这意味着各像素区的尺寸减小。
[0023]当像素区的尺寸减小时，构成像素区的组件也减小，因此存储电容器的面积减小。这样造成存储电容器减小。
[0024]另外，当像素区的尺寸减小时，有机发光层的尺寸减小，存储电容因此减小，但并不成比例。
[0025]换句话讲，因为由于存储电容器的尺寸减小而导致的存储电容的减小大于像素区的减小，像素区中用于形成存储电容器的面积需要进一步增大。
[0026]另外，当在像素区中存储电容器的面积增大时，存储电容器的面积相对进一步增大，因此孔径比减小。
[0027]柔性OELD使用塑料膜替代玻璃基板从而具有柔性，因此柔性OELD的质量轻并且耐冲击力高，并且因为OLED可弧形弯曲或弯曲，所以可以按各种形式来制造柔性0ELD。因此，近来研究的是柔性0ELD。
[0028]然而，由塑料膜制成的柔性基板相比于玻璃基板在接触湿气和氧气时性能差。因此，由于湿气和氧气逐渐渗入柔性基板，导致柔性基板的柔性受损或者柔性基板的内部电路受损。
[0029]另外，柔性基板往往会由于静电而带电，并且由于感生电场，导致TFT发生故障并且显示质量因此降低。
【发明内容】
[0030]因此，本发明致力于基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的问题中的一个或更多个的OLED。
[0031]本发明的目的是提高存储电容器的电容并且提高孔径比而没有增大存储电容器的面积。
[0032]本发明的额外特征和优点将在随后的描述中阐述，部分地根据描述而清楚，或者可以通过本公开的实践而得知。将通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开的优点。
[0033]为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述的，一种有机电致发光装置(OELD)包括:第一基板，其包括像素区，所述像素区包括元件区和发光区；存储电容器，其设置在元件区中，所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、以及所述第一缓冲层上的第二存储电极；第二缓冲层，其在所述存储电容器上；多个TFT，其在所述元件区中的所述第二缓冲层上；钝化层，其在所述多个TFT上，其中，所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠。
[0034]要理解，以上的总体描述和以下的详细描述都是示例性的和说明性的，并且旨在对要求保护的本发明提供进一步说明。
【附图说明】
[0035]附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并入且构成本说明书的一部分，附图示出本公开的实施方式并且与描述一起用于说明本公开的原理。在附图中:
[0036]图1是示出根据相关技术的OELD的剖视图；
[0037]图2是根据本发明的OELD的像素区的电路图；
[0038]图3是示出根据本发明的第一实施方式的OELD的像素区的剖视图；
[0039]图4A和图4B是示出根据本发明的替代实施方式的OELD的像素区的剖视图；
[0040]图5是示出根据本发明的第二实施方式的OELD的像素区的剖视图；以及
[0041]图6A和图6B是示出根据本发明的替代实施方式的OELD的像素区的剖视图。
【具体实施方式】
[0042]现在，将详细参照实施方式，在附图中示出这些实施方式的示例。可在整个附图中使用相同或类似的参考标号来表示相同或类似的部件。
[0043]图2是根据本发明的OELD的像素区的电路图。
[0044]参照图2，本发明的OELD的像素区P包括选通线GL、数据线DL、电力线PL、开关TFT STr、驱动TFT DTr、存储电容器StgC和有机发光二极管E。
[0045]更详细地，选通线GL沿着第一方向延伸并且相互分隔开，数据线DL沿着与第一方向交叉的第二方向延伸并且相互分隔开。电力线PL与数据线DL分隔开并且供应电源电压。
[0046]像素区P被定义为选通线GL和数据线DL所环绕的区域。
[0047]在各像素区P中，开关TFT STr形成在选通线GL和数据线DL的交叉部分中，驱动TFT DTr电连接到开关TFT STr0
[0048]作为有机发光二极管E的末端端子的第一电极连接到驱动TFT DTr的漏极，作为有机发光二极管E的另一个末端端子的第二电极连接到接地端子。因此，当驱动TFT DTr导通时，电力线PL的电源电压被传递到有机发光二极管E。
[0049]存储电容器StgC连接在驱动TFT DTr的栅极和源极之间。
[0050]当通过选通线GL施加选通信号时，开关TFT STr导通，数据线DL的信号被传递到驱动TFT DTr的栅极。因此，驱动TFT DTr导通，有机发光二极管E发光。
[0051]当驱动TFT DTr导通时，确定从电力线PL流向有机发光二极管E的电流的电平，因此，有机发光二极管E可实现灰度级。
[0052]另外，存储电容器StgC用于在开关TFT STr截止时保持驱动TFT DTr的栅电压。因此，即使开关TFT STr处于截止状态，在下一帧之前也可保持流向有机发光二极管E的电流的电平。
[0053]下文中，说明根据本发明的OELD的构造的实施方式。
[0054]<第一实施方式>
[0055]图3是示出根据本发明的第一实施方式的OELD的像素区的剖视图。
[0056]出于说明的目的，像素区P中形成开关TFT STr、驱动TFT DTr和存储电容器StgC的区域被称为元件区DA，像素区P中形成有机发光二极管E的区域被称为发光区EA。另外，元件区DA中形成开关TFT STr和驱动TFT DTr的各个区域被称为开关区和驱动区。
[0057]参照图3，第一实施方式的OELD 101包括:第一基板101，其在上面具有开关TF