调节合金中所包含的两种或更多种金属的比例。
[0044] 图6中示出了厚度为IOOnm的能够被用作第一层材料的材料的反射率。在图6中， CORA 0500和CORA 0505是由COMET Inc所制造的合金的产品名称。
[0045] 可依目标反射率、电导率等调节第一层的线宽度和厚度。例如第一层的厚度的可 选范围为500埃至10,000埃。
[0046] 第二层为具有比第一层更高的蚀刻速度的层。此处，具有更高的蚀刻速度意指，当 用同一蚀刻溶液组合物蚀刻第一层和第二层所形成的层压结构时，第二层W比第一层更高 的速度被蚀刻。通过使用具有运种特性的第二层，可得到合适的第一层锥角。由于该合适的 锥角，在其上所设置的第一电极，例如透明的导电氧化物层如ITO层，可W稳定地形成。合适 的锥角可能受蚀刻溶液的类型或蚀刻条件W及上述第一层和第二层的材料的影响，并且为 得到上述的合适的锥角，本领域普通技术人员可基于在相关领域中已知的技术来选择各层 的材料、蚀刻溶液的类型、或蚀刻条件。例如，关于蚀刻条件，当在50°C下的刚好蚀刻时间 O'ust etching time)是50秒时，贝可通过进行刚好蚀刻时间的200%至600%的时间-- 例如，300%至500%的时间--的蚀刻实现过度蚀刻(over-etching)。
[0047] 根据一个实施方案，在50°C下，第二层的蚀刻速度为500埃/秒或更高，且第一层的 蚀刻速度为100埃/秒或更低。
[0048] 根据一个实施方案，在50°C下，第二层的蚀刻速度为800埃/秒或更高，且第一层的 蚀刻速度为800埃/秒或更低。
[0049] 根据一个实施方案，第一层的侧面具有正锥角（regular taper angle)。如图3所 示，本说明书中的锥角（0)意指第一层的侧面与底面所形成的角，并且正锥角意指该角为锐 角。
[0050] 根据一个实施方案，辅助电极的第一层的锥角大于0°且小于90°。根据一个实施方 案，辅助电极的第一层的锥角优选大于0°且小于或等于60°。第一层的锥角越小，在其上设 置的层的稳定性越好。
[0051] 当第一电极具有上述正锥角时，由设置在辅助电极顶部的有机材料层产生的光， 不仅由辅助电极的第一层与基板之间反射，还由第一层的侧面反射，从而，可W进一步提高 光提取效率，且此外，可在辅助电极的层压结构上稳定地形成第一电极。在图3中，W箭头表 示由设置在辅助电极顶部的有机材料层所发出的光的方向。
[0052] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第一层的上表面线宽度(a/)与第一层的下表 面线宽度(a)的比例小于1。图8示出了辅助电极的第一层的线宽度。此处，当第一层的下表 面与侧面的边界形成曲面，或第二层的上表面与侧面的边界形成曲面时，W邻接基板的面 的延长面和第一层的侧面的延长面相交所形成的边为基础来测量第一层的下表面线宽度， W第一层的上表面的延长面与第一层的侧面的延长面相交所形成的边为基础来测量第一 层的上表面。
[0053] 根据一个实施方案，辅助电极的第一层的线宽度由上表面向下表面逐渐增加。
[0054] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的下表面线宽度(b)等于或小于第一层 的上表面线宽度(a/ )。如此构造示于图9中。
[0055] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的下表面线宽度(b)与第一层的上表面 线宽度(a/ )之差为0.Ol微米至1微米，例如，0.05微米至0.5微米，且特别地为0.2微米。
[0056] 根据一个实施方案，对于任意一种或更多种类型蚀刻溶液，对蚀刻溶液的类型没 有限制，只要如上所述第二层的蚀刻速度高于第一层的蚀刻速度。
[0057]根据本发明的一个实施方案，辅助电极的第一层和第二层可使用经含酸蚀刻溶液 蚀刻的材料。作为一个实例，蚀刻溶液可包含一种或更多种类型的憐酸、硝酸和乙酸。
[005引根据一个实施方案，当第二层暴露于湿气或空气时，第二层比第一层氧化程度更 低。在该情况下，即便第一层暴露于湿气或空气，但至少在第一层与第二层之间的界面处可 W防止第一层的氧化。
[0059] 根据一个实施方案，第二层比第一层具有更高的硬度。在该情况下，即使第一层的 硬度低，也可W保护辅助电极免遭外界物理损伤。另外，当第一层与基板的热膨胀系数不同 时，可能出现小丘化illock)-一一种当进行热处理时第一层发生膨胀的现象，但是，当第 二层比第一层具有更高的硬度时可W预防如上的小丘缺陷。
[0060] 第二层的材料包含Mo等。
[0061] 可依据辅助电极的目标电导率或锥角来确定第二层的线宽度和厚度。第二层的厚 度可为10至5，000埃，例如12.5至3，500埃，且特别为62.5至1，250埃。
[0062] 根据一个实施方案，在辅助电极中，第二层的厚度与第一层的厚度之比为1/40至 1/3,且例如，可为1/8。当厚度比在上述范围W内时，可按需提供第一层的正锥角，W及提供 特性如氧化预防性和优异的硬度，同时可依据第一层的反射率和导电率来提供合适的辅助 电极特性。
[0063] 根据本说明书的一个实施方案，第一层为Al层，且第二层为Mo层。图7示出了4,000 埃厚度的Al层和500埃厚度的Mo层的反射率。此处，4,000埃厚度的Al层在550nm波长处的反 射率为86.77%，500埃厚度的Mo层在550nm波长处的反射率为44.57%。
[0064] 在本说明书中，关于第二电极的材料，可W使用在相关技术中已知的那些。例如， 可使用金属、透明导电氧化物、导电聚合物等。第二电极的材料可W与第一电极的材料相同 或不同。
[0065] 在本说明书中，关于有机材料层的材料，可使用在相关技术中已知的那些。例如， 可W用单一的发光层形成有机材料层，也可W用多层来形成，所述多层除发光层W外还包 括那些注入或传输电荷的层，如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。也可 W设置其他的功能层，如空穴阻挡层、电子阻挡层和缓冲层。可依需要使用无机层如金属面 化物、有机金属层、或无机金属渗杂的有机材料层。
[0066] 根据本说明书的一个实施方案，在基板的设有第一电极的表面的相对表面上还设 置外光提取层。本发明的发明人已确认，与不使用辅助电极或使用具有不同结构的辅助电 极的情况相比，当使用上述实施方案的辅助电极结构时，因使用外光提取层所导致的光提 取效果的增加更大。运可通过随后的实施例得到证实。
[0067] 对外光提取层的结构没有特别的限制，只要其具有能够诱发光散射并改进器件的 光提取效率的结构。在一个实施方案中，可使用膜来形成外光提取层，所述膜具有在粘合剂 内分散有散射颗粒的结构，或者具有不平坦的结构。
[0068] 另外，可使用如旋涂法、棒涂法和狭缝涂覆法的方法在基板上直接形成外光提取 层，或者可通过制备成膜形式后粘结到基板上而形成外光提取层。外光提取层可包括平坦 化层。
[0069] 本说明书的一个实施方案还包括在第一电极或辅助电极与基板之间设置的内光 提取层。对内光提取层的结构没有特别的限制，只要其具有能够诱发光散射并改进器件的 光提取效率的结构。在一个实施方案中，可使用膜来形成内光提取层，所述膜具有在粘合剂 内分散有散射颗粒的结构，或者具有不平坦的结构。
[0070] 另外，可使用如旋涂法、棒涂法和狭缝涂覆法的方法在基板上直接形成内光提取 层，或者可通过制备成膜形式后粘结到基板上而形成内光提取层。内光提取层可包括平坦 化层。
[0071] 根据本说明书的一个实施方案，有机发光器件还可包括绝缘层。作为一个实例，绝 缘层可设置为，除了与第一电极邻接的第一电极的辅助电极的表面外，其包围了第一电极 的辅助电极的至少部分表面或整个表面。作为另一实例，在基板与第一电极之间设置第一 电极的辅助电极，并且在除了第一电极上表面之外覆盖了辅助电极的区域上另外设置绝缘 层。绝缘层可防止第一电极或第一电极的辅助电极与第二电极或其他部件电连接。对绝缘 层的材料没有特别的限制，但是，可W使用PSPI。
[0072] 根据本说明书的一个实施方案，有机发光器件为晓性有机发光器件。在该情况下， 基板包含晓性材料。例如，可W使用晓性薄膜形玻璃基板、塑料基板或膜形基板。
[0073] 对塑料基板的材料没有特别的限制，但是，膜如PET、PEN、PE邸和PI通常W单层或 多层的形式使用。
[0074] 当基板为薄膜形式时，可在其上粘结其他的塑料基板。例如，可将薄膜形玻璃与塑 料基板的层压体用作基板。将塑料基板粘贴至薄膜形玻璃可改进机械特性。
[0075] 本说明书的一个实施方案提供一种包括上述有机发光器件的显示装置。在该显示 装置中，有机发光器件可W起到像素或背光作用。除此之外，该显示装置的构造可W使用在 相关技术中已知的组成。
[0076] 本说明书的一个实施方案提供一种包括上述有机发光器件的照明装