栅极结构为掩膜，对第四栅极结构两侧的第四鳍部进行第四LDD离子注入和第四halo离子注入中的至少一个，所述第四LDD离子注入与第三LDD离子注入同时进行，所述第四halo离子注入与所述第三halo离子注入同时进行。
[0180]本实施例中，第三栅极结构的长度为1nm?200nm，第三栅极结构的长度也为第三栅极结构的特征尺寸。第三栅极结构的宽度为0.Ιμπι?5μπι。两个相邻的第三栅极结构之间的距离需要大于40nm。第三栅极结构的顶部面积占二极管区的半导体衬底的顶部面积的10%?60%。
[0181]第五实施例
[0182]发明还提供一种半导体结构，该半导体结构根据第四实施例的形成方法而形成。具体包括:
[0183]半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管；
[0184]位于所述二极管区、所述晶体管区的半导体衬底内的第三阱区；
[0185]位于第三阱区上的第四阱区，所述第四阱区类型与第三阱区类型不同；
[0186]位于二极管区的半导体衬底上的至少一个第三栅极结构；
[0187]位于晶体管区的半导体衬底上的至少一个第四栅极结构；
[0188]所述第三栅极结构两侧的半导体衬底内具有第三halo离子注入区和第三LDD离子注入区，或者具有第三halo离子注入区和第三源漏离子注入区，或者具有第三halo离子注入区、第三LDD离子注入区和第三源漏离子注入区；
[0189]所述第四栅极结构两侧的晶体管区的半导体衬底内具有所述晶体管的源极和漏极。
[0190]本实施例中，第三栅极结构的长度为1nm?200nm，第三栅极结构的长度也为第三栅极结构的特征尺寸。第三栅极结构的宽度为0.Ιμπι?5μπι。两个相邻的第三栅极结构之间的距离需要大于40nm。第三栅极结构的顶部面积占二极管区的半导体衬底的顶部面积的10%?60%。
[0191]具体请参考第一实施例。
[0192]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管，所述二极管区至少具有一个第一鳍部，所述晶体管区至少具有一个第二鳍部； 在所述二极管区、所述晶体管区、第一鳍部和第二鳍部内形成第一阱区； 在所述第一阱区上形成第二阱区，所述第一阱区类型与第二阱区类型不同； 在所述二极管区的半导体衬底上形成至少一个第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨至少一个所述第一鳍部，并覆盖所述第一鳍部的侧壁与顶部； 在所述晶体管区的半导体衬底上形成至少一个第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨至少一个所述第二鳍部，并覆盖所述第二鳍部的侧壁与顶部； 以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一 halo离子注入和第一 LDD离子注入，或者进行第一 halo离子注入和第一源漏离子注入，或者进行第一 halo离子注入、第一 LDD离子注入和第一源漏离子注入； 以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极结构两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入，形成所述晶体管的源极和漏极。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构与第二栅极结构在同一步骤中形成。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入的步骤之前，还包括，以所述第二栅极结构为掩膜，对第二栅极两侧的第二鳍部进行第二 LDD离子注入和第二 halo离子注入中的至少一个。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二LDD离子注入与第一 LDD离子注入同时进行，所述第二 LDD离子注入与所述第一 LDD离子注入的注入剂量、注入能量相同。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二halo离子注入与所述第一 halo离子注入同时进行，所述第二 halo离子注入与所述第一 halo离子注入的注入剂量、注入能量相同。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构的特征尺寸为10?200nm，所述第一栅极结构的顶面面积与所述半导体衬底的顶面面积比为10%?60%。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部与第二鳍部在长度方向平行排列、所述第一鳍部与第二鳍部连接或者所述第一鳍部与第二鳍部一体成型。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一 halo离子注入、第一 LDD离子注入和第一源漏离子注入时，具体包括: 以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一 halo离子注入和第一 LDD离子注入； 对第一 halo离子注入和第一 LDD离子注入之后，在所述第一栅极结构周围形成第一侧-Ukm ; 以所述第一栅极结构和第一侧墙为掩膜，对第所述一侧墙两侧的第一鳍部进行第一源漏离子注入。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极结构两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入包括: 在所述第二栅极结构周围形成第二侧墙； 以所述第二侧墙为掩膜，对所述第二侧墙两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入。10.一种半导体结构，其特征在于，包括: 半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管，所述二极管区至少具有一个第一鳍部，所述晶体管区至少具有一个第二鳍部； 位于所述二极管区、所述晶体管区、第一鳍部和第二鳍部内的第一阱区； 位于第二阱区上的第一阱区，所述第一阱区类型与第二阱区类型不同； 位于半导体衬底上的至少一个第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨至少一个所述第一鳍部，并覆盖所述第一鳍部的侧壁与顶部； 位于半导体衬底上的至少一个第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨至少一个所述第二鳍部，并覆盖所述第二鳍部的侧壁与顶部； 所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内具有第一 halo离子注入区和第一 LDD离子注入区，或者具有第一 halo离子注入区和第一源漏离子注入区，或者具有第一 halo离子注入区、第一 LDD离子注入区和第一源漏离子注入区； 所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内具有所述晶体管的源极和漏极。11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构两侧还具有第二halo离子注入区和第二 LDD离子注入区中的至少一个。12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的特征尺寸为10?200nm,所述第一栅极结构的顶面面积与所述半导体衬底的顶面面积比为10%?60%o13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部与第二鳍部在长度方向平行排列、所述第一鳍部与第二鳍部连接、或者所述第一鳍部与第二鳍部一体成型。14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管； 在所述二极管区和所述晶体管区的半导体衬底内形成第三阱区； 在第三阱区上形成第四阱区，所述第三阱区类型与第四阱区类型不同； 在所述二极管区的半导体衬底上形成至少一个第三栅极结构； 在所述晶体管区的半导体衬底上形成至少一个第四栅极结构； 以第三栅极结构为掩膜，对第三栅极结构两侧的二极管区的半导体衬底进行第三halo离子注入和第三LDD离子注入，或者进行第三halo离子注入和第三源漏离子注入，或者进行第三halo离子注入、第三LDD离子注入和第三源漏离子注入。 以第四栅极结构为掩膜，对第四栅极结构两侧的晶体管区的半导体衬底内进行第四源漏离子注入，形成所述晶体管的源极和漏极。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以第四栅极结构为掩膜，对第四栅极结构两侧的第四鳍部进行第四源漏离子注入的步骤之前，还包括，以所述第四栅极结构为掩膜，对第四栅极结构两侧的第四鳍部进行第四LDD离子注入和第四halo离子注入中的至少一个，所述第四LDD离子注入与第三LDD离子注入同时进行，所述第四halo离子注入与所述第三halo离子注入同时进行。16.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三栅极结构的特征尺寸为10?200nm，所述第四栅极结构顶面面积与所述半导体衬底的顶面面积比为10%?60%。17.一种半导体结构，其特征在于，包括: 半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管； 位于所述二极管区、所述晶体管区的半导体衬底内的第三阱区； 位于第三阱区上的第四阱区，所述第四阱区类型与第三阱区类型不同； 位于二极管区的半导体衬底上的至少一个第三栅极结构； 位于晶体管区的半导体衬底上的至少一个第四栅极结构； 所述第三栅极结构两侧的半导体衬底内具有第三halo离子注入区和第三LDD离子注入区，或者具有第三halo离子注入区和第三源漏离子注入区，或者具有第三halo离子注入区、第三LDD离子注入区和第三源漏离子注入区； 所述第四栅极结构两侧的晶体管区的半导体衬底内具有所述晶体管的源极和漏极。18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第三栅极结构的特征尺寸为10?200nm,所述第四栅极结构顶面面积与所述半导体衬底的顶面面积比为10%?60%。
【专利摘要】一种半导体结构的形成方法和半导体结构，其中，半导体结构包括：衬底，包括二极管区和晶体管区，二极管区至少具有一个第一鳍部，晶体管区至少具有一个第二鳍部；位于半导体衬底内的第一阱区；位于第二阱区上的第一阱区，第一、第二阱区类型不同；位于衬底上的至少一个第一栅极结构；位于半导体衬底上的至少一个第二栅极结构；第一栅极结构两侧的第一鳍部内具有第一halo离子注入区和第一LDD离子注入区，或者具有第一halo离子注入区和第一源漏离子注入区，或者具有第一halo离子注入区、第一LDD离子注入区和第一源漏离子注入区；第二栅极结构两侧的第二鳍部内具有晶体管的源极和漏极。本发明的半导体结构的输出电压稳定。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/78, H01L21/266
【公开号】CN105448680
【申请号】CN201410310726
【发明人】李勇
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年7月1日