，经过干刻，剥离光刻胶，在衬底基板上形成钝化层45。
[0097]步骤703、在完成步骤702的衬底基板上形成源漏极金属层。
[0098]其中，源漏极金属层包括源极49、漏极50、栅极引入线5和触控电极引入线6。源漏极金属层的制作过程如下:
[0099]7031、在衬底基板上沉积源漏极金属薄膜。
[0100]7032、在源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶。
[0101]7033、采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理。
[0102]7034、对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理。
[0103]7035、对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层，其中，漏极50通过第三过孔10与像素驱动层46相连接。
[0104]步骤704、在完成步骤703的衬底基板上形成有源层43。
[0105]采用sputter设备在步骤703得到的衬底基板40上沉积一层氧化物有源层，该有源层可以为1620、2]10、211(^、]^20等单元或多元氧化物半导体材料，该有源层的厚度为5111]1?250nm。通过光刻工艺在基板上定义出有源层的图形，对衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成有源层43。
[0106]步骤705、在完成步骤704的衬底基板上形成栅极绝缘层42。
[0107]采用PECVD设备在有源层43上方沉积一层栅极绝缘材料薄膜，该薄膜可以为Si02、Si3N4、S1xNy等构成的单层薄膜或多层薄膜，且该薄膜的厚度为5nm?300nm，通过构图工艺形成包括第一过孔7的栅极绝缘层42。
[0108]步骤706、在完成步骤705的衬底基板上形成栅极金属层。
[0109]通过光刻工艺在衬底基板40上定义出栅极金属层的图形，对该衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成栅极金属层，该栅极金属层包括栅极线1、栅极41。
[0110]步骤707、在完成步骤706的衬底基板上形成平坦层47。
[0111]采用PECVD设备在衬底基板上沉积无机材料钝化层，光刻定义出包括第二过孔8的图形，经过干刻，剥离光刻胶，得到平坦层47，其中第二过孔8依次穿过平坦层47和栅极绝缘层42到达触控电极引入线6。
[0112]步骤708、在完成步骤707的衬底基板上形成触控电极层48。
[0113]在步骤707得到的衬底基板上形成一层IT0(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到触控电极层48，触控电极层48包括多个触控子电极9，且触控子电极9通过第二过孔8和触控电极引入线6相连接。
[0114]经过上述制备方法所制备的显示基板中，栅极金属层包括栅极线，源漏极金属层包括源极、漏极、栅极引入线和触控电极引入线，触控电极层包括多个触控子电极，栅极绝缘层具有第一过孔，栅极线与栅极引入线之间通过第一过孔连接，触控电极引入线上方具有第二过孔，触控子电极与触控电极引入线一一对应，且通过第二过孔连接。
[0115]本发明实施例提供的方法，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
[0116]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0117]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括:栅极线、闸集成电路、数据集成电路及数据线； 所述显示基板还包括栅极引入线和触控电极引入线，每根所述触控电极引入线对应于一根所述栅极引入线，所述栅极引入线设置于靠近所述闸集成电路的一侧，所述触控电极引入线设置于靠近所述数据集成电路的一侧； 所述栅极引入线连接所述栅极线和所述闸集成电路，所述栅极引入线从所述闸集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至与所述栅极线相连接处； 所述触控电极引入线与所述数据集成电路相连，所述触控电极引入线从所述数据集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至所述栅极引入线与所述栅极线相连接处下方。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一过孔； 所述栅极引入线与所述栅极线通过所述第一过孔相连接。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括触控电极，所述触控电极被分割为多个触控子电极。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第二过孔； 所述触控电极引入线通过所述第二过孔与所述触控子电极相连接。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极引入线设置于所述数据线的一侧;或， 所述栅极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述触控电极引入线设置于所述数据线一侧;或， 所述触控电极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极引入线和所述触控电极引入线均与所述数据线同层设置。8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述闸集成电路与所述数据集成电路相对设置。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述闸集成电路与所述数据集成电路分别设置于所述数据线的两端。10.—种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求1至9任一项权利要求所述的显示基板。11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备上述权利要求1至9中任一权利要求所述的显示基板，所述方法包括: 在衬底基板上形成栅极金属层图形； 在所述衬底基板上形成源漏极金属层图形； 其中，所述栅极金属层包括所述栅极线，所述源漏极金属层包括所述数据线、所述栅极引入线和所述触控电极引入线。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述显示基板为底栅结构，所述显示基板包括: 依次形成于所述衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层、钝化层、像素驱动层图形、平坦层、触控电极层； 其中，所述触控电极层包括多个触控子电极，所述栅极绝缘层具有第一过孔，所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接，所述触控电极引入线上方具有第二过孔，所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应，且通过所述第二过孔连接。13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述显示基板为顶栅结构，所述显示基板包括: 依次形成于所述衬底基板上的像素驱动层、钝化层、源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、平坦层、触控电极层； 其中，所述触控电极层包括多个触控子电极，所述栅极绝缘层具有第一过孔，所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接，所述触控电极引入线上方具有第二过孔，所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应，且通过所述第二过孔连接。14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成源漏极金属层图形，包括: 在所述衬底基板上沉积源漏极金属薄膜； 在所述源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶； 采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理； 对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理； 对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层图形。
【专利摘要】本发明是关于一种显示基板、制备方法及显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：栅极线、闸集成电路、数据集成电路、数据线、栅极引入线和触控电极引入线；栅极引入线连接栅极线和闸集成电路，栅极引入线从闸集成电路一侧沿数据线方向延伸至与栅极线相连接处；触控电极引入线与数据集成电路相连，触控电极引入线从数据集成电路一侧沿数据线方向延伸至栅极引入线与栅极线相连接处下方。本发明通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/77
【公开号】CN105575977
【申请号】CN201610006872
【发明人】桑琦, 王宝强, 朴相镇
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年1月4日