17的横截面可以从显示基底101到密封基底116在尺寸上(例如，沿与从显示基底的上表面向上的方向垂直的方向在宽度上)逐渐减小。例如，中间层117的底层的横截面宽度(即，第一图案层118的横截面宽度)可以大于中间层117的顶层的横截面宽度(即，第二图案层120的横截面宽度)。中间层117的底层的横截面宽度(即，第一图案层118的横截面宽度)可以大于发射层119的横截面宽度。发射层119的横截面宽度可以大于中间层117的顶层的横截面宽度(即，第二图案层120的横截面宽度)。在实施例中，第一图案层118的横截面宽度可以是最大的，第二图案层120的横截面宽度可以是最小的。
[0073]图1示出了中间层的沿在相对于显示基底的垂直方向上延伸的横向平面截取的横截面的沿垂直于显示基底的方向减小的区域。
[0074]中间层117可以呈正锥形的形状，中间层117的角可以是锐角。例如，在中间层117的与第一电极113接触的底层和中间层117的侧表面之间的角度可以小于90度。
[0075]中间层117可以通过沉积工艺沉积。中间层117可以仅形成在由像素限定层114限定的每个子像素的发射区域中。
[0076]在本示例性实施例中，具有不同颜色的发射材料可以分别沉积在子像素中，子像素可以分别发射红光、绿光和蓝光。在另一示例性实施例中，具有红色、绿色和蓝色的发射材料可以垂直地堆叠，并且具有红色、绿色和蓝色的发射材料可以混合在一个子像素中。
[0077]包括HIL和HTL的第一图案层118可以普通地形成。在本示例性实施例中，HIL和HTL中的每个可以形成在每个子像素的发射区域中。第一图案层118可以不形成在像素限定层114的外表面上。
[0078]包括ETL和EIL的第二图案层120也可以普通地形成。如第一图案层118的情况，第二图案层120可以形成在每个子像素的发射区域中。
[0079]第二电极115可以形成在第二图案层120的上表面上。第二电极115可以形成在每个子像素上。第二电极115可以是将共电压施加到每个子像素的电极。
[0080]还可以形成辅助电极121以将共电压施加到每个子像素。辅助电极121可以电连接到第二电极115。辅助电极121可以形成在每个像素的发射区域和像素限定层114上。在本示例性实施例中，辅助电极121可以形成在像素限定层114的外表面、第二电极115的外表面和中间层117的侧表面上。
[0081]在本示例性实施例中，辅助电极121和用作共电极的第二电极115可以分别形成。如果第二电极115将共电压施加到每个子像素，则第二电极115的结构可以不是单独的结构。例如，在没有辅助电极121的情况下，第二电极115可以形成在每个子像素的发射区域和像素限定层114上。
[0082]用于保护OLED的覆盖层122还可以形成在辅助电极121上。
[0083]图2A到图2G顺序地示出了根据示例性实施例的在显示基底201上形成薄膜的方法。可以在显示基底201上形成至少一个TFT和OLED的第一电极，将省略对其的举例说明和描述。参照图2A，可以在显示基底201上形成限定子像素的像素限定层202。可以在像素限定层202上形成光图案层219。
[0084]可以在显示基底201上形成可完全覆盖像素限定层202的树脂218。可以在树脂218上形成光致抗蚀剂204。可以通过旋涂等形成树脂218和光致抗蚀剂204。
[0085]如图2B中所示，可以通过使光致抗蚀剂204暴露于光并使光致抗蚀剂204显影并且通过蚀刻树脂218来使光图案层219图案化。可以在彼此相邻的像素限定层202之间形成使第一电极113 (参照图1)的至少一部分暴露的开口 205。开口 205可以与每个子像素的发射区域对应。
[0086]如图2C中所示，可以在显示基底201上形成第一图案层206。
[0087]为此，可以将显示基底201布置在室的上部上并且可以将沉积源208布置在室的下部上。然后，可以将预定量的热提供到沉积源208，并且可以通过气相沉积将沉积材料从沉积源208施用到显示基底201。可以通过连续沉积来形成随后描述的第一图案层206、发射层209和第二图案层211。
[0088]可以在第一电极113 (参照图1)上形成第一图案层206。第一图案层206可以包括HIL和HTL。第一图案层206可以穿过开口 205沉积在显示基底201上。
[0089]第一图案层206的横截面可以例如由于在光致抗蚀剂204的下部204a中的下切而沿远离显示基底201的方向在尺寸上逐渐减小。
[0090]在形成第一图案层206的同时，可以通过使用与第一图案层206中的材料相同的材料在光致抗蚀剂204上形成第一沉积层207。
[0091]如图2D中所示，可以在显示基底201上形成发射层209。发射层209可以包括发射红光、绿光和蓝光的材料并且可以形成与红色、绿色和蓝色中的一个对应的沉积材料。
[0092]可以在第一图案层206上形成发射层209。在形成发射层209的同时，可以通过使用与发射层209中的材料相同的材料在第一沉积层207上形成第二沉积层210。
[0093]由于第一沉积层207可以沉积在光致抗蚀剂204上并且第二沉积层210可以沉积在第一沉积层207上，因此层的厚度(例如，光致抗蚀剂204、第一沉积层207和第二沉积层210的厚度)可以逐渐增大。
[0094]与层204、207和210的厚度的增大成比例，沉积材料穿过的开口 205可以逐渐被覆盖。开口 205的入口可以变为小于最初的开口 205的入口，通过开口 205的沉积材料的量可以减小，发射层209的横截面(例如，横截面宽度)可以沿垂直于显示基底201的方向小于第一图案层206的横截面(例如，横截面宽度)。
[0095]如图2E中所示，可以在显示基底201上形成第二图案层211。第二图案层211可以包括ETL和EIL。
[0096]可以在发射层209上形成第二图案层211。第二图案层211的横截面(例如，横截面宽度)可以沿垂直于显示基底201的方向小于发射层209的横截面(例如，横截面宽度)。在形成第二图案层211的同时，可以通过使用与第二图案层211中的材料相同的材料在第二沉积层210上形成第三沉积层212。
[0097]包括第一图案层206、发射层209和第二图案层211的中间层217可以形成在由像素限定层202限定的子像素的发射区域上，中间层217的横截面可以沿垂直于显示基底201的方向在尺寸上逐渐减小。
[0098]中间层217的齿形角(profile angle)可以是锐角。
[0099]通过在通过使用沉积源208 (参照图2C)使沉积材料蒸发的同时调节沉积入射角，或者通过改变涂覆在显示基底201上的树脂218和光致抗蚀剂204的厚度，可以任意调节齿形角。例如，可以增大沉积材料的沉积入射角或者可以减小树脂218和光致抗蚀剂204的厚度以增大齿形角。
[0100]如图2F中所示，可以在显示基底201上形成第二电极213。可以通过沉积形成第二电极213。
[0101]可以在第二图案层211上形成第二电极213。在形成第二电极213的同时，可以通过使用与第二电极213中的材料相同的材料在第三沉积层212上形成第四沉积层214。第二电极213的横截面(例如，横截面宽度)可以沿垂直于显示基底201的方向小于第二图案层211的横截面(例如，横截面宽度)。
[0102]然后，可以去除分别形成在像素限定层202