的或不透明的。
[0037]阻挡层102可以形成在显示基底101上。阻挡层102可以覆盖显示基底101的整个上表面。
[0038]阻挡层102可以包括无机层或有机层。例如，阻挡层102可以由一种或更多种无机材料(诸如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(S1N)、氧化铝(AlO)和氮化铝(AlN))或者有机材料(诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺和聚酯)形成。
[0039]阻挡层102可以是单层或多层。阻挡层102可以防止氧和湿气的渗透并且可以使显示基底101的上表面平坦。
[0040]薄膜晶体管(TFT)可以形成在阻挡层102上。在本示例性实施例中，TFT是顶栅极晶体管，但可以是另一种类型的晶体管，例如，底栅极晶体管。
[0041]半导体有源层103可以形成在阻挡层102上。半导体有源层103可以包括掺杂有N型杂质离子或P型杂质离子的源区104和漏区105。未掺杂有杂质的沟道区106可以设置在源区104和漏区105之间。
[0042]半导体有源层103可以是由非晶硅或多晶硅形成的无机半导体或者有机半导体。
[0043]半导体有源层103可以是氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和铪(Hf)的4族、12族、13族和14族元素以及它们的组合的氧化物。
[0044]栅极绝缘层107可以沉积在半导体有源层103上。栅极绝缘层107可以是由S1x、SiNxS金属氧化物形成的无机层。栅极绝缘层107可以是单层或多层。
[0045]栅电极108可以形成在栅极绝缘层107上。栅电极108可以具有由例如Au、Ag、Cu、N1、Pt、Pd、Al、Mo或Cr形成的单层或者多层。栅电极108可以包括诸如Al:Nd或Mo:W
的合金。
[0046]层间绝缘层109可以形成在栅电极108上。层间绝缘层109可以是由例如S1j^SiN3Ji成的无机层。层间绝缘层109可以是有机层。
[0047]源电极110和漏电极111可以形成在层间绝缘层109上。例如，接触孔可以通过选择性地去除栅极绝缘层107和层间绝缘层109的部分而形成在栅极绝缘层107和层间绝缘层109中。穿过接触孔，源电极110可以电连接到源区104，漏电极111可以电连接到漏区 105。
[0048]保护层112 (钝化层和/或平坦化层)可以形成在源电极110和漏电极111上。保护层112可以覆盖源电极110和漏电极111。保护层112可以包括诸如S13J^ SiNx的无机材料或者诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。
[0049]有机发光二极管(OLED)可以形成在TFT上。
[0050]OLED可以形成在保护层112上。OLED可以包括第一电极113、中间层117和第二电极115。
[0051]第一电极113可以穿过通过去除部分保护层112而形成的接触孔电连接到源电极110或漏电极111。
[0052]第一电极113可以用作阳极并可以由各种导电材料形成。第一电极113可以包括透明电极或反射电极。例如，当第一电极113用作透明电极时，第一电极113可以包括由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成的透明导电层。当第一电极113用作反射电极时，第一电极113可以通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或它们的组合形成反射层，并且由例如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3形成的透明导电层可以形成在反射层的上表面上。
[0053]像素限定层114可以形成在保护层112上并且可以覆盖第一电极113的一部分。像素限定层114可以通过围绕第一电极113的边缘来限定每个子像素的发射区域。第一电极113可以在每个子像素上图案化。
[0054]像素限定层114可以是有机层或无机层。例如，像素限定层114可以由诸如以聚酰亚胺、聚酰胺、BCB、丙烯酸树脂或酚树脂为例的有机材料或者诸如SiNx的无机材料形成。
[0055]像素限定层114可以是单层或多层。
[0056]中间层117可以形成在第一电极113的通过蚀刻像素限定层114的一部分而暴露的区域上。中间层117可以通过沉积形成。
[0057]中间层117可以具有多层结构。
[0058]例如，中间层117可以包括发射层119以及形成在发射层119的至少一个表面上的至少一个图案层118和120。至少一个图案层118和120可以沿垂直于显示基底101的方向形成。
[0059]中间层117可以包括发射层119并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或更多个。在实施例中，中间层117可以包括发射层119并且还可以包括诸如散射层的各种功能层。
[0060]在本不例性实施例中，第一图案层118可以形成在第一电极113和发射层119之间。第一图案层118可以包括HIL和HTL。第二图案层120可以形成在发射层119和第二电极115之间。第二图案层120可以包括ETL和EIL。
[0061]从第一电极113和第二电极115注入的空穴和电子可以在发射层119中结合并且可以发射期望颜色的光。
[0062]第二电极115可以形成在中间层117上。
[0063]第二电极115可以用作阴极。第二电极115可以包括透明电极或反射电极。例如，当第二电极115用作透明电极时，例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、镁(Mg)或它们的组合的具有低逸出功的金属可以沉积在中间层117上，由ΙΤΟ、IZO、ZnO,In2O3等形成的透明导电层可以形成在上述的金属或组合上。当第二电极115用作反射电极时，第二电极115可以由L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和/或它们的组合形成。
[0064]在本示例性实施例中，第一电极113可以用作阳极，第二电极115可以用作阴极。在实施例中，第一电极113可以用作阴极，第二电极115可以用作阳极。
[0065]在实施例中，多个子像素可以形成在显示基底101上，并且每个子像素可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
[0066]中间层117可以形成为基本上覆盖第一电极113，而不管子像素的位置如何。在发射层中，包括分别发射红光、绿光和蓝光的发射材料的层可以垂直地堆叠，或者发射层可以由分别发射红光、绿光和蓝光的发射材料的混合物形成。
[0067]如果发射材料发射白光，则可能够混合其他颜色。发射层还可以包括将发射的白光转变为另一种颜色的光的颜色转变层或滤色器。
[0068]密封基底116可以形成在OLED上。可以形成密封基底116以保护中间层117和其他薄膜免受例如从外部渗透的湿气或氧的影响。
[0069]密封基底116可以是具有刚性的玻璃或者具有聚合物树脂或柔性的膜。密封基底116可以具有有机层和无机层交替地堆叠在OLED上的结构。
[0070]在本示例性实施例中，中间层117可以具有多个层堆叠的堆叠结构。堆叠层的各个横截面的面积可以沿垂直于显示基底101的方向逐渐减小。
[0071]中间层117可以包括具有HIL和HTL的第一图案层118、发射层119以及具有ETL和EIL第二图案层120。
[0072]包括在中间层117中的层可以沿从显示基底101的上表面向上的方向连续堆叠。中间层1